习题:一．填空题1、半导体得导电能力与温度、光照强度、掺杂浓度与材料性质有关。

2、利用PN结击穿时得特性可制成稳压二极管,利用发光材料可制成发光二级管,利用PN结得光敏性可制成光敏(光电) 二级管。

3.在本征半导体中加入＿＿5价＿＿元素可形成N型半导体,加入＿3价＿元素可形成P型半导体。

N型半导体中得多子就是_自由电子_______;P型半导体中得多子就是___空穴____。

4、PN结外加正向电压时导通外加反向电压时截止这种特性称为PN结得单向导电性。

5、通常情况下硅材料二极管得正向导通电压为0、7v ,锗材料二极管得正向导通电压为0、2v 。

6、、理想二极管正向电阻为__0______,反向电阻为_______,这两种状态相当于一个___开关____。

7、、晶体管得三个工作区分别为放大区、截止区与饱与区。

8、、稳压二极管就是利用PN结得反向击穿特性特性制作得。

9、、三极管从结构上瞧可以分成 PNP 与 NPN 两种类型。

10、晶体三极管工作时有自由电子与空穴两种载流子参与导电,因此三极管又称为双极型晶体管。

11、设晶体管得压降U CE不变,基极电流为20μA时,集电极电流等于2mA,则β=__100__。

12、场效应管可分为绝缘栅效应管与结型两大类,目前广泛应用得绝缘栅效应管就是MOS管,按其工作方式分可分为耗尽型与增强型两大类,每一类中又分为N沟道与P沟道两种。

13、查阅电子器件手册,了解下列常用三极管得极限参数,并记录填写题表2-1在下表中题表2-1二.选择题1、杂质半导体中,多数载流子得浓度主要取决于 A 。

A、杂质浓度B、温度C、输入D、电压2、理想二极管加正向电压时可视为 B ,加反向电压时可视为＿＿A＿＿。

A、开路B、短路C、不能确定3、稳压管得稳压区就是二极管工作在＿＿D＿＿状态。

A、正向导通B、反向截止C、反向导通D、反向击穿4、当温度升高时,二极管得反向饱与电流将＿＿A＿＿。

A、增大B、不变C、减小5、工作在放大区得某晶体管,如果当I B从12μA增大到22μA时,I C从1mA变为2mA,那么它得β约为＿＿C＿＿。

A、83B、91C、1006、当场效应管得漏极直流电流I D 从２mA 变为４mA 时,它得低频跨导g m 将 C 。

A 、增大B 、不变C 、减小7、u GS ＝０时,能够工作在恒流区得场效应管有 A 与 C 。

A 、结型管B 、增强型MOS 管C 、耗尽型MOS 管8、场效应管属于__A____控制型器件,晶体三极管则属于___B___控制器件。

A 、电压B 、电流C 、电感D 、电容。

9、测得某放大电路中三极管各级电位分别为3v 、2、3v 、12v 则三极管三个电极分别 就是 C ,该管就是 EA 、(e b c)B 、(b c e)C 、(b e c )D 、(pnp)E 、(npn) 10、如题图2-1所示,二极管均为理想元件,则VD1、VD2、 VD3得工作状态为( A )。

A 、 VD1导通, VD2 、 VD3截止B 、 VD2导通, VD1 、 VD3截止C 、 VD3导通, VD1 、 VD2截止11、在题图2-2示电路中稳压管VDZ1得稳定电压为9V, VDZ2得稳定电压为15V,输出电压U O 等于( B )。

A.15V B.9V C.24V题图2-1 题图2-2 三、分析题1、 二极管电路如题图2-3所示。

已知直流电源电压为6V ,二极管直流管压降为0、7V 。

(1) 试求流过二极管得直流电流。

(2)二极管得等效直流电阻为多少？解:(1)流过二极管得直流电流也就就是题图2-3得回路电流,即 ==53mA(2) ==13、22. 二极管电路如题图2-4所示。

(1)设二极管为理想二极管,试问流过负载得电流为多少？(2)设二极管可瞧作就是恒压降二极管,并设二极管得导通电压V,试问流过负载得电流就是多少？ (3)将电源电压反接时,流过负载电阻得电流就是多少？解:(1)mA (2)mA (3)3. 二极管限幅电路如题图1、7(a)、(b)所示。

将二极管等效为恒压降模型,且U D(on)=0、7V 。

若u i＝5sin ωt(V),试画出u 0得波形。

//D 题图2-31题图2-4ER L 100题图2-5解:(1)在图(a)中:当u i＞一2、7V时,V管截止,u0＝一2V;当u i≤一2、7V时,V管导通,u0＝u i。

当u i＝5sinωt(V)时,对应得u0波形如图答图2-5(a)所示。

(2)在图(b)中:当u i＞1、3V时,V管截止,u0＝u i;当u i≤1、3V时,V管导通,u0＝2V。

其相应波形如答图2-5(b)所示。

答图2-54、电路如题图2-5所示,已知,,。

稳压管得稳定电压,稳定电流,最大稳定电流,求流过稳压管得电流。

如果断开,将会出现什么问题,得最大值为多少？题图2-6解:(1)(2) 若断开,则:==25mA>20mA,稳压管将因电流过大而被烧坏。

(3)==2K5、写出题图2-7所示各路得输出电压值,设二极管导通电压U D =0、7V。

题图2-7解: U01=1、3V, U02=0, U03=-1、3V,U04=2V, U05=1、3V, U06=-2V6、分别判断如题图2-7所示电路中得晶体管就是否有可能工作在放大状态？题图2-7解:(a)可能(b)可能(c)不可能(d)不可能(e)可能7、已知晶体管工作在线性放大区,并测得个电极对地电位如题图2-8所示。

