电子科技大学微电子与固体电子学院
标准实验报告（实验）课程名称：微电子工艺实验
电子科技大学教务处制表
电子科技大学
实验报告
学生姓名：学号：班级
指导教师：王姝娅、钟志亲、戴丽萍、王刚
实验地点：微固搂2搂IC实验室、IC测量室、3搂机房实验时间：
一、实验室名称功率半导体器件实验室、集成电路测量分析实验室、微固体学院机房
二、实验项目名称：
三、实验学时：32
四、实验原理：
五、实验目的：
1 熟悉半导体工艺的一般步骤。

2 掌握半导体工艺各个步骤的要求。

会计算方块电阻。

3 牢记温度控制、溶液配比要求。

六、实验内容：
1熟悉实验步骤和参数要求。

2 跟据实验原理和实验步骤进行实验操作。

七、实验器材（设备、元器件）：
八、实验步骤：
九、总结及心得体会：
十、实验建议
十一、思考题：
1 怎样计算结深？
2 一扩散炉斜坡式升温（从600℃开始）15分钟，在1100℃下保温30分钟，然后在15分钟内斜坡式降温到600℃。

计算有效扩散时间。

假定是硅中的磷。

3 试说明提高光刻精度的方法？
4（100）硅片上有若干掺磷的小岛，其表面掺磷浓度为6×cm3
22
10 。

硅片在900℃下在湿氧中氧化60分钟，分别计算在掺杂区和未掺杂区的氧化层厚度。

5 试说明方块电阻与掺杂剂量或注入剂量之间的关系，并由此进一步说明方块电阻的定义。

报告评分：
指导教师签字：。