离子注入的优点：
质量分离技术产生没有沾污的纯离子束， 减少了 由于杂质源纯度低带来的沾污，另外低温工艺也 减少了掺杂沾污。
5. 沾污少
6. 无固溶度极限
注入杂质浓度不受硅片固溶度限制

离子注入的缺点：
1. 高能杂质离子轰击硅原子将产生晶格损伤 2. 注入设备复杂昂贵
7.2 离子注入工艺原理


离子投影射程的平均标准偏差△RP为
其中N为入射离子总数 Rp 为平均投影射程 Rpi为第i个离子的投影射程

离子注入浓度分布 LSS理论描述了注入离子在无定形靶中的浓度分布 为高斯分布其方程为
其中φ为注入剂量
χ为离样品表面的深度
Rp为平均投影射程
△Rp为投影射程的平均标准偏差

离子注入浓度分布的最大浓度Nmax
6. 源漏注入 7. 多晶硅栅掺杂 8. 沟槽电容器 9. 超浅结 10. 绝缘体上的硅（SOI）

深埋层 高能（大于200KEV）离子注入，深埋层的作用：控 制CMOS的闩锁效应

倒掺杂阱 高能量离子注入使阱中较深处杂质浓度较大，倒 掺杂阱改进CMOS器件的抗闩锁能力。

穿通阻挡层 作用：防止沟道很短的亚微米器件源漏穿通，保 证源漏耐压。
布，增大了设计的灵活性。

离子注入的优点： 用扫描的方法控制杂质浓度的均匀性，在1010～
1017ions/cm2的范围内，均匀性达到±2％而扩散在 ± 10％，1013ions/cm2以下的小剂量，扩散无法实 现。
3. 杂质浓度均匀性、重复性很好
4. 掺杂温度低 注入可在125℃以下的温度进行，允许使用不同 的注入阻挡层（如光刻胶）增加了工艺的灵活性

注入损伤 高能杂质离子轰击硅原子将产生晶格损伤，减少注 入损伤的常用办法是退火，退火的另一个作用是电 激活注入杂质。常用的退火方法有以下两种： 1. 高温退火 2. 快速热退火
（a）轻离子损伤退火工艺目的： 消除晶格损伤，并且使注入的杂质转入替位位置 而实现电激活。 1. 高温热退火 通常的退火温度：磷、砷 650℃，硼 920℃，时间： 30分钟左右 缺点：高温会导致杂质的再分布。
格间隙时（见下图）就发生了沟道效应。硅片倾
斜是减小沟道效应的常用办法。硅片倾斜使单晶 在离子入射方向上按非晶无定型结构处理和理论 吻合得很好。（100）晶向的硅片常用的角度是 偏离垂直方向7°注入机在出厂前就把角度调好。

沟道效应
沿<110>晶向的硅晶格视图

发生沟道效应的杂质分布曲线

控制沟道效应的方法 1. 倾斜硅片：常用方法 2. 屏蔽氧化层：离子通过氧化层后，方向随机。 3. 硅预非晶化：增加Si+注入，低能量（1KEV）浅注 入应用非常有效 4. 使用质量较大的原子

离子注入参数
注入剂量φ 注入剂量φ是样品表面单位面积注入的离子总数。单位： 离子每平方厘米 其中I为束流，单位是库仑每秒（安 培） t为注入时间，单位是秒 q为电子电荷，等于1.6×10－19库仑 n为每个离子的电荷数 A为注入面积，单位为cm2

注入能量 离子注入的能量用电子电荷与电势差的乘积来表 示。单位：千电子伏特KEV 带有一个正电荷的离子在电势差为100KV的电场 运动，它的能量为100KEV

离子注入系统


1. 离子源
离子源用于产生 大量的注入正离 子的部件，常用 的杂质源气体有 BF3、 AsH3 和 PH3 等。
离子源

2. 引出电极（吸极）和离子分析器
吸极用于把离子从离子源室中引出。


质量分析器磁铁 分析器磁铁形成90°角，其磁场使离子的轨迹偏转成 弧形。不同的离子具有不同的质量与电荷（如BF3→ B＋、BF2＋等），因而在离子分析器磁场中偏转的角 度不同，由此可分离出所需的杂质离子。
入射能量 （KEV） 注入的离子 B RP RP P RP RP As RP RP 20 40 60 80 100 120 140 160 180
662 283 253 119 159 59
1302 443 486 212 269 99
1903 556 730 298 374 136
2465 641 891 380 478 172
2994 710 1238 456 582 207
3496 766 1497 528 686 241
3974 813 1757 595 791 275
4432 854 2019 659 898 308
4872 890 2279 719 1005 341
（二）各种离子在光刻胶中的Rp和△Rp 值 (Å)
SOI结构SEM照片
本章习题

