第二章三极管练习题
一、填空题：
1．晶体管工作在饱和区时发射结偏；集电结偏。

2．三极管按结构分为_ 和两种类型，均具有两个PN结，即______和______。

3.三极管是___________控制器件，场效应管是控制器件。

4.晶体管放大电路的性能指标分析，主要采用等效电路分析法。

5.放大电路中，测得三极管三个电极电位为U1=,U2=,U3=15V，则该管是______类型管子，其中_____极为集电极。

6.场效应管输出特性曲线的三个区域是________、___________和__________。

7．三极管的发射结和集电结都正向偏置或反向偏置时，三极管的工作状态分别是__ __和______。

8．场效应管同三极管相比其输入电阻_________，热稳定性________。

9.采用微变等效电路法对放大电路进行动态分析时，输入信号必须是________的信号。

10.三极管有放大作用的外部条件是发射结________，集电结______。

11.在正常工作范围内，场效应管极无电流
12．三极管按结构分为______和______两种类型，均具有两个PN结，即___________和_________。

13.晶体三极管是一种＿＿＿控制＿＿＿器件，而场效应管是一种＿＿＿控制＿＿＿器件。

14．若一晶体三极管在发射结加上反向偏置电压，在集电结上也加上反向偏置电压，则这个晶体三极管处于＿＿＿＿＿＿状态。

15．作放大作用时，场效应管应工作在＿＿＿＿(截止区，饱和区，可变电阻区)。

16．晶体三极管用于放大时，应使发射极处于＿＿偏置，集电极处于＿＿偏置。

二、选择题：
1.有万用表测得PNP晶体管三个电极的电位分别是V C=6V，V B=，V E=1V则晶体管工作在（）状态。

A、放大
B、截止
C、饱和
D、损坏
2、三级管开作在放大区，要求（）
A、发射结正偏，集电结正偏
B、发射结正偏，集电结反偏
C、发射结反偏，集电结正偏
D、发射结反偏，集电结反偏
3、在放大电路中，场效应管应工作在漏极特性的哪个区域（）
A 可变线性区
B 截止区
C 饱合区D击穿区
4.一NPN型三极管三极电位分别有V C=，V E=3V，V B=，则该管工作在（）
A．饱和区B．截止区
C．放大区D．击穿区
5.三极管参数为P CM=800mW, I CM=100mA, U BR(CEO)=30V,在下列几种情况中，（）属于正常工作。

A．U CE=15V，I C=150 mA B．U CE=20V，I C=80 mA
C．U CE=35V，I C=100 mA D．U CE=10V，I C=50mA
6.下列三极管各个极的电位，处于放大状态的三极管是（）
A V C=，V E=0V，V B=
B V C=-4V，V E=，V B=
C V C =6V ， V E =0V ， V B =-3V
D V C =2V ， V
E =2V ， V B = 7.如果三极管工作在截止区，两个PN 结状态（ ）
A ．均为正偏
B ．均为反偏
C ．发射结正偏，集电结反偏
D ．发射结反偏，集电结正偏 8.场效应管工作在恒流区即放大状态时，漏极电流ID 主要取决于（ ） A 、栅极电流 B 、栅源电压 C 、漏源电压 D 、栅漏电压。

9.场效应管是一种（ ）器件
A 、电压控制 双极型
B 、电压控制 单极型
C 、、电流控制 双极型
D 、电流控制 单极型、 10. 有万用表测得PNP 晶体管三个电极的电位分别是V C =6V ，V B =，V
E =1V 则晶体管工作在（ ）状态。

A 、 放大
B 、截止
C 、饱和
D 、损坏
11、工作在放大区的某三极管，如果当IB 从12μA 增大到22μA 时，
IC
从1mA
变为2mA ，那么它的β约为( ) 。

A. 83
B. 91
C. 100
12、工作于放大状态的PNP 管，各电极必须满足（ ）
A ．ＵC > U
B > UE B 。

ＵC< UB < UE
C 。

UB >ＵC > UE
D 。

ＵC > U
E > UB 13．下列场效应管，哪一个是耗尽型NMOS 管 （ ）
A ．
B 。

C 。

D 。

14、UGS ＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有( ) 。

A. 结型管 B. 增强型MOS 管 C. 耗尽型MOS 管 三、判断题 1、
判断图示三极管的工作状态。

2、 判断图示电路对交流信号有无放大作用。

若无放大作用，请予改正。

3、如图示，试判断工作在饱和状态的管子（ ）。

3V
2V
6V
(c)
5V
0V
(a)
-5V
(b)
3V
(d)
＋V
CC
u o u i R C
R B
C 1
C 2
V。

。

。

(a) 。

＋V CC
u o u i R C R B
C 1
C 2
V。

。

+
+
+
-8V
+
+5V
+
(a) + -3V
(b) +
+4V (c) +5V
0V (d)
4.工作在放大区的三极管，集电结正偏。

5.晶体三极管的C 、E 可以交换使用。

6．三极管是电压放大元件。

7．处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成
8、若耗尽型N 沟道MOS 管的U GS 大于零，则其输入电阻会明显变小。

9、绝缘栅型场效应管是利用改变栅源电压来改变导电沟道宽窄的 。

10、三极管按结构分为硅型和锗型三极管。

11、如图示，试判断工作在放大状态的管子（ ）。

四、识别题
1、用万用表测的放大电路中某个三极管两个电极的电流值如图. （1）求另一个电极的电流大小，在图上标出实际方向 （2）判断是PNP 还是NPN 管 （3）图上标出管子的极 （4）估算管子的ß值.
2、某晶体三极管的极限参数为：V（BR）CEO=25V，I CM=130mA，P CM=130mW，
问在以下工作条件中，哪些是允许的哪些是不允许的为什么
⑴I C=2mA，V CE=10V ⑵I C=20mA，V CE=10V
⑶I C=130mA，V CE=3V ⑷I C=40mA，V CE=50V
3、处在放大状态的某三极管各电极对地电位分别为V A= —6V，V B= ，V C= 5V，试分析：⑴A、B、C 三电极的名称是什么⑵该三极管为何种材料，属哪种类型
4、在晶体管放大电路中，当I B=10μA时，I C=；当I B=20μA时，I C=2mA，求：β、I CBO、I CEO
5、已知某场效应管的输出特性曲线如图所示，试判断：
（1）该场效应管的类型（6分）
或开户电压V GS(th)大约是多少（6分）
（2）它的夹断电压V GS
（off）
（3）若是耗尽型它的I DSS
-i
-V DS/V。