P% = (4.3-3.5)/(4.3-2.11) (6.69-3.5)/(6.69-0.77) = 19.7%
.
.
4. 再结晶晶粒尺寸 d=常数[G/ N ]1/4，其中，G 为生长率， N 为形核率。
影响 d 值的几个主要因素:(1)预先变形 (2)退火温度 (3)原始晶粒尺寸 (4)杂质 (5)
2001 年《材料科学基础》参考答案
D1
C1
A1
B1
D
C
A
B



1 1 1 1.{111}=(111)+( 11)+(1 1)+(11 )
↓↓↓↓
ACD1 A1BD C1BD A1C1B
d= 3 a/3
2.τ=Gb/L=2.85 104G
3.α+Fe3C ； α% =（6.69-3.5）/（6.69-0.0218）= 47.8% Fe3C% = 1-47.8% = 52.2% Ld% = (3.5-2.11)/(4.3-2.11) = 63.5%
分子轨道的能级低于原于轨道的称为成键轨道，高于原子轨道的称为反键轨道，等于原
于轨道的称为非键轨道。
原子间核外电子愈多，形成的分子轨道就愈多。形成的分子轨道愈多，形成的分子的结
合键不一定愈强。
7.（1）复合强化一般认为的是由于弥散强化、细晶强化和加工硬化的综合作用所致。 （2）晶界结构比晶内松散，具有一定的表面效应，溶质原子处在晶内的能量比处在晶界 的能量要高，所以溶质原子有自发向晶界偏聚的的趋势，这就会发生晶界偏析。 （3）受循环应力的作用下发生断裂失效，就是所谓材料的应变疲劳。 （4）晶体中的原子进行扩散时不论按间隙机制还是按空位机制进行，首先均需得到为克 服能垒所必须的额外能量，才能实现原子从一个平衡位置到另一个平衡位置的基本跃迁， 这部分能量统称为扩散激活能，一般以 Q 表示。
值为 1。低应力低温度时，主要是晶界扩散的蠕变形式；而低应力高温度时，主要是品内
扩散的蠕变形式。当蠕变应力较大，蠕变温度较低时，蠕变主要以位错蠕变的机制进行，
应力指数值为 3—4。在 800℃的实验温度下，金属材料 n 值在 1 左右，陶瓷材料的 n 值在
3-4 左右。 6. 分子中单电子波函数ψi 称为分子轨道。
形变温量下， N /G 可达一极小值，此时可以达到最大的晶粒。
5. 蠕变应力指数 n 的值反应了材料的蠕变机制，n 会随实验温度变化。蛹变的机制可分为
扩散蠕变和位错蠕变两种。在扩散蠕变机制中，n 等于 1。位错蠕变时，应力指数 n 应该等
于 3。当蠕变的应力较小，蠕变温度较高时，蠕变主要以扩散蠕变的机制进行，应力指数