PPT中简答题汇总1. 价带、导带、禁带的定义及它们之间的关系。
施主能级和受主能级的定义及符号。
答：价带：原子中最外层电子称为价电子，与价电子能级相对应的能带称为价带；E V(valence)导带：价带以上能量最低的允许带称为导带；E C(conduction)禁带：导带与价带之间的能量间隔称为禁带。
Eg(gap) 施主能级：易释放电子的原子称为施主，施主束缚电子的能量状态。
E D(donor)受主能级：容易获取电子的原子称为受主，受主获取电子的能量状态。
E A( acceptor )2. 半导体对光的吸收主要表现为什么？它产生的条件及其定义。
半导体对光的吸收主要表现为本征吸收。
半导体吸收光子的能量使价带中的电子激发到导带，在价带中留下空穴，产生等量的电子与空穴，这种吸收过程叫本征吸收。
产生本征吸收的条件：入射光子的能量( h V要大于等于材料的禁带宽度E g3. 扩散长度的定义。
扩散系数和迁移率的爱因斯坦关系式。
多子和少子在扩散和漂移中的作用。
扩散长度：表示非平衡载流子复合前在半导体中扩散的平均深度。
扩散系数D (表示扩散的难易)与迁移率卩(表示迁移的快慢)的爱因斯坦关系式：D=(kT/q)卩kT/q为比例系数漂移主要是多子的贡献，扩散主要是少子的贡献。
4. 叙述p-n 结光伏效应原理。
当P-N 结受光照时，多子( P 区的空穴，N 区的电子)被势垒挡住而不能过结，只有少子( P 区的电子和N 区的空穴和结区的电子空穴对)在内建电场作用下漂移过结,这导致在N 区有光生电子积累，在P 区有光生空穴积累，产生一个与内建电场方向相反的光生电场，其方向由P区指向N区。
5. 热释电效应应怎样解释？热释电探测器为什么只能探测调制辐射？在某些绝缘物质中，由于温度的变化引起极化状态改变的现象称为热释电效应。
因为在恒定光辐射作用下探测器的输出信号电压为零，既热释电探测器对未经调制的光辐射不会有响应。
6. 简述红外变象管和象增强器的基本工作原理。
红外变象管：红外光通过光电导技术成象到光电导靶面上，形成电势分布图象，利用调制的电子流使荧光面发光。
象增强器：光电阴极发射的电子图像经电子透镜聚焦在微通道板上，电子图像倍增后在均匀电场作用下投射到荧光屏上。
7. 简述光导型摄像管的基本结构和工作过程基本结构包括两大部分：光电靶和电子枪。
工作过程：通过光电靶将光学图象转变成电学图象，电子枪发出的电子束对光电靶进行扫描，将电学图象转换成仅随时间变化的电信号(视频信号)传送出去。
8. 简述一维CCD 摄像器件的基本结构和工作过程。
基本结构：光电二极管阵列，CCD 移位存储器，输出机构。
工作过程：光电二极管阵列通过光电变换作用和光电存储作用积累光生电荷, 并行地流入CCD 移位寄存器，通过输出机构串行地转移出去。
9. 叙述半导体激光器和发光二极管的发光原理半导体激光器发光原理： PN 结正偏时结区发生粒子数反转， 导带中的电子产生自发辐射和受激辐射，在谐振腔中形成了光振荡，从谐振腔两端发射出激光。
发光二极管的发光原理： 发光二极管加上正向电压后， 从P 区注入到N 区的空穴和由N区注入到P 区的电子，在PN 结附近分别与N 区的电子和P 区的空穴复合，产生自发辐射的 火光。
10. 叙述电光调制器克尔盒的工作原理当非偏振光经过起偏器后变为平面偏振光，当给克尔盒加电压时， 通过它的平面偏振光改变其振动方向，在检偏器光轴方向上产生光振动的分量。
P >4 光源11. 试述声光偏转器的工作原理。
激光束入射到超声媒质中产生衍射，此衍射光强度和方向随超声波强度和频率的改变而变化，因超声波与光的相互作用产生的声光效应，就是声光偏转器的工作原理。
然后光生电荷 s—克尔效应的光学介质PPT中计算题汇总1•一支氦氖激光器（波长632.8nm ）发出激光的功率为2mw。
该激光束的平面发散角为Imrad , 激光器的放电毛细管直径为1mm。
求出该激光束的光通量、发光强度、光亮度、光出射度。
①(A) = (Z) -683x0,265x2x10 1= 0.362/m” f/Q _ AQA52^Rh r3尹△电皿一03622;r( I - cos &) 2^(1- cos 0.001)-—- = l r46xlO h<Y//^: yTr'cusO= 4.6xltf/iw/m22.计算出300K温度下掺入1015/cm3硼原子的硅片中电子和空穴的浓度及费米能级，画出其能带图。
（当300K 时，n i=i.5x1010/cm ；Eg=1.12eV）。
（k:波耳兹曼常数， 1.38 X 103J/K, 1C约相当于6.25 X 10人1个电子的电量。
）为P型半导体，则空穴浓度为p=Na=1015/cm3电子浓度为n= n白Na=2.25 x105/cm3N a费米能级为E f P:- E i「kT In - =Ei-0.29ev□3. (a)求在300K时，本征硅的电导率；(b)倘若每108硅原子中掺入一浅能级施主杂质原子，求出电导率。
