工程师技术讲解：基于单硅后级的电路仿真电路模型:
仿真波形如下:
对仿真结果总结得到的是：电容在被反向充电达到顶峰后即向充电方向的反向放电，这时可控硅关断。

图中电容开始反向放电时假设参数如图：ik 为关闭前的维持电流，im 为为电感回路的最大峰值电流，总电流要满足下面的条件：iO=ik+iL------(1)
其中iL 此时有: im=iL---------(2)
有下面条件制约:1/2*C*U2 =1/2*L*i2 --------------(3)
此时U=E i=Im -------------(4)
(1) 式变形关闭条件: im(3)和(4)式得: im=(√C/L)*E------------(6)
iO=E/RO -------------------(7)
ik 大功率可控硅一般为几十mA 和总电流以及电容最大电流相比可以忽略不计，以利简化计算不影响结果分析。

上面两式合并为: (√C/L)*ERO可见是否关断与电源电压无关，只与电感、电容、负载有关。

捕鱼理论告诉我们：脉宽同样功率下最高效脉宽范围为(1---3) ms，常规选取一般电容最大取5UF 最小取2UF，脉宽3ms 计算，由下面公式计算: T=2∏√L*C-------(9)
有L 大约有(50---125)mh 范围;
如果取1ms,电容(2---5)UF，上面公式计算有：L 大约(6---14)mh，将条件带入(8)式计算: 第一种情况RO 关闭条件取值范围:。