UGS＝0V时，不能够工作在恒流区的场效应管有。
A、结型管B、增强型MOS管C、耗尽型MOS管D、NEMOS
B
UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有。
A、PEMOSB、增强型MOS管C、耗尽型MOS管D、NEMOS
C
UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有。
A、PEMOSB、增强型MOS管C、JFET D、NEMOS
C
场效应管用于放大时，应工作在（）区。
A、可变电阻B、夹断C、击穿D、恒流（饱和）
D
已知场效应管的转移特性曲线如图所示，则此场效应管的类型是（）。
A.增强型PMOS B.增强型NMOS C.耗尽型PMOS D.耗尽型NMOS
B
下面的电路符号代表（）管。
A、耗尽型PMOSB、耗尽型NMOS
C、增强型PMOSD、增强型NMOS
如图为场效应管放大电路的等效图，
（3分）
（2分）
（1分）
电路如图所示，已知场效应管的低频跨导为gm，试写出 、Ri和Ro的表达式。
解： 、Ri和Ro的表达式分别为
场效应管放大电路如图所示。
（1）画出电路的交流通路；
（2）画出电路的交流等效电路；
（3）若静态点处的跨导 =2mA/V，
试计算 、 、 。
√
场效应管放大电路的偏置电路可以采用自给偏压电路。（）
×
二、填空题
场效应管放大电路中，共＿＿极电路具有电压放大能力，输出电压与输入电压反相；共＿＿极电路输出电阻较小，输出电压与输入电压同相。
源，栅
场效应管是利用＿＿电压来控制＿＿电流大小的半导体器件。
VGS（栅源电压），ID（漏极）
场效应管是＿＿＿＿控制半导体器件，参与导电的载流子有＿＿＿＿种。
D
四、计算分析题
改正下图所示各电路中的错误，使它们有可能放大正弦波电压。要求保留电路的共漏接法。
解：（a）源极加电阻RS。
（b）漏极加电阻RD。
（c）输入端加耦合电容。
（d）在Rg支路加－VGG，＋VDD改为－VDD
改正电路如下图所示。
未画完的场效应管放大电路如图T1所示，试将合适的场效应管接入电路，使之能够正常放大。要求给出两种方案。
D
下图为（）管的转移曲线图。
A、耗尽型PMOSB、耗尽型NMOS
C、增强型PMOSD、增强型NMOS
B
当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将（）。
A、增大B、不变C、减小D、增大或者减小
A
UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管是（）。
A、结型管B、增强型MOS管C、耗尽型MOS管D、耗尽型FET都可能
√
开启电压是耗尽型场效应管的参数；夹断电压是增强型场效应管的参数。()
×
IDSS表示工作于饱和区的增强型场效应管在uGS=0时的漏极电流。()
×
结型场效应管外加的栅源电压应使栅源之间的PN结反偏，以保证场效应电路相比，场效应管放大电路具有输入电阻很高、噪声低、温度稳定性好等优点。（）
电压，1
当ugs=0时，漏源间存在导电沟道的称为＿＿＿＿型场效应管；漏源间不存在导电沟道的称为＿＿＿＿型场效应管。
耗尽型，增强型
场效应管具有输入电阻很＿＿＿＿、抗干扰能力＿＿＿＿等特点。
大，强
输出电压与输入电压反相的单管半导体三极管放大电路是＿＿＿＿。
共射（共源）
共源极放大电路的性能与半导体三极管的＿＿＿＿电路相似。
电路如图所示，设R=0.75kΩ，Rg1= Rg2= 240kΩ，Rs=4kΩ，场效应管的gm=11.3mS，rds=50kΩ，试求源极跟随器的源电压增益Avs、输人电阻Ri和输出电阻Ro。
（2分）
（4分）
（2分）
电路如图所示，设场效应管的参数为gm1=0.8mS，λ1=λ2= 0.01V-1。场效应管的静态工作电流ID= 0.2mA。试求该共源放大电路的电压增益。
（4）2.2M 电阻影响静态点吗？其作用是什么？
解：（1）
（2）
（3）
（4） 电阻不影响静态工作点。因栅极电流为0，其作用是为提高输入电阻。
电路如图所示，已知场效应管的低频跨导为gm，试写出 、Ri和Ro的表达式。
解： 、Ri和Ro的表达式分别为
五、设计题
解：
分析下图中电路是否有放大作用？并且提出改进方案。
a)可以放大。直流状态和交流状态均正常。
b)无放大作用。因N沟通MOS管的漏极电流应为 ,将 改为
c）无放大作用。因 ,直流工作状态不正常，应将 接在b极与 端
d）无放大作用。因对交流而言输入短路， 加不到e结上。应在b极和 间加电阻 .
已知共源极电路如图所示。其中，管子的 ＝0.7ms, ， 。
（1）求 和 ；
（2）求 ＝ 。
解：
（1）由等效电路图可得
=1000+ =1M
根据等效电路，利用求输出电阻的方法可得
（2）因 = =5 5=2.5K
所以 = =
10、场效应管电路如图所示，已知 ，场效应管的 试求该电路的交流输出电压uo的大小。
解：
（3分）
=-0.58mS*12k (1分)
v0=-0.58mS*12k* =-139.2mV(2分)
共射
共漏极放大电路的性能与半导体三极管的＿＿＿＿电路相似。
共集
图所示场效应管的转移特性曲线，由图可知，该管的类型是＿＿＿＿沟道＿＿＿＿MOS管。
耗尽型,N沟道
下图中的FET管处于＿＿＿＿工作状态。
截止
下图中的FET管工作于＿＿＿＿状态。
可变电阻区
下图中的FET管工作于＿＿＿＿状态。
饱和
三、单项选择题
第五章FET三极管及其放大管测验试题
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第五章FET三极管及其放大管
一、判断题
结型场效应管外加的栅源电压应使栅源之间的PN结反偏，以保证场效应管的输入电阻很大。（）。
√
场效应管放大电路和双极型三极管放大电路的小信号等效模型相同。（）
×
开启电压是耗尽型场效应管的参数；夹断电压是增强型场效应管的参数。（）
×
IDSS表示工作于饱和区的增强型场效应管在uGS=0时的漏极电流。（）
×
若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。（）前往
×
互补输出级应采用共集或共漏接法。()