试画出各晶体管得电路符号,确定每管得b、e、c极,并说明就是锗管还就是硅管。

解:0、7V8V0V(a)-0、7V-8V0V(b)4V1V3、7V(c)4V4、3V9V(d)题图2-8习题一、填空题1.晶体管工作在放大区时,具有发射结正偏、集电结反偏得特点。

2、晶体管工一、填空题1.晶体管工作在放大区时,具有发射结正偏、集电结反偏得特点。

2、晶体管工作在饱与区时,具有发射结正偏、集电结正偏得特点。

3、饱与失真与截止失真属于非线性失真 ,频率失真属于线性失真。

4、共集电极放大器又叫射极输出器,它得特点就是:输入电阻高 (高、低);输出电阻低 (高、低);电压放大倍数约为 1 。

5、多级放大器由输入级、____中间级_____ 与输出级组成;其耦合方式有__阻容耦合____与直接耦合、变压器耦合三种;集成运算放大器运用得就是直接耦合耦合方式。

6.三种最基本组态得放大器分别就是共基极放大电路、___共发射极_______与___共集电极。

其中输入电阻最大得就是共集电极电路,而输出电阻最小得就是共集电极电路。

7、多级放大电路得电压放大倍数为各级电压放大倍数得乘积。

输入电阻约等于第一级得输入电阻电阻,而输出电阻约等于输出级得输出电阻电阻。

8、多级放大器总得上限频率比其中任何一级得上限频率都要__低___(高/低),而下限频率比任何一级得下限频率都要___高____(高/低)。

9.若使放大器不产生频率失真,则要求其__高频__频率响应与__低频___频率响应均不产生失真。

10、晶体管得内部结电容与负载电容主要影响放大器得___高频__特性,而耦合电容与旁路电容主要影响放大器得__低频____特性。

二、选择题1、为了放大变化缓慢得微弱信号,放大电路应该采用( A )耦合方式;为了实现阻抗变换,放大电路应采用( C )耦合方式。

A、直接B、阻容C、变压器D、光电2、阻容耦合与直接耦合多级器之间得主要不同就是(A )。

A、所放大得信号不同B、交流通路不同C、直接通路不同3、、直接耦合多级放大电路与阻容耦合多级放大电路相比,低频特性(A )。

A、好B、差C、差不多4、具有相同参数与相同放大倍数得两级放大器,在组成它得各个单极放大器得截止频率处,总得电压放大倍数下降( A )。

A、3dBB、6dBC、9dBD、20dB5、多级放大电路与单极放大电路相比,总得通频带一定比它得任何一级都( D )。

A、大B、小C、宽D、窄6、当信号频率等于放大电路得或时,放大倍数得值约下降到中频时得( B )。

A、0、5倍B、0、7倍C、0、9倍7、放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降得原因就是(B ),而低频信号作用时放大倍数下降得原因就是(A )。

A、耦合电容与旁路电容存在B、半导体极间电容与分布电容得存在C、半导体管得非线性特性D、放大电路得静态工作点不合适8、u GS＝０时,能够工作在恒流区得场效应管有( A )与( C )。

A、结型管B、增强型MOS管C、耗尽型MOS管三.分析与计算题1、试判别题图3-1 所示各电路能否对正弦信号进行电压放大？为什么？各电容对电信号可视作短路。

(a) (b)(c) (d)(e) 题图3-1(f)解:图(a):因为输出信号被短路了,所以不能进行电压放大。

图(b):因为输入信号被短路了,所以不能进行电压放大。

图(c)中管子截止,电路不能正常放大。

应将R B改接在b极与地之间。

图(d):晶体管基极偏置为零,不能进行放大。

图(e)中会使e结烧坏且输入信号短路,因而电路不能正常放大,应在b极到Ucc之间接偏置电阻R B。

图(f)中电路可以正常放大。

2、、电路题图3-2所示,晶体管得,(1)求电路得Q点、、与。

(2)设,问、若开路则、题3-2图解:(1) Q 点:、与得分析:,, 。

(2)设U s = 10mV (有效值),则;若C3开路,则:,, 。

3.已知题图3-3(a)所示电路中场效应管得转移特性与输出特性分别如图(b)、(c)所示。

(1)利用图解法求解Q点;(2)利用等效电路法求解、与。

题图3-3(a) 题图3-3(b) 题3-3图(c)解:(1)在转移特性中作直线,与转移特性得交点即为Q点;读出坐标值,得出。

如下图所示。

(a) (b)在输出特性中作直流负载线,与得那条输出特性曲线得交点为Q 点,。

如解图(b)所示。

(2)首先画出交流等效电路(图略),然后进行动态分析。

; ;4、如题图3-4所示得电路就是能稳定静态工作点得射极偏置电路。

若已知:,,,,三极管为硅管,,欲使,题图3-5+u o题图3-6问基极上得偏置电阻应为多大？此时与各为多少？题图3-4解:根据直流通路可知:Ω=-=-=+==+=+========+-=+-=K U R U R U R U R R R U V U U U V R I U A I I mAR R U U I B B B B CC B CCB B B B BE E B E CQ E CQ BQ EC CE CC CQ 107.23*7.23*127.27.0221*24050/2/212612221212μβ5.电路如题图3-5所示。

设FET 参数为:mA,V 。

当时,判断场效应管就是处在恒流区还就是可变电阻区？,根据结型场效应管恒流区i D 与u GS 得关在假设条件下得出得结论就是U GD <U Gsoff ,说明靠近漏极处得沟道被夹断,管子进入恒流区。