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光电技术试题

光电技术试题————————————————————————————————作者:————————————————————————————————日期:命题人: 李阳 审核人: 试卷分类(A 卷或B 卷) A五邑大学 试 卷学期: 2012 至 2013 学年度 第 1 学期课程: 光电子技术 课程代号: 010A1860 使用班级: AP10221、AP10222 姓名: 学号:一、 单选题:(50分,每小题2分)请将正确的答案填入下表中:1、从光源的分类上分,汞灯属于:(B )(A )热辐射光源;(B )气体放电光源;(C )激光光源;(D )电致发光光源。

2、在辐射度学的基本物理量中,描述点辐射源的辐射功率在不同方向上分布的物理量是(C ) (A )辐射能; (B )辐射通量;(C )辐射强度;(D )辐射出射度。

3、从辐射通量与光通量之间的换算关系可知,1W=(A )lm. (A )683; (B )386; (C )836; (D )638。

4、绝对黑体的温度决定了它的辐射光谱分布,随着温度T 的升高,峰值波长 将(A )。

(A )向短波方向移动; (B )向长波方向移动; (C )不移动;(D )随机移动。

5、日光灯是一种低压汞灯,发出波长为( B )nm 紫外光源,再激发荧光粉发了可见光。

(A )283.7; (B )253.7; (C )353.7; (D )333.7。

6、激光器的构成一般由(A )组成。

(A )激励能源、谐振腔和工作物质 (B )固体激光器、液体激光器和气体激光器 (C )半导体材料、金属半导体材料和PN 结材料 (D ) 电子、载流子和光子7、热释电器件是由TGS 、LiTaO 3等热电晶体材料组成的,但不论哪种材料,都有一个特定温度,称居里温度。

只有( C )居里温度,材料才有自发极化性质。

题号 一 二 三 四 五 六 总分 得分题号 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 答案 题号 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 答案试卷编号得分m(A )等于; (B )高于; (C )低于; (D )不等于。

8、某种调制的特点是,其优点是容易实现,能对辐射的任何光谱成分进行调制;其缺点是:有运动部分,寿命较短,体积较大,调制频率不高。

这种调制是( D )(A )电光调制; (B )声光调制; (C )磁光调制; (D )机械调制。

9、电光调制是指在强电场作用下介质折射率改变而产生的光调制。

电光调制又分为横向运用和纵向运用。

( A )可以消除自然双折射而引起的相位差。

(A )横向运用; (B )纵向运用; (C )两种运用都; (D )两种运用都不。

10、当用斩波器调制入射光,使矩形光脉冲(周期小于ΔQ 的平均寿命)作用到热电晶体表面的黑吸收层上,交变的ΔT 使得晶体表面始终存在正比于入射光强的极化电荷。

这种现象称为(C )。

(A )热电导效应; (B )热压效应; (C )热释电效应; (D )光热效应。

11、在光电探测器的噪声中,有一种是功率谱大小与频率无关的噪声,通常称为白噪声。

下列噪声中,属于白噪声的是(A )。

(A )热噪声和散粒噪声; (B )产生-复合噪声和1/f 噪声; (C )产生-复合噪声; (D )1/f 噪声。

12、载流子因浓度不均匀而发生的定向运动称为扩散。

由于扩散的作用,流过单位面积的电流称为扩散电流密度,即: 从上两式可看出,扩散电流密度与正比于光生载流子的浓度( )。

(A )梯度; (B )散度; (C )旋度; (D )以上都不对。

13、掺有杂质的半导体在光照下,中性施主的束缚电子可以吸收光子而跃迁到导带,同样,中性受主的束缚空穴可以吸收光子而跃迁到价带,这种吸收称为( B ) 。

(A )本征吸收; (B )杂质吸收; (C )激子吸收 (D )晶格吸收。

14、无光照时,材料具有一定的电导,称为( );相应地,有光照时的电导称为( )。

亮电导与暗电导之差称为( )。

请选择正确的答案( A ) 。

(A )暗电导---亮电导---光电导; (B )亮电导---暗电导---光电导; (C )光电导---暗电导---亮电导; (D )暗电导---光电导---亮电导。

15、如图所示为结型光电器件的伏安特性曲线,若结型光电器件工作在( )象限时,称之为( )模式,相应的探测器件被称为( )。

请选择正确的答案( D )(A )第三---光伏工作---光敏二极管;(B )第四---光伏工作---光每二极管; (C )第三---光伏工作---光电池; (D )第四---光伏工作---光电池。

