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【资料】薄膜电容的制作过程和检验要点汇编
由下式决
2.绝缘电阻(IR) 电容器的介质,封装材料的绝缘特性。其倒数是漏 电流。单位是(MΩ)
3.额定电压(U): 可使电容安全工作的标称电压.(单位是:V)
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4.漏电流:在额定电压下的电容漏电流(与温度和容量有关) 它的计算公式大致是:I K×CV。漏电流I的单位是μA,K 是常数,例如是0.01或0.03,C: F V:电容额定电压
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7.耐压 电容所能承受的最高电压.(单位是:V)
8.类别温度范围。 电容器设计所确定的能连续工作的环境温度范围。该范围
取决于它相应类别的温度极限值,如上限类别温度、下限类别 温度等。
9.温度系数a0=1/C*(△C/△T)
电容器在规定的温度范围内容量随温度的变化率。通常以20℃时电容
量为参考,用百万分之一每摄氏度(10-6/℃)表示。(10-6/℃ =
1ppm/℃)
αi =
Ci:电容器在温度Ti 时容量
C0:电容器在T0(20±2)℃时的容量
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七.电容的精度等级符号。
符号
精度
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八.电容在电路中的符号
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薄膜电容的制作过程和检验要点
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全球信赖的迈瑞 5.温度补偿:针对其它元件对温度的适应性不够带来的影响, 而进行补偿,改善电路的稳定性。
6.计时:电容器与电阻器配合使用,确定电路的时间常数。
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7.调谐:对与频率相关的电路进行系统调谐,比如手机、收音机。 8. 振荡: 通过与相应元件的配合,而产生相应频率的波形
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4.金属化薄膜电容的制作工艺和检验控制点
4.1.切膜:将金属箔依产品设计的容量,用切膜机裁切成所需之设 计宽度 质量要求:裁切时无毛刺,
外观无脏污和起皱.
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十. 薄膜电容器 1.定义:采用介质材料为薄膜的电容器统称为薄膜电容.
2. 薄膜电容器的分类比较 薄膜电容器由介质、电极、电极过渡、引出线、封装、印章标志 等部分组成。 按介质分类:聚酯膜、聚丙烯膜… 按结构分类:卷绕式、叠片式、内串式。 按电极分类:金属箔、金属化(铝金属化、铝锌金属化)、膜箔 复合结构。 按电极引出方式分类:径向、轴向。 按封装方式分类:盒式、浸渍型。 按用途分类:通用(直流)、脉冲、抑制电源电磁干扰、精密。
5.损耗角正切值:tgδ =ESR/Xc 容抗(Xc):电容对交流电(正弦波)电流的反抗性称为电容 容抗,单位是欧姆。公式是:Xc=1/2πfC=1/ωC。电容的电容抗 落后电压90度,其有效值与使用频率和容量成反比,即使用频 率越高与电容量越大,则其电容抗Xc就越小。
6.等效电阻(Equivalent series resistance):他不是一个纯电 阻,ESR的高低,与电容器的容量、电压、频率及温度…都有 关,ESR要求越低越好。当额定电压固定时,容量愈大 ESR 愈低。当容量固定时,选用高额定电压的品种可以降低 ESR。 低频时ESR高,高频时ESR低,高温也会使ESR上升。
9.储能:储存电能,用于必须要的时候释放。 例如相机闪光灯,加热设备等等。
Variable Resiattery
C
LAMP
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四.电容的分类: 固定
电容器
+
无有 机机 介介 质质 电电 容容 器器
铝钽 电电 解解 电电 容容 器器
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3.特点: 1.具有频率特性优异(频率响应宽广), 2.高绝缘阻抗, 3.耐压性高, 4.体积小,容量大, 5.介质损失很小的特色, 6.自愈特性
金属化膜的金属镀层是通过真空蒸发的方法将金属沉积在薄 膜上,厚度只有几十个纳米,当介质上存在弱点、杂质时, 局部电击穿就可能发生,电击穿处的电弧放电所产生的能量 足以使电击穿点邻近处的金属镀层蒸发,击穿点与周围极板 隔开,电容器电气性能即可恢复正常。 7.但有难以小型化的缺点。
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五.电容的比较
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六,电容的主要电气特性:
1.电容量:电容器是储存电荷的容器.电容器的容量C 定:
C=Q/U=ΣS/4πd, 电容器容量之单位为法拉 (F),由于法拉单位太大,
一般均用microfarads (MFD) 1μF = 10 -6 F。 1nF=10-9F 1pF=10-12F
微调 电容器
云瓷薄 母介膜 微微微 调调调 电电电 容容容 器器器
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可变 电容器
空薄 气膜 可可 变变 电电 容容 器器
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全球信赖的迈瑞 1无机介质电容器:包括大家熟悉的陶瓷电容以及云母电容
2有机介质电容器:例如薄膜电容器,纸介电容器等 3电解电容器:大家熟悉的铝电容,钽电容其实都是电解电容。
全球信赖的迈瑞 九.容量的表示方法: 1.直标法 2.数字标示法 104M 表示容量为10*104=105PF=0.1μF,误差为±20% 472J 表示容量为47*102=0.0047μF,误差为±5%。 47n 表示473;470n 表示474;4n7=472。
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3.主要介质材料
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4、薄膜电容所用的极板材料 4.1. 箔式电容:厚度4-6 微米
4.1.1 普通电容器:铝箔 4.1.2 精密电容器:锡箔 4.2. 金属化电容:Zn, Ag, Sn, Al 及其合金 4.2.1 通用电容器:Al,厚度10-50nm 4.2.2 交流电容器:Zn, Ag, Al 合金,厚度20-60nm 4.2.3 金属化电极形式:单面,双面,加厚边,安全膜等