（neya）ASEMI品牌旗下常用于快充行业的，使用氮化镓材料的整流桥有多款，相比传统充电器，有哪些优势？
1、充电效率高。

氮化镓的带隙比硅高得多，这意味着它可以随时间传导更高的电压。

带隙较大也意味着电流可以比硅更快地流过GaN制成的芯片，从而可以更快地进行处理，充电更快。

2、散热快。

氮化镓与前两代的半导体相比，禁带宽度大、导热系数更高。

而且可在200以上的高温下工作，能承载更高的能量密度，可靠性高，能够将过度充电的可能性降低。

3、体积小。

氮化镓材料本身优异的性能，使得做出来的氮化镓比传统硅基IGBT/MOSFET 等芯片面积更小，同时由于更耐高压，大电流，氮化镓芯片功率密度更大，因此功率密度/面积远超硅基。

此外由于使用氮化镓芯片还减少了周边的其他元件的使用，电容、电感、线圈等被动件比硅基方案少得多，也进一步缩小了体积。

今天就为大家详细列出常见的快充整流桥堆型号大全：
NO.型号参数封装封装形式1DB207S2A 1000V DBS-4贴片
2ABS2102A 65W ABS-4贴片
3RABS2102A 1000V ABS-4贴片
4TMBF3103A 65W TMBF贴片
5TMBFR3103A 65W TMBF贴片
6RYBS30103A 65W TMBF贴片
7D4KB1004A 45W D3K插件
8TT8M8A 65W TT贴片
9MSB3073A 65W MSBL贴片
10DBF3103A 50W DBF贴片
11DBF4104A 65W DBF贴片
12GBP-4插件
13GBP-4插件
14GBP-4插件
15KBP-4插件
16GBL4064A 600V GBL-4插件
17GBL4084A 800V GBL-4插件
18GBL4104A 1000V GBL-4插件
19GBL6066A 600V GBL-4插件
20GBL6086A 800V GBL-4插件
21GBL6106A 1000V GBL-4插件
22GBL8068A 600V GBL-4插件
23GBL8088A 800V GBL-4插件
24GBL8108A 1000V GBL-4插件25UD4KB804A 800V DIP-4插件。