P-MOSFET的功耗最大，这是由于其导通电 阻大的缘故。但它的功耗随工作频率的增加幅 度变化很小，说明P-MOSFET的开关损耗小， 故而更适用于高频参合。 GTO、GTR和IGBT低频时，功耗小，但它的 功耗随工作频率的增加，开关损耗急剧上升， 这就局限了它们的工作频率不可能高于PMOSFET。
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2）电流与电压的等级 GTO属于高压大电流器件，GTR、IGBT 和P-MOSFET的电压、电流容量次之。但 GTO的电流容量仍可增大，电压难以高于 1500V；P-MOSFET的耐压提高困难（导 通电阻随电压的升高而增大）； IGBT的电 压、电流容量高于GTR，且会有进一步的 提高。 3）功率损耗 随着工作频率的升高，功率损耗将占器件 总功率损耗的95％。
电力电子器件的比较： 1）输出功率
SCR的输出功率最大，但工作频率最低(1kHz)； GTO的输出功率次之，f工大于SCR; GTR的输出功率介于GTO和P-MOSFET，其工 作频率(5kHz)高于GTO，控制容易，耐压不高； P-MOSFET的工作频率最高，多用于10kW以下； IGBT的容量范围已超过GTR和P-MOSFET,是一 种趋于完善的新型器件。