10空（简答1 12空(简答2个、 10空(简答2个、 个、填空5个 填空8个、写方程 填空7个、计算1 、计算4个) 1个、计算1个) 个)
11空(填空8个 、写方程2个 、计算1个
(1)电子云、孤 (1)检验晶体 对电子数;(2)硅 方法； (2)
(1)硅原子能层 符号、轨道数、
(1) S8杂化方式； (2) O、S、Se原
27
4 2(d 1010 )3 N A
（3）求Al的空间利用率。
面心立方最密堆积
a 2 2r
V球
4
4 3
r 3
4r
V晶胞 a3 (2 2r)3 16 2r3
a
空间利用率=
V球 V晶胞
100%
4 4 r3
3 100% 16 2r3
=74%
体心立方堆积
b2 a2 a2
a
(4r)2 a2 b2 3a2
例1有关晶体的结构如图所示，下列说法中不正确的是
D
A．在NaCl晶体中，距Na+最近的Cl-形成正八面体
B．在CaF2晶体中，每个晶胞平均占有4个Ca2+ C .在金刚石晶体中，碳原子与碳碳键个数的比为1：2
D．该气态团簇分子的分子式为EF或FE
晶体中微粒的排列、个数及密度的计算
在氯化钠晶体中， 每个Na+周围与 之最接近且距离 相等的Cl-共有6 个；这几个Cl-在 空间构成的几何
a 4 r 3
b
空间利用率=
a
2 4 r3
3 a3
ห้องสมุดไป่ตู้
100%
2 4 r3
（
3 4
r）3
100%
3
3 100% 68%
8
例3硅 的某种单质的晶胞如下图所示。
GaN晶体与该硅晶体相似。则GaN晶体
中，每个Ga原子与 4 个N原子相连，
与同一个Ga原子相连的N原子构成的空
间结构为 正四面体形。若该硅晶体的密
度为ρg· cm-3，阿伏伽德罗常数值为NA， 则晶体中最近的两个硅原子之间的距离
为
cm(用代数式表示即可)
1、【答案】
（3）
3
（6）1∶3
[SiO3]
2nn
(或SiO32-)
4、【答案】 （5）①3 2 ②12 4
1、复习了用均摊法计算晶胞中微 粒个数。 2、复习了用密度公式和立体几何
的2个方程 ； (2)B电子排布 式、BN电负 性比较和化 合价；(3)BF3 键角、杂化
类型、立体 结构；(4) 六 方氮化硼键
型、层间作
用；(5)立方
个环、每环 胞中原子 硅酸硅原子杂化 因；（6）列式 氮化硼晶胞
1空0间空结左中共构右原 面，，子 原多有数 子数简、数有答涉和及配计计晶位算算胞密数。的度、每计年算几形比，乎式和偶都、化尔有原学有子式电共个子面数排原布计 、子、算微数轨晶粒、道胞间电、密距负键度性型或、含、电杂计原离化算子能类密个等型度数。、
知识计算晶胞的密度、晶胞参数、 微粒间距离、空间利用率、配位数。 3、复习了晶胞中微粒个数和键的 个数比以及原子晶体中原子共面。
完成了考纲要求：能根
据晶胞确定晶体的组成 并进行相关的计算。
能根据晶胞确定晶体
的组成并进行相关 的计算。
2011-2015年全国高考理综(Ⅰ)（物质结构选做37题）
年份
2015年
2014年
2013年
2012年
2011年
载体
碳单质及化合 物
AI、Cu、Fe 组成准晶粒
硅及化合物
ⅥA元素O、S、 硼砂生产BN
Se
、BF3流程
作答 量
11空（简答1个 、填空6个、计 算4个）
(1)写B2O3制 备BF3、BN
涉及 知识 点
形成共价原因 ；(3)CS2共价 键类型、杂化 类型、相同键 型和空间结构 分子；(4)由熔 沸点判断晶体
类型；(5)石墨 烯、金刚石1 个原子连几
铁未成对电 子数、电子 排布式、硫 氰化物颜色 ； (3)乙醛 中C杂化类 型、σ 键数
、氢键、晶 胞中原子 数；(4)晶
构型为 正八 面体
2020/5/13
例2 Al单质的晶体中原子的堆积方式如图甲所示，
其晶胞特征如图乙所示，原子之间相互位置关系的 平面图如图丙所示。若已知Al的原子半径为d pm， NA代表阿伏加德罗常数，Al的相对原子质量27。 通过计算确定
4 （1）一个晶胞中Al原子的数目。
（2）Al晶胞的密度表达式。
电子数;(2)硅在 地壳存在形式；
(3)硅晶体成键 类型、算面心 原子个数；(4)
写制硅烷方程 ;(5)由键能答硅 烷种类少于烷烃 、稳定性比甲烷 差原因；(6)多
子第一电离能大
小顺序；(3)Se原 子序数、M层电 子排布;(4)H2Se 与H2S酸性强弱 、 SeO3和SO32立体构型;（5） H2SeO3和H2SeO4 电离程度K1大于 K2原因、正亚硒 酸的酸性强弱原