(硅的原子数为5x10223 2 2个/cm，迁移率由=1350cm/(V s), ®=480cm/(V s))基本电荷e = 1.6 X 10 A-19库仑4.解：(a) 300K时.本征硅的电导率©-网》* +因》事■戟厲2. + »J■ 1 3 > 10 1« I M 1'0 (LJ50 + 480 》■ 4.4 M 10 " (/ □・cm ](b)掺杂率10^*,则掺入的施主嵌度为冲，=八C 池■=,小'■u| 04 n J j I |J X 10 J f顷以* fl ■ N』■ 5 h 10 t p ■ -_!■ ------------------------------------------ -- ---- ■4 _S X 1.0p 5 «(0 U<r = nq “ t- pg fi= (S * |fi M IJ50 + 4,5 * 10 * * 4R01 1 x ( .-6 x l(> ' = 0. Iftft (/ -D - rtw )4. （a）具有11级倍增极的光电倍增管均匀分压, 阴极入射光的照度为0.1lx，阴极有效面积为电子的收集率为0.98,倍增极的电子收集率为（b）设计前置放大电路，使输出的信号电压为负高压1200V供电。
阴极灵敏度为20 pA/Im , 2cm2，各倍增极二次发射系数均相等为4,光0.95,试计算倍增系统的放大倍数和阳极电流。
200mV,求放大器的有关参数，并画出原理图G= 0.98 x (0.95 x 4)11= 2338 x 1(/阴极电流』上=S k EA =20 xlQ * «2xl0 4x0.1 = 4x10 A阳极业流；= G7X- 2,33S x 10h x4x 10 10J = OMmAkathode(阴极),anticathode 邙日极)如圏丽示前昇放大此路R f——= ——Af）= 213Q根期常用电阴阴值’选用200JI电阳5. 有一光电倍增管的光电阴极面积为2cm2,阴极灵敏度为25pA/lm，倍增系统的放大倍数为105,阳极额定电流为200吩，求允许的最大光照解：阴极额定电流为最大允许光通董均<p =Zi. =2xlO-4=8x1^ 1U1允许的星大光穆为£ = ^ = Sx10_ft . t-=-lxlfl-2hS/ 2 K106. 光敏电阻R与F L =2 K Q的负载电阻串联后接于V =12V的直流电源上，无光照时负载上的输出电压为V =20mV有光照时负载上的输出电压为V2 =2V。
求（1）光敏电阻的暗电阻和亮电阻值。
（2）若光敏电阻的光电导灵敏度S g=6x10-6s/lx ,求光敏电阻所受的照度?•无光照时|负载上的电压厂|=20 mV •负载上的电流「片刘1 " " 1-10-・因此光敏电阻的暗电Si •有光照时，员载上的电压r>2v*负皱上的电流f7；=J1场*因此光敏电阻的亮电吧ft 丄-% = -'^-2= io kn /. 1 tn-?*光敏电阴所受的照度6*10^7•已知 光敏电阻的暗电阻 F D =10M Q ，在照度为100IX 时亮电阻R =5k Q ，用此光敏电阻控制 继电器，其原理电路如图所示，如果继电器的线圈电阻为 4kQ,继电器的吸合电流为 2mA,问需要多少照度时才能使继电器吸合？如果需要在 400IX 时继电器才能吸合，则此电路需作如何改进?8•下图是用硒光电池制作照度计的原理图，已知硒光电池在 100lx 照度下，最佳功率输出时的V m =o.3V, m =1.5mA,如果选用100uA 表头作照度指标，表头内阻为1k Q ,指针满刻度值为 100lx ，试计算电阻R i 和R?值。
1 W)lx: V =0.3^,/ =L5wt4, A =100x10-*^ m7m71I x +I 2=I…^I 2=lAmA£(© + &)十》=2山 &二人"厂214。
9•下图为一理想运算放大器，对光电二极管 2CU2的光电流进行线性放大，若光电二极管未受光照时，运放输出电压 V o =0.6V 。
在E=100 lx的光照下，输出电压 V i =2.4V 。
求（1） 2CU2 的暗电流；（2） 2CU2的电流灵敏度。
1,8*I ------------------------ □ ---------------- »・光皺电阻的光削导著暑堪霑电汛时 g f ・服度为10%时光敏电阻的光电导灵敏度p =-——=―!—r ---- =i.w*ia'* %'K Rj JI-HJ ID-LU* r J LH•吸合时的光蛾电阻阻值为*迦合时光敏电电的光电炜为 C F~ R Xit*ir -jL **p '•北电汙戻敬甘与尸壇勒阻村料有灵 *所以糜合时祈需产度尙■叫^•'07 h+打■才吸合.貝;时扬光电寻为 用,-£‘ r £『-- 7W.fi* 10 J•光救电阻的租價 < =—^ = 1450? *累求负議的配値 孔■丈*・4对9 ・町・Jft-10.71 kA 的屯阮-光敏电阻的光电导，考虑暗电流时= F； =0.6/1.5x10* = 0.4x10"*^E = lWh-^I=I-I D=-^-^ = i.2tiAS E=/,(/E=L2X I04/L00 = 1.2xl0_,jl/fr10.已知一热释电探测器的D*=1x109cm.Hz1/2W-1、NEP=1x101°w （取△ fRHz）,能否决定其光敏面面积？5.解：因为归一化探测率『二也竺，所以NET探测器光敏兀[自i积A- （£» '裤F）1- （I * 10 * x I n 10 _Uf）1«1 - ] K10 ' CHI211.二相驱动CCD象元数N=1024，若要求最后位仍有50%的电荷输出，求电荷转移损失率£ =解＜-^CCD,电极数：n = 2/n =2048职传移效年：= (1 —£)"焦 1 一nc — 0,5所以== 0-5= 1二0.0244 %2048 409612. 用2CU1型光电二极管接受辐射信号，如图所示，已知2CU1的灵敏度S=0.4A/W,暗电流小于0.2uA,3DG6C的B =50,当最大辐射功率为400uW时的拐点电压V M=10V,求获得最大电压输出时的Re值。