西南交通大学2009－2010学年第(2)学期期中试卷课程代码 3122200 课程名称 模拟电子技术一、填空及判断题:（共42 分）1． 已知下图所示电路中稳压管的稳压值U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝5mA ，则U O1＝ 6 V ，U O2＝ 5 V 。
2．工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12μA 增大到22μA 时，I C 从1mA 变为2mA ，那么它的β约为 100 。
3. 某直接耦合放大电路在输入电压为 0.3V 时，输出电压为 2V ；输入电压为 0.1V 时，输出电压为 9V （均指直流电压）。
则该放大电路的电压放大倍数为 B 。
（A ．90， B ．－35， C ．35 ， D ．30 ， E.20） 4．测得某放大电路中三个MOS 管的三个电极的电位（V ）如下表所示，它们的开启电压也在表中。
试分析各管的工作状态(截止区、恒流区、可变电阻区），并填入表内。
5．双极型晶体管的发射极电流放大系数β反映了_ 基_ _极电流对___集电___极电流的控制能力；而单极型场效应管常用g m 参数反映__栅源电压______对__漏极电流_______的控制能力。
6．某扩音器的高音不丰富，主要是因为其放大电路的 B （A ．非线性失真大 B ．通频带窄）。
7. 已知下面图（a ）所示电路的幅频响应特性如图（b ）所示。
影响f L 大小的因素是 C ，影响f H 大小的因素是 A 。
（A ．晶体管极间电容，B ．晶体管的非线性特性，C ．耦合电容） 当信号频率等于放大电路的f L 或f H 时，放大倍数的值约下降到中频时的 B （A. 0.5 B. 0.7 C. 0.9）倍，即增益下降 A （A. 3dB B. -3dB C. 6dB ）。
当f ＝ f L 时，o U 与iU 相位关系是 C （A. 45˚ B. -90˚ C. －135˚）。
当f ＝ f H 时，o U 与iU 的相位关系是 C （A. －45˚ B. －135˚ C. －225˚）。
班 级 学 号 姓 名密封装订线 密封装订线 密封装订线HLV CC( a )( b )8. 若差分放大电路的输入电压u I1＝1.5mV ，u I2＝0.5mV ，则差分放大电路的差模输入电压u Id ＝ 1 mV ，共模输入信号u Ic ＝ 1 mV ，如果|A vd |=60dB ，|A vc |= -20dB ，K CMR = 10000或80dB ，输出电压= 0.9999V 或 -1.0001V 。
9．多级放大电路如图所示，设电路中的所有电容器对交流均可视为短路。
试指出电路中各个放大器件所组成的基本放大电路分别属于哪种组态。
（a ） VT1 CE VT2 CE VT3 CC （b ） VT1 CS VT2 CGC 1C 3u OC 1R L( d )C 2R d1Rd2R gR 1R 2R 3R LC 2C 4u O+V DDu IVT 1VT 2VT 1VT 2+V CC R cC 1R 2R 1R 4R 6R 5R 7( a )(( c )(C 1C 2C 3C 4VR g R 1R 2RC 4+V CCR 3VT 1VT 2VT 3u Iu Ou IVT 1u SR eRR s10．定性判断图中各电路的放大能力，选择正确图号，用a 、b 、c 、d 填空）。
（1）．具有同相放大能力的电路有__B D__； （2）．具有反相放大能力的电路有__A__； （3）．不具备正常放大能力的电路有__C__。
( b )( a )( d )( c )11．放大电路及相应的晶体管输出特性如下图所示，直流负载线和Q 点已标在图上， 设U BEQ ＝0.7V ，C L =R R 。
电源电压V CC= 12 V ，c R = 2 Ωk ，b R = 377 Ωk ，最大不失真输出电压幅值=om U 3 V ；为获得更大的不失真输出电压，b R 应 减小 （增大、减小）．（交流负载线：过Q 点作直线，与u CE 轴交点为9V ）12．差动放大电路如下图所示。
设电路元件参数变化所引起静态工作点改变不会使放大管出现截止或饱和。
试选择正确答案填空（答案：A ．增大，B ．减小，C ．基本不变）。
(1)．若R e 增大，则静态工作电流I C2 B ，动态电阻be r A ，差模电压增益d u A B ，共模电压增益c u A B ；(2)．若R c 增大，则静态工作电流I C2 C ，差模电压增益d u A A ，共模电压增益c u A A 。
