GENESIS2000制作資料步驟清單一．鑽孔的制作：
1.去重復孔
2.校正鑽孔
3.定義VIA孔屬性
4.孔徑補償
5.短槽孔制作
6.BGA分刀
7.CPU跳鑽制作（當此板無插件式CPU時可省略此步驟）
8.對雙面開窗的VIA孔進行處理
9.鑽孔總測
10.COPY AOI-NPTH層(特別注意孔數是否同DD中相符)
11.機器比對原稿(公差設5mil)
二．內層負片的制作
1.去除成型線以外的物件
2.優化正負片資料（若客戶設計隔離線非正負片疊加而成，可省略此步驟）
3.去除比鑽孔小的蜘蛛PAD
4.將指示分層的字母加大1MIL制作
5.放大隔離PAD
6.檢測隔離PAD放大的結果
7.補細絲
8.看導通寬度
9.成型削銅
10.總測
11.比對原稿
12.測網絡
13.機器比對原稿
三. 內層正片無線路的制作
1.去除成型線以外的物件
2.去重復PAD
3.去獨立PAD
4.換銅面
5.套隔離
6.檢測銅皮的寬度
7.放大PAD的Ring邊，補償線寬,將指示分層字母加大1mil制作
8.將銅面分別移回相應內層中(移回時不改極性)
9.成型削銅
10.總測
11.比對原稿
12.測網絡
13.機器比對原稿
四. 內層正片有線路的制作
1.去除成型線以外的物件
2.去重復PAD
3.去獨立PAD
4.換銅面
5.套隔離
6.放大PAD的Ring邊，補償線寬，加淚滴
7.套銅面
8.檢測銅皮的寬度
9.將銅面分別移回相應內層中(移回時不改極性)
10.削PAD
11.成型削銅
12.總測
13.比對原稿
14.測網絡
15.機器比對原稿
五. 外層制作
1.去除成型線以外的物件
2.分析資料
3.去NPTH孔上的PAD
4.換PAD
5.換銅面
6.定義SMD屬性
7.PAD的補償
8. 放大PAD的Ring邊
9. 檢測PAD的Ring邊放大的結果
10. 線寬的補償（當資料間距較小需用蝕刻補償制作時，此時可補最小線寬）
11. 套銅面（注意處理銅皮寬度是否有做到5mil以上）
12. 將銅面COPY至相應的線路層
13. 削間距，看IC縮線
14.加淚滴，補針孔
15.蝕刻補線（若前面補線已符合要求達到最佳值時可省略此步驟）
16.獨立線的加補
17.成型削銅的處理
18.檢測PTH孔上的PAD間距是否有6MIL以上
19.加UL MARK（若UL MARK需以文字方式添加可省略此步驟）
20.總測
21.比對原稿
22.測網絡
23.機器比對原稿
六. 防焊制作
1. 刪除工作稿M1及M4層中的資料
2.手動制作M1及M4
3.挑pad的狀態
4.挑ON PAD的狀態
5.削防焊PAD間的間距
6.削BGA pad的間距
7.防焊爆油的檢測
8.防焊VIA孔單面開窗的處理
9.比對原稿
10.總測
11.機器比對原稿
七. 擋點的制作
1.按要求挑擋點的狀態
2.削擋點的間距
3.擋點的檢測
4.檢查
八.文字制作
1.去除成型線以外的物件
2.查看文字的線寬是否在5mil以上，不足的要加寬至5MIL.
3.加大文字框
4.移文字，看是否有鏡象字體
5.用防焊反套文字
6.加廠內料號及UL MARK
7.比對原稿
8.總測
9.加模序號。