1．调节 RP，使 UE 从零逐渐增加。当 UE 比较小时（UE＜ UBB＋UD），单结晶体管内的 PN 结处于反向偏置，E 与 B1之间不能导通，呈现很大电阻。当 UE 很小时，有一个很小的反向漏电流。随着 UE 的增高，这个电流逐渐变成一个大约
几微安的正向漏电流。这一段在图3所示的曲线中称为截止区，即单结晶体管尚未导通的一段。
这部分特性称为饱和区。
综上所述，单结晶体管具有以下特点：
（1）当发射极电压等于峰点电压 UP 时，单结晶体管导通。导通之后，当发射极电压小于谷点电压 UV 时，单结晶体
管就恢复截止。
（2）单结晶体管的峰点电压 UP 与外加固定电压 UBB 及其分压比 有关。而分压比
定的，可以看做常数。
对于分压比 不同的管子，或者外加电压 UBB 的数值不同时，峰值电压 UP 也就不同。
E。两个基极之间的电阻为 RBB，一般在2~15kW 之间，RBB 一般可分为两段，RBB =RB1+ RB2，RB1是第一基极 B1至 PN 结的电阻；RB2是第一基极 B2至 PN 结的电阻。双基极二极管的符号见图1的右侧。
图1 双基极二极管的结构与符号 等效电路
双基极二极管的工作原理
将双基极二极管按图2(a)接于电路之中，观察其特性。首先在两个基极之间加电压 UBB，再在发射极 E 和第一基极 B1之间加上电压 UE，UE 可以用电位器 RP 进行调节。这样该电路可以改画成图2(b)的形式，双基极二极管可以用一个 PN 结和二个电阻 RB1、RB2组成的等效电路替代。
是由管子结构决
（3）不同单结晶体管的谷点电压 UV 和谷点电流 IV 都不一样。谷点电压大约在2~5V 之间。在触发电路中，常选用 稍大一些、UV 低一些和 IV 大一些的单结管，以增大输出脉冲幅度和移相范围。
单结晶体管触发电路 单结晶体管触发的单相半控桥式整流电路
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图3 单结晶体管的伏安特性曲线
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Up＝ UBB＋UD
式中 UD 为单结晶体管中PN 结的正向压降，一般取 UD＝0.7V。
在单结晶体管中 PN 结导通之后，从发射区（P 区）向基压（N 区）发射了大量的空穴型载流子，IE 增长很快，E 和
B1之间变成低阻导通状态，RB1迅速减小，而 E 和 B1之间的电压 UE 也随着下降。这一段特性曲线的动态电阻
2
(a)
(b)
图2 双基极二极管的特性测试电路
当基极间加电压 UBB 时，RB1上构有关，约在0.5～0.9之间。
2.当 UE＝ UBB＋UD 时，单结晶体管内在 PN 结导通，发射极电流 IE 突然增大。把这个突变点称为峰点P。对应的 电压 UE 和电流 IE 分别称为峰点电压 UP 和峰点电流 IP。显然，峰点电压
为
3
负值，因此称为负阻区。而 B2的电位高于 E 的电位，空穴型载流子不会向 B2运动，电阻 RB2基本上不变。
当发射极电流 IE 增大到某一数值时，电压 UE 下降到最低点。特性由线上的这一点称为谷点 V。与此点相对应的是 谷点电压 UV 和谷点电流 IV。此后，当调节 RP 使发射极电流继续增大时，发射极电压略有上升，但变化不大。谷点右边的
单结晶体管（双基极二极管）原理
体管又叫双基极二极管，它的符号和外形见附图
判断单结晶体管发射极 E 的方法是：把万用表置于 R*100 挡或 R*1K 挡，黑表笔接假设的发射极，红表笔 接另外两极，当出现两次低电阻时，黑表笔接的就是单结晶体管的发射极。 单结晶体管 B1 和 B2 的判断方法是：把万用表置于 R*100 挡或 R*1K 挡，用黑表笔接发射极，红表笔分别接 另外两极，两次测量中，电阻大的一次，红表笔接的就是 B1 极。 应 当说明的是，上述判别 B1、B2 的方法，不一定对所有的单结晶体管都适用，有个别管子的 E--B1 间的 正向电阻值较小。不过准确地判断哪极是 B1，哪极是 B2 在实际使用中并不特别重要。即使 B1、B2 用颠倒 了，也不会使管子损坏，只影响输出脉冲的幅度（单结晶体管多作脉冲发生器使用），当发现输出的脉冲 幅 度偏小时，只要将原来假定的 B1、B2 对调过来就可以了。
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单结晶体管工作原理-双基极二极管伏安特性曲线-单结管
双基极二极管(单结晶体管)的结构 双基极二极管又称为单结晶体管，它的结构如图1所示。在一片高电阻率的 N 型硅片一侧的两端各引出一个电极，分别 称为第一基极 B1和第二基极B2。而在硅片是另一侧较靠近 B2处制作一个 PN 结，在 P 型硅上引出一个电极，称为发射极