2021/3/14
硅材料相关知识及M156硅片检验标准
拉制硅棒(单晶)
2021/3/14
硅材料相关知识及M156硅片检验标准
单晶硅生长
2021/3/14
硅材料相关知识及M156硅片检验标准
单晶硅生长
2021/3/14
硅材料相关知识及M156硅片检验标准
拉制硅棒:单晶硅生长过程照 片。（a）～（b）熔硅；（c）引晶；（d）细颈；（e）f放
三.多晶硅锭浇注
2021/3/14
硅材料相关知识及M156硅片检验标准
三.多晶硅片切割
2021/3/14
硅材料相关知识及M156硅片检验标准
四.多晶硅片检验
2021/3/14
硅材料相关知识及M156硅片检验标准
四.硅片检验
2021/3/14
硅材料相关知识及M156硅片检验标准
四.硅片检验
2021/3/14
多晶硅料
多晶硅使用前应检查外观、电阻率、碳和氧的含量 （≤1016/cm3）。多晶硅的外观应呈银灰色，不允许 存在夹层、发黑、氧化、指纹和沾污的痕迹。一般情 况下，多晶硅块料使用前还应用1：5的HF：HNO3混 合液进行腐蚀，再用高纯水清洗，烘干后使用。但是 最好的方法是在多晶硅从沉积炉中取出后，以硅块互 相敲击破碎（不允许使用其他材料的工具），然后直 接装入坩埚，这样可以免除一次酸洗，既防止杂质污 染硅材料，又有利于环境保护，同时降低工艺成本。
肩；（g）等径生长
2021/3/14
硅材料相关知识及M156硅片检验标准
单晶硅生长
拉晶过程可以分为以下几个阶段：
1. 熔硅。在熔硅阶段坩埚位置的调节很重要。开始坩 埚位置较高，可以使坩埚口与加热器的顶部对齐，这 样可以使坩埚底部的多晶硅料先熔化。然后再将坩埚 逐渐降至拉晶的正常位置。熔硅过程不宜太长，熔硅 时间长，熔硅中掺入杂质的挥发量大，坩埚熔蚀也严 重。熔硅过程中应注意防止熔硅溅出或粘附在液面以 上的坩埚壁上。
硅材料相关知识及M156硅片检验标准
一.晶体硅产业链相关知识
2021/3/14
硅材料相关知识及M156硅片检验标准
一.晶体硅产业链相关知识
2021/3/14
硅材料相知识及M156硅片检验标准
二.单晶硅棒拉制及切片
多晶硅料
2021/3/14
硅材料相关知识及M156硅片检验标准
二.单晶硅棒拉制及切片
4. 放肩。根据收颈时的温度变化，将温度降低15℃～ 40℃，并将拉速调至0.4mm/min。随时观测直径，保 持温度稳定，尽可能长成平
2021/3/14
硅材料相关知识及M156硅片检验标准
单晶硅生长
5. 收肩（转肩）。当肩部直径约比需要的单晶直径小 3～5mm时，将拉速提高到2.5mm/min，使直径增长速 率降低。同时坩埚也开始自动跟踪，使熔硅液面始终 保持在相对固定的位置上。
太阳电池用多晶硅与光电转 换效率
尽管关于多晶硅片质量与太阳电池光电转换效率之间 详细的原理非常复杂，但是与氧、碳、金属杂质和晶 体结构有关的硅片质量的指导方针，可用于改进现有 硅片材料和开发新的硅片材料。
最重要的硅片特性为氧、碳含量，金属杂质和晶体缺 陷、断层以及晶界。
2021/3/14
硅材料相关知识及M156硅片检验标准
2021/3/14
硅材料相关知识及M156硅片检验标准
硅棒的加工
2021/3/14
硅材料相关知识及M156硅片检验标准
硅棒切片
2021/3/14
硅材料相关知识及M156硅片检验标准
三.多晶硅锭浇注
2021/3/14
硅材料相关知识及M156硅片检验标准
三.多晶浇注
2021/3/14
硅材料相关知识及M156硅片检验标准
硅材料相关知识及M156硅片检验标准
四.硅片检验(需用仪器工具)
2021/3/14
硅材料相关知识及M156硅片检验标准
四.硅片检验(四探针测试仪)
2021/3/14
硅材料相关知识及M156硅片检验标准
SEMILAB测试仪器
2021/3/14
硅材料相关知识及M156硅片检验标准
硅材料相关知识及M156硅 片检验标准
目录
晶体硅产业链相关知识 拉制单晶硅棒与单晶硅棒的切片 浇注多晶硅锭与切片 硅片检验标准及检验方法
2021/3/14
硅材料相关知识及M156硅片检验标准
一.晶体硅产业链相关知识
2021/3/14
硅材料相关知识及M156硅片检验标准
一.晶体硅产业链相关知识
2021/3/14
2. 引晶。将籽晶和坩埚的转速按照设备工艺规范分别 设置调整好。当处于预置热场位置中的熔硅温度稳定 后，将籽晶下降至熔硅上方预热10分钟，然后使籽晶 2021/3缓/14 慢下降，使硅其材料相与关知熔识及硅M15接6硅片触检验。标准若籽晶很快被熔断，表
单晶硅生长
3. 收颈。观察弯月面形状，如果适当，就开始将籽晶 慢慢向上提拉，并逐渐将拉速增大到3.5mm/min以上。 收颈部的直径、长度按照拉制单晶规格对应的工艺规 范进行控制。细长的颈部有利于抑制位错从籽晶向颈 部以下晶体延伸。颈部长些还可以使熔硅温度在放肩 之前先稳定下来。
单晶硅生长
在拉晶过程中，操作者应密切注意观察晶体外侧棱线 是否连续和对称，及弯月面形状的变化。如出现断棱 和多晶，应终止拉晶过程。若已长成的晶锭长度在 200mm以内，可以回熔一次，并回熔到籽晶引晶处， 然后重新开始生长；若晶锭长度超过200mm，则应根 据不同情况采取相应措施，例如可将晶锭提起，由提 拉室取出，重新安装子晶后再将剩余熔硅拉成单晶。 若剩料不多，则只能按照正常拉晶过程结束阶段的工 艺程序将硅全部拉完。
6. 等径生长。当直径达到要求后，将拉速降到1.3～ 1.5mm/min左右，然后在电子系统的自动控制下开始 等直径生长。
7. 收尾。当坩埚中硅料剩下1.5kg左右时，停止坩埚跟 踪，选取等直径生长阶段最后2h的平均拉速，并逐渐 升温，使尾部长成锥型。
2021/3/14
硅材料相关知识及M156硅片检验标准