《模拟电子技术》习题册学号姓名班级《二极管》练习1一、填空题1、在本征半导体中加入( )元素可形成N型半导体，加入（）元素可形成P 型半导体。

2、N型半导体中多数载流子是（），P型半导体中多数载流子是（）。

3、PN结上外加电源，其（）极接P区，（）极接N区，这种接法称为正向偏置，简称正偏。

4、多子的运动称为（）运动，少子的运动称为（）运动。

5、给PN结外加正向电压，产生外电场，会（）内电场，打破PN结动态平衡，一方面促进（）的运动，另一方面抑制（）的运动，从而形成较大的正向电流。

6、二极管具有（）特性。

7、按照半导体材料的不同，二极管可以分为（）和（）二极管。

二、简答题1、请问温度影响P型半导体（或N型半导体）多子的浓度吗？2、如何用万用表判断二极管的极性？三、选择题1、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（）。

A. 增大B. 不变C. 减小四、在下图所示电路中，发光二极管导通电压UD＝1.5V，正向电流在5～15mA 时才能正常工作。

试问：（1）开关S在什么位置时发光二极管才能发光？（2）R的取值范围是多少？《二极管》练习2一、填空题1、稳压管工作在( )区。

二、分析下图所示各电路，写出其输出电压值，设二极管导通压降为0.7V。

三、电路如下图所示，已知u i＝10sinωt(v)，试画出u O的波形（设二极管为理想二极管）。

四、电路如下图所示，已知ui＝5sinωt (V)，二极管导通压降为0.7V，试画出ui 与u O的波形。

《二极管》、《三极管》强化练习一、选择题1、本征半导体温度升高以后，（）。

A自由电子增多空穴数基本不变B空穴数增多自由电子数基本不变C自由电子和空穴数都增多数目相同D自由电子和空穴数都不变2、空间电荷区是由（）构成的。

A电子B空穴C离子D分子3、二极管电路如下图所示，设二极管是理想二极管，求出AO两端的电压（）。

A 12B —12C 15D 04、测得电路中NPN型硅管的各级电位如图所示，试分析管子的工作状态。

（）A截止B饱和C放大二、分析题1、如图所示电路中D为理想元件，已知u i = 5sinωt V ，试对应u i画出u o的波形图。

（该题为中南大学考试题）2、如图所示，各三极管β均为50，V U BE 7.0=，试判断它们各工作在哪个区。

(提示：有个别题需要定量分析！)《三极管放大电路》练习11、在下图所示电路中，已知V C C ＝12V ，晶体管的β＝100，'b R ＝100k Ω。

(填空要求：先填文字表达式后填得数。

)（1）当iU ＝0V 时，测得U B E Q ＝0.7V ，若要基极电流I B Q ＝20μA ， 则'b R 和R W 之和R b ＝≈ k Ω；而若测得U C E Q ＝6V ，则R c ＝ ≈ k Ω。

（2）若测得输入电压有效值i U =5mV 时，输出电压有效值'o U ＝0.6V ， 则电压放大倍数uA ＝ ≈ 。

若负载电阻R L 值与R C 相等 ，则带上负载 后输出电压有效值o U ＝ ＝ V 。

2、在下图所示电路中，已知晶体管的β＝80，r b e ＝1k Ω，iU ＝20mV ；静态时U B E Q ＝0.7V ，U C E Q ＝4V ，I B Q ＝20μA 。

判断下列结论是否正确，凡对的在括号内打“√”，否则打“×”。

（1）200102043-=⨯-=-uA （ ） （2）71.57.04-≈-=uA （ ） （3）4001580-=⨯-=u A （ ） （4）20015.280-=⨯-=uA （ ） （5）Ω=Ω=k 1k )2020(i R （ ） （6） Ω=Ω=k 35k )02.07.0(i R （ ）（7）Ω≈k 3i R （ ） （8）Ω≈k 1i R （ ）（9）Ω≈k 5o R （ ） （10）Ω≈k 5.2o R （ ）（11）s U ≈20mV ( ) （12）sU ≈60mV ( )3、在上图所示电路中，由于电路参数不同，在信号源电压为正弦波时，测得输出波形如下图（a ）、（b ）、（c ）所示，试说明电路分别产生了什么失真，如何消除。

《三极管放大电路》练习2一、现有基本放大电路如下： A.共射电路 B.共集电路 C.共基电路（1）输入电阻最小的电路是，最大的是；（2）输出电阻最小的电路是；（3）有电压放大作用的电路是；（4）有电流放大作用的电路是；（5）高频特性最好的电路是；（6）输入电压与输出电压同相的电路是；反相的电路是。

二、指出下图所示各电路中的错误，使它们有可能放大正弦波信号。

要求保留电路原来的共射接法。

三、在下图所示电路中，设某一参数变化时其余参数不变，在表中填入①增大②减小或③基本不变。

r=300Ω。

四、电路如下图所示，晶体管的 ＝100，'bbA 、R i和R o；（1）求电路的Q点、u（2）若电容C e开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？《多级放大电路》练习一、选择1、在三种常见的耦合方式中，静态工作点独立，体积较小是（ ）的优点。

A ）阻容耦合 B) 变压器耦合 C ）直接耦合2、直接耦合放大电路的放大倍数越大，在输出端出现的漂移电压就越（ ）。

A) 大 B) 小 C) 和放大倍数无关3、在集成电路中，采用差动放大电路的主要目的是为了（ ）A) 提高输入电阻 B) 减小输出电阻 C) 抑制零点漂移 D) 提高放大倍数 4、两个相同的单级共射放大电路，空载时电压放大倍数均为30，现将它们级连后组成一个两级放大电路，则总的电压放大倍数（ ）A) 等于60 B) 等于900 C) 小于900 D) 大于900 二、填空1、三级放大电路中，已知1230u u A A dB ==，320u A dB =，则总的电压增益为 dB ，折合为 倍。