书中第17章：30、53、55、56
第四次作业

第六章（书中第16章）：1、5、30 第七章（书中第17章）：23、25、34 第七章附加题：在P型〈100〉衬底硅片上，进行 As离子注入，形成P-N结二极管。已知衬底掺杂 浓度为1×1016cm-3，注入能量：100KEV，注入剂 量：5.0E15，试计算砷离子注入分布的最大掺杂 浓度Nmax和注入结深。
（三）各种离子在SiO2中的Rp和△Rp 值 (Å)
入射能量 （KEV） 注入的离子 B RP RP P RP RP As RP RP 20 40 60 80 100 120 140 160 180
622 252 199 84 127 43
1283 418 388 152 217 72
（四）各种离子在Si3N4中的Rp和△Rp 值 (Å)
入射能量 （KEV） 注入的离子 B RP RP P RP RP As RP RP
20
40
60
80
100
120
140
160
180
480 196 154 65 99 33
990 326 300 118 169 56
1482 422 453 168 235 77

离子注入的优点：
离子注入层的深度依赖于离子能量、杂质浓度依 赖于离子剂量，可以独立地调整能量和剂量，精 确地控制掺杂层的深度和浓度，工艺自由度大。
1. 精确地控制掺杂浓度和掺杂深度
2. 可以获得任意的杂质浓度分布 由于离子注入的浓度峰在体内，所以基于第1点
采用多次叠加注入可以获得任意形状的杂质分

静电扫描系统
静电扫描系统

机械扫描系统


5. 工艺腔
工艺腔包括扫描系统、具有真空锁的装卸硅片的 终端台、硅片传输系统和计算机控制系统。 硅片冷却：硅片温升控制在50℃以下，气冷和橡 胶冷却。


剂量控制：法拉第环电流测量
7.4 离子注入效应

1. 沟道效应 2. 注入损伤

沟道效应 当注入离子未与硅原子碰撞减速，而是穿透了晶

扫描种类 1. 静电扫描：在一套X-Y电极上加特定电压使离子束 发生偏转注入到固定的硅片上。属于固定硅片、移 动束斑的扫描方式。 2. 机械扫描：硅片放在轮盘上旋转，并上下移动。属 于固定束斑、移动硅片的扫描方式。 3. 混合扫描：硅片放在轮盘上旋转，沿Y方向扫描， 离子束沿X方向静电扫描。束斑和硅片都动。 4. 平行扫描：静电扫描+磁场控制角度



射程、投影射程
具有一定能量的离子入射靶中，与靶原子和电子 发生一系列碰撞（即受到了核阻止和电子阻止） 进行能量的交换，最后损失了全部能量停止在相 应的位置，离子由进入到停止所走过的总距离， 称为射程用R表示。这一距离在入射方向上的投 影称为投影射程 Rp。投影射程也是停止点与靶 表面的垂直距离。
1950 496 612 215 301 97
2396 555 774 259 367 118
2820 605 939 301 433 137
3226 647 1105 340 500 157
3617 684 1271 377 586 176
3994 716 1437 411 637 195

利用下表计算离子注入结深Xj
从上式可知，注入离子的剂量φ越大，浓度峰值越高 从浓度分布图看出，最大浓度位置在样品内的平均投 影射程处

离子注入结深 Xj
x j Rp Rp
其中NB为衬底浓度
N max 2 ln N B

离子注入的浓度分布曲线

RP和△RP的计算很复杂，有表可以查用
（一）各种离子在Si中的Rp和△Rp 值 (Å)
分析磁体

3. 加速管
加速管用来加速正离子以获得更高的速度（即动 能）。
加速管


4. 扫描系统
用于使离子束沿 x、y 方向在一定面积内进行扫 描。 束斑 中束流的束斑：1cm2 大束流的束斑：3cm2 扫描方式 1. 固定硅片、移动束斑（中、小束流） 2. 固定束斑、移动硅片（大束流）

投影射程示意图
第i个离子在靶中的射程Ri和投影射程Rpi


平均投影射程 离子束中的各个离子虽然能量相等但每个离子与靶 原子和电子的碰撞次数和损失能量都是随机的，使 得能量完全相同的同种离子在靶中的投影射程也不 等，存在一个统计分布。 离子的平均投影射程RP为
其中N为入射离子总数，RPi为第i个离子的投影射程
入射能量 （KEV） 注入的离子 B RP RP P RP RP As RP RP 20 40 60 80 100 120 140 160 180
2267 475 866 198 673 126
4587 763 1654 353 1129 207
6736 955 2474 499 1553 286