16、 “光电二极管与光电池相比较,其特性有所不同,下列的说法不不正确的是( A )。

(A )它们的掺杂浓度不同,光电池掺杂浓度较低,而光电二极管掺杂浓度高; (B )它们的电阻率不同,光电池的电阻率低;(C )工作电压偏置条件不同,光电池通常在零偏置下工作,而硅光电二极管通常在反向偏置下工作; (D )它们的光电流的大小不同,硅光电二极管的光电流小得多,通常在微安级。

dxdnJ nD nqD =dx dp J pD p qD -=17、光生伏特效应是指当半导体PN结受光照射时,光子在( D )激发出电子-空穴对,在自建电场的作用下,电子流向N区,空穴流向P区,使P区和N区两端产生电位差,P端为正,N端为负。

(A)P区;(B)N区;(C)中间区;(D)结区。

18、对于光电发射效应,下列说法不正确的是( D )。

(A)光电发射效应,又称外光电效应;(B)金属光电发射量子效率都很低,且大多数金属的光谱响应都在紫外或远紫外区;(C)半导体光电发射的量子效率远高于金属:光电发射的过程是体积效应,表面能带弯曲降低了电子逸出功,特别是负电子亲和势材料(NEA);(D)良好的光电发射体,应该具备的基本条件之一是表面势垒高。

19、使光学图像变成视频信号的器件叫摄像器件,包括摄像管、电荷耦合器件、CMOS图像传感器。

而摄像管其实就是一个能够输出视频信号的( B )。

(A)光敏电阻;(B)真空光电管;(C)发光二极管;(D)光电二极管。

20、以下关于CMOS图像传感系统的描述不正确的是( D )。

(A)CMOS图像传感器的像元结构包括无源像素(PPS)结构和有源像素(APS)结构;(B)CMOS摄像器件集成能力强、体积小、工作电压单一、功耗低、动态范围宽、抗辐射和制造成本低;(C)CMOS摄像器件需进一步提高器件的信噪比和灵敏度;(D)难与驱动电路及信号处理电路单片集成,需要使用相对高的工作电压,制造成本比较高。

21、CCD 的基本功能是信号(C )的产生、存储、传输和检测。

(A)载流子;(B)电子;(C)电荷;(D)声子。

22、电荷耦合器件CCD,一般分为线阵和面阵两种。

以2048像元的双列两相线阵CCD为例,其结构主要由光敏区、( D )和移位寄存器组成。

(A)光敏栅;(B)光电栅;(C)控制栅;(D)转移栅。

23、超扭曲向列型液晶器件(STN-LCD),液晶盒中的液晶分子从上到下扭曲的角度为( D )。

(A)60°;(B)90°;(C)180;(D)180°~270°。

24、有源矩阵液晶显示器件AM-LCD是在每一个像素上设计一个非线性的有源器件TFT即( D ),使每个像素可以被独立驱动,克服交叉效应,可以提高液晶的分辨率和实现多灰度级显示。

(A)结型晶体管;(B)栅型晶体管;(C)薄膜二极管;(D)薄膜晶体管。

25、液晶分子排列整齐,分子能在层内滑动,但不能在上下层之间移动。

材料表现出粘度和表面张力都比较大,对外界电、磁、温度等的变化不敏感。

这种液晶属于( A )。

(A)近晶相;(B)向列相;(C)胆甾相;(D)混合相。

二、(本题10分)现用一束波长为1.06μm 的激光通过KDP 晶体做横向电光调制实验,已知KDP 负单轴晶体的O 光折射率 ,其光电系数 。

倘若半波电压值为14.5 V ,晶体通光长度为0.05m ,试求晶体的厚度至少为多少?三、 (本题10分)一只白炽灯,假设各向发光均匀,悬挂在离地面1.5米的高处,用照度计测得正下方地面的照度为30 lx ,试求此灯的光通量。

四、 (本题10分)一束波长为635nm 、功率为3mW 的单色光,其光通量为多少?倘若该光束由一个小的面光源发射出来,发光面的直径为1 mm ,发散角为1 mrad ,并且人眼只能观看1 cd/cm 2的亮度,试求所戴保护眼镜的透过率应为多少?(已知635nm 的明视觉光谱光视效率为 )得分 51.10=n 2263106.10-⨯=γ320632dU n Lλλγ=⋅得分得分25.0)(=λV五、 (本题10分)在T=300K (室温)时,硅光电池2CR21(光敏面积为5mm ×5mm ),在辐射度L 1=100mW/cm2下测得U OC1=550mV ,I SC1=6Ma,考虑I Φ>>I 0,试求同样温度下,辐照度L 2=50mW/cm 2时的U OC2,I SC2各为多少?六、 (本题10分)现有一GDB-423型光电倍增管的光电阴极面积为2cm 2,阴极灵敏度S K 为25 μA/ lm,倍增系统的放大倍数为105,阳极额定电流为20μA ,求允许的最大光照?得分得分。

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