6.⑴(0100 1000)8421BCD；⑵(0011 0100.0001 0101)8421BCD；
⑶(0001 0010 0001.0000 1000)8421BCD；
⑷(0010 0100 0001.1000 0110)8421BCD
7.⑴ ；⑵ ；
⑶ ；⑷ ；
⑸ ；⑹
9.⑴ ；⑵ ；
⑶ ；⑷ ；
13.1，单级
14.场效应管，晶体管，场效应管
选择题
1.B
2.A,B
3.B
4.A
5.B
6.B
7.B
8.B
9.B
分析计算题
1.（1）截止，UAO=12V
(2)导通，UAO=6V
(3)导通，UAO=-6V
5.（a）饱和（b）放大（c）截止（d）放大
6.对地电位分别为-8V、-3V、-3.2V,PNP,集电极，发射极，基极，锗管
⑴(1553)8；⑵(2336.62)8；⑶(3777.732)8；⑷(3236.57)8；
4.(113.2)8；⑵(162.64)8；⑶(143.3)8；⑷(71.6)8
⑴(4B.4)16；⑵(72.D)16；⑶(63.6)16；⑷(39.C)16
5.⑴(74)10；⑵(853.6)10；
⑶(57)10；⑷(920.32)10
选择题
1.A 2. A 3. B 4. B 5. C
项目五
思考与练习
填空题
1.变压器、整流、滤波、稳压
2.硅稳压管，限流电阻
3.调整管，取样电路，基准电压，比较放大电路
选择题
1.B 2. A 3. C
分析计算题
UO=67.5V; IO=675mA; ID=387.5mA;URM≈106V
项目六
思考与练习
(d)负反馈，反馈量是交流
7.极间反馈Rf是负反馈，反馈量是交直流
8.(a)电压并联负反馈(b)电流串联负反馈(c)电压并联负反馈(d)电流并联负反馈
9.反馈深度1+AF=11，闭环增益
项目三
思考与练习
填空题
1.电容，直接，变压器，直接，零点漂移
2.差模，共模，很小
3.1000,60
4.差分，零点漂移
项目十
思考与练习
1.分压器，比较器，基本RS触发器，晶体管开关，输出缓冲器
4.施密特触发器
5.（1）TL=1.54ms
TH=2.59ms
T=4.13ms
6.555集成电路的应用：构成施密特触发器；构成多谐振荡器；构成单稳态触发器。
项目十一
思考与练习
4.5.625 V
5.101
6.- 6.25 V各模拟开关位置：S3接右侧；S2接左侧；S1接右侧；S0接左侧。
1.⑴(100101.0111)2；⑵(0.0110101)2；⑶(10101110)2；⑷(1010001.001)2
2.⑴(819)10；⑵(46.375)10；⑶(70.625)10；⑷(0.21875)10
3.⑴(1101101011)2；⑵(10011011110.11001)2；
⑶(11111111111.11101101)2；⑷(11010011110.101111)2；
Y= m0D0+m1D1+ m2D2+ m3D3+ m5D5+ m6D6+m10D10+ m11D11+m14D14+m15D15
项目九
思考与练习
3.如图示：
5.如图示：
6.如图示：
7.如图示：
12. 状态图为：
功能：同步四进制加法计数器
13.如图示：
14.功能：（a）图为异步八进制减法计数器；（b）图为异步八进制减法计数器。
7.- 3.75 V各模拟开关位置：S3接左侧；S2接右侧；S1接右侧；S0接左侧。
9.如图示：
项目一
思考与练习
填空题
1.空穴，自由电子
2.N，自由电子，P，空穴
3.导通，截止，单向导电性
4.死区，击穿
5.0.5V，0.7V
6.NPN，PNP，两，双极型晶体管
7.正偏，反偏
8.集电，发射
9.0.7V，0.2V
10.放大区，饱和区，截止区
11.100,120
12.结型场效应管，绝缘栅型场效应管，P，N，增强型，耗尽型
(3) 。用4-16线译码器再加上与非门可实现。
8.（1）
列真值表，总结功能。
（2）
实现同或功能，相同为高电平，相异为低电平。
9.(1)三个变量为A，B，C，输出为Y，实现功能有奇数个1时，Y=1.
