光敏二极管介绍
名词解释：
光敏二极管又叫光电二极管。

光敏二极管也是由一个PN结组成的半导体器件，也具有单向导电特性。

它在电路中的符号是：
光敏二极管的重要特性就是把光能转换成电能。

在没有光照时，光敏二极管的反向电阻很大，反向电流很微弱，称为暗电流。

当有光照时，光子打在pn结附近，于是在pn结附近产生电子-空穴对，它们在pn结内部电场作用下作定向运动，形成光电流。

光照越强，光电流越大。

光的变化引起光电二极管电流变化，这就可以把光信号转换成电信号，成为光电传感器件。

光敏二极管在应用电路中的两种工作状态：
1、光敏二极管施加有外部反向电压
当光敏二极管加上反向电压时，管子中的反向电流随着光照强度的改变而改变，光照强度越大，反向电流越大，大多数都工作在这种状态。

2、光敏二极管不施加外部工作电压
光敏二极管上不加电压，利用P-N结在受光照时产生正向电压的原理，把它用作微型光电池。

这种工作状态，通常用作光电检测器。

光敏二极管检测方法：
①电阻测量法
用万用表1k挡。

光电二极管正向电阻约10kΩ左右。

在无光照情况下，反向电阻为∞时，这管子是好的(反向电阻不是∞时说明漏电流大)；有光照时，反向电阻随光照强度增加而减小，阻值可达到几kΩ或1kΩ以下，则管子是好的；若反向电阻都是∞或为零，则管子是坏的。

②电压测量法
用万用表1V档。

用红表笔接光电二极管“+”极，黑表笔接“—”极，在光照下，其电压与光照强度成比例，一般可达0．2—0．4V。

③短路电流测量法
用万用表50μA档。

用红表笔接光电二极管“+”极，黑表笔接“—”极，在白炽灯下(不能用日光灯)，随着光照增强，其电流增加是好的，短路电流可达数十至数百μA。

光敏二极管的主要特性参数
本文介绍光敏二极管的主要特性参数：如最高反向工作电压V RM、暗电流I D、光电流I L等。

1、最高反向工作电压V RM:是指光敏二极管在无光照的条件下，反向漏电流不大于0.1μA时所能承受的最高反向电压值
2、暗电流I D: 是指光敏二极管在无光照及最高反向工作电压条件下的漏电流暗电流越小，光敏二极管的性能越稳定，检测弱无的能力越强。

3、光电流I L : 是指光敏二极管在受到一定光照时，在最高反向工作电压下产生的电流其测量的一般条件是: 2856K 钨丝光源，照度为l000lx。

4、光电灵敏度Sn：它是反映光敏二极管对光敏感程度的一个参数，用在每微瓦的入射光能量下所产生的光电流来表示，单位为μA/μW。

5、响应时间Tτ: 光敏二极管将光信号转化为电信号所需要的时间。

响应时间越短，说明光敏二极管的工作频率越高。

6、正向压降V F: 是指光敏二极管中通过一定的正向电流时，它两端产生的压降。

7、结电容C j: 指光敏二极管PN的电容。

C j是影响光电响应速度的主要因素结面积越小，结电容Cj也就越小，则工作频率越高
8、光谱范围和峰值波长:不同材料制作的光敏二极管有着不同的光谱特性，它反映了光敏二极管对不同波伏的光反应的灵敏度是不同的把光敏二极管反应最灵敏的波长，叫做该光敏二极管的峰值波长。

图中给出了硅和锗光敏二极管的光谱特性曲线。

国产的光敏二极管中最常用的有2CU型、2DU型、HPD型。

进口的有夏普SPD型、SBC型、BS型、PD 型等。

表1、表2、表3是部分国产光敏二极管主要参数。

表4是部分国外产光敏二极管的主要参数。

表1部分2CU型光敏二极管主要参数
表2部分2CU79、2CU80 光敏二极管主要参数
表3部分2DU 型光敏二极管主要参数
表4部分国外产光敏二极管主要参数
光敏二极管的种类很多，而且参数相差较大，选用时要根据电路的要求。

首先确定好选用什么类别的，再确定什么型号的，最后再从同型号中选用参数满足电路要求2DU硅光敏二极管的引脚有三个，即前极、后极和环极。

它们的接线方式及应用参考电路如图所示。

的光敏二极管。