2、在集成电路中，由于制造大容量的 较困难，所以大多采用 的耦合方式。

3、多级放大器的总放大倍数为 ，总相移为 ， 输入电阻为 ，输出电阻为 。

4、在多级放大电路中，后级的输入电阻是前级的 ，而前级的输出电阻也可看作后级的 ，因此一个多级放大器一般由多个单级电路组成，分析时可化为求 的问题，但要考虑 之间的影响。

三、计算：1、如图，设12C E V =，晶体管50β=，300bb r Ω'=，11100b R k Ω=，2139b R k Ω=，16c R k Ω=，1 3.9e R k Ω=，1239b R k Ω=，2224b R k Ω=，23c R k Ω=，2 2.2e R k Ω=，3L R k Ω=，请计算u A 、i r 和o r 。

（提示：先求静态工作点EQ I ，再求be r ）《场效应管》练习一、填空题1、场效应管又称( )极型晶体管，是( )控制型器件。

2、场效应管有三个电极即：( )极、( )极、( )极。

3、结型场效应管有两种即( )结型场效应管与( )结型场效应管。

4、结型场效应管的转移特性曲线是指在一定的( )下，( )和( )之间的关系。

5、结型场应管的输出特性曲线是指在一定的( )下，( )和( )之间的关系。

6、场效应管的输出特性曲线可分为三个区即( )区、( )区和( )区。

7、绝缘栅型场效应管简称( )管。

可分为增强型和( )型。

8、焊接场子效应管时，电烙铁必须( )或( )；焊接时，一般应先焊( ) 极，再焊( )极，最后焊( )极。

9、存放绝缘栅型场效应管时要将（）以防感应电动势使栅极击穿。

二、判断正误（正确的打“√”，错误的打“×”）1、场效应管也称单极性晶体管。

（）2、N沟道MOS管与NPN型晶体管工作原理相同。

（）3、场效应管是电流控制型器件。

（）4、结型场效应管可分为增强型与耗尽型两种。

（）5、场效应管的跨导反映了△VGS对△ID的控制能力。

（）6、开户电压VT是耗尽型场效应管和重要参数。

（）7、场效应管的输出特性曲线有可调电阻区、放大区和饱和区。

（）三、简答题1、结型场效应管的特性用哪两种曲线表示？以N沟道结型场效应管为例画出它们的示意图。

2、已知结型场效应管△VGS =0.1V，gm=100μA。

求△ID。

3、结型场效应管的漏极与源极能否互换？为什么？4、已知某场效应管的输出特性曲线如图所示，试判断：（1）该场效应管的类型？（2）它的夹断电压VGS（off）或开户电压VGS(th)大约是多少？（3）若是耗尽型它的IDSS大约是多少？《三极管和场效应管》综合练习一、单选题1. 场效应管本质上是一个（ ）。

A 、电流控制电流源器件B 、电流控制电压源器件C 、电压控制电流源器件D 、电压控制电压源器件2. 放大电路如图所示，已知硅三极管的50=β，则该电路中三极管的工作状态为（ ）。

A. 截止B. 饱和C. 放大D. 无法确定3. 放大电路如图所示，已知三极管的05=β，则该电路中三极管的工作状态为（ ）。

A. 截止B. 饱和C. 放大D. 无法确定4. 已知场效应管的转移特性曲线如图所示，则此场效应管的类型是（ ）。

A. 增强型PMOSB. 增强型NMOSC. 耗尽型PMOSD. 耗尽型NMOS5. 硅三极管放大电路中，静态时测得集-射极之间直流电压U CE =0.3V ，则此时三极管工作于（ ） 状态。

A. 饱和B. 截止C. 放大D. 无法确定6. 三极管当发射结和集电结都正偏时工作于（ ）状态。

A. 放大B. 截止C. 饱和D. 无法确定二、判断题1.对三极管电路进行直流分析时，可将三极管用H参数小信号模型替代。

（）2.分析三极管低频小信号放大电路时，可采用微变等效电路分析法把非线性器件等效为线性器件，从而简化计算。

（）3.三极管的输出特性曲线随温度升高而上移，且间距随温度升高而减小。

（）4.三极管放大电路中的耦合电容在直流分析时可视为短路，交流分析时可视为开路。

（）5.三极管的C、E两个区所用半导体材料相同，因此，可将三极管的C、E两个电极互换使用。

（）6.开启电压是耗尽型场效应管的参数；夹断电压是增强型场效应管的参数。

（）7. I DSS表示工作于饱和区的增强型场效应管在u GS=0时的漏极电流。

（）8.双极型三极管由两个PN结构成，因此可以用两个二极管背靠背相连构成一个三极管。

（）9.双极型三极管和场效应管都利用输入电流的变化控制输出电流的变化而起到放大作用。

（）10.场效应管放大电路和双极型三极管放大电路的小信号等效模型相同。

（）三、填空题1.工作在放大区的一个三极管，如果基极电流从10微安变化到22微安时，集电极电流从1毫安变为2.1毫安，则该三极管的β约为；α约为。

2.当u gs=0时，漏源间存在导电沟道的称为型场效应管；漏源间不存在导电沟道的称为型场效应管。