(2)三个变量为A，B，C，输出为Y。三个变量取值不同时，Y=1，否则Y=0
(3)四变量为A，B，C，D，输出为Y。偶数个1，Y=1，全0，Y=1。
10.设四个不同的地方独立控制为输入A，B，C，D，可以独立控制路灯Y的亮即Y=1，和灯灭即Y=0；
根据题意:
10.4人为A,B,C,D，为输入，其中A为董事长，提案通过输出Y为1，
提案不通过Y为0.
12.
13.(1)Y=m0Do+ m2D2+ m3D3+ m5D5+ m6D6+ m8D8+ m10D10+ m12D12
5.差模电压放大倍数与共模电压放大倍数，抑制共模信号，相等，虚短，0，虚断
6.同相，反相，相同，相反
7.∞，∞，0
8.线性，负
9.高电平，低电平，非线性
选择题
1. B2. C 3.D 4. A 5. B 6. B
分析题
1.（a）反相比例运算，Au=-20；(b)同相比例运算，Au=21；（c）同相比例运算，Au=20
2.(a)Uo=-1.8V；(b) Uo=5V；(c) Uo=5V；(d) Uo=6.2V；(e) Uo=2.8V；
3.(a)Uo=10V；(b)Uo=4V；
项目四
思考与练习
பைடு நூலகம்填空题
1.甲，乙，甲乙
2.末，功率
3.大，高，小
4.78.5%，交越，微导通
5.NPN,PNP，效率高
6.电压，电流，额定功率
3V、12V、3.7V，NPN，发射极，集电极，基极，硅管
7.（a）①集电极、②发射极、③基极，NPN，β=1.96/0.04=49
（b）①基极、②集电极、③发射极，PNP，β=1/0.01=100
8.（a）耗尽型N沟道MOS，UGS(off)=0.4V，IDSS=2mA
(b)耗尽型N沟道结型管，UGS(off)=-5V，IDSS=4.8mA
(c)耗尽型P沟道MOS，UGS(off)=2V，IDSS=2mA
(d)增强型N沟道MOS，UGS(th)=1V
项目二
思考与练习
1.（1） ，
（2）
2.解：由直流通路知：
由交流微变等效电路知：
3.同1
4.同2相似，只是元器件参数不同
5.
6.(a)负反馈，反馈量是交直流
(b)正反馈，反馈量是交直流
(c)负反馈，反馈量是交直流
填空题
1.放大电路，正反馈网络，选频网络，稳幅环节
2. ，
3. （n为整数），
4.1/3，3，
5.RC, LC ,石英晶体
选择题
1.B 2. D 3. B 4. D
分析计算题
1.（a）不能（b）能（c）能（d）不能
2.（1）f0=970Hz (2)Rt<5kΩ(3)正温度系数
3.(a)
项目七
思考与练习
（2）Y=m0Do+ m2D2+ m5D5+ m7D7+ m9D9+ m10D10+ m12D12+ m15D15
14.
Y=m1D1+ m2D2+ m3D3+ m4D4+ m5D5+ m6D6+ m7D7+ m8D8+ m9D9+m10D10+ m11D11+ m12D12+m13D13+m14D14
10.⑴ ；⑵ ；
⑶ ；⑷ ；
⑸ ；⑹
11.⑴ ；⑵ ；
⑶ ；⑷
项目八
思考与练习
4.(1)共阴极显示器
（3）有
（4）正常显示时，
(5) 对数据输入端没有要求
（6） 为低电平
（7）不显示数字
（8）当灭零时， 输出低电平
7.(1) 。用3-8线译码器再加上与非门可实现。
(2) 。用4-16线译码器再加上与非门可实现。