EE ( 12V)二．判断下列说法的正、误，在相应的括号内画√表示正确，画×表示错误。
（8分）1．现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为－100，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数应为10000。
( × )2．对三极管放大电路来说，发射结必须正偏，集电结必须反偏。
（√）所以基极电源应为正电源，集电极电源应为负电源。
（ ×）3．当放大电路输入一个方波电压时，输出电压波形的顶部和底部均变得倾斜，因此可以断定该放大器的非线性失真较大。
（×）R LEV4．调节图示电路中的W R ，使晶体管处于临界饱和状态。
此时，如果减小b R ，晶体管的饱和深度将增加（√）；如果增大c R ，晶体管将脱离饱和（×）；如果换用β小的管子，晶体管的临界饱和状态基本不变（×）；如果增大CC V ，晶体管的临界饱和状态基本不变（√ ）。
三．分析计算1．（17分）已知图示电路中晶体管的β ＝120，BEQ U ＝0.6V ，b b 'r ＝200Ω，各电容的容抗可忽略不计。
1) 求静态电流CQ I 和发射极对地静态电压EQ U ；2) 求电压放大倍数)/(i o U U A u 和)/(s o s U U A u 以及输入电阻iR 和输出电阻o R 。
R L 2k Ωu解：1．()mA 27.1 1)( eb BEQ CC CQ -≈++--=R βR U V βIU EQ ＝I EQ R e ≈－2.53 V 2．()Ω≈++='k 67.2 1EQTb b be I U βr r ()()()()98.0// 1// 1L e be L e ≈+++=R R βr R R βA uR i ＝[ r be + (1+β ) ( R e / / R L )] // R b ≈85ΩkR o ＝R e Ω≈++2181////sb be βR R r72.0is is≈+=uu A R R R A R bV CC R2．（18分）放大电路和MOSFET 在恒流区内的转移特性曲线如图所示，试结合电路和曲线求解下列问题：1） 该MOSFET 的V T 、I DO 分别是多少？ 2） 静态时V GS =5V ，则电阻R S 应为多大？ 3） 求出静态工作点处的跨导g m ；4） 求电压放大倍数、输入电阻和输出电阻（电容的容抗忽略不计）。
解答：1）由转移曲线可看出：V T =2V ，I DO ≈1.5mA2）由转移曲线可看出：当V GS =5V 时I D ≈3mA3）mS V V V I V V Kn v i g T GS T DOT GS v GSD m DS25.2)(2)(22=-⋅⋅=-=∂∂=4）Ω≈⇒=⨯-⨯=-⋅+=-=-330510312213D DD g2g1g2S G GS S S S R V R R I V R R R V V V Ω==Ω==-=-=k R Ro M R R Ri R R g Av d g g L d m 25.0//75.3)//(21下面两道题目中可任选一道。
3. （15分） 放大电路如图所示。
已知结型场效应管VT 1、VT 2参数相同，g m ＝2mS ，r gs ＝r ds ＝∞，VT 3 ～VT 5的参数为β3＝β4＝β5＝100，r bb3'＝300Ω，U BE3＝－0.2V ，U BE4＝U BE5＝0.6V 。
试估算：(1)静态工作电流：I E4、I E5、I D2、I C3；静态工作电位U D2 、U O ，设I B3<<I D2； (2)电压放大倍数 .10VSS解：(1)mA 12e4c4BE4DD E4=+-≈R R U V ImA 2.1454E5=≈E e e I R R I mA 6.0215D2D1===E I I I mA 2322C3=-=e EBd D R V R I IV 4d2D2DD D2=-=R I V U V 0SS c3C3O =+=V R I U (2)()Ωk 6.11E3T33b b be3≈++='I U r r β ()[]{}101//21e33be3d2m 1≈++=R r R g A u β ()7.11e33be3c332-≈++-=R r R A u ββ1721-≈⋅=u u u A A A2d2v v v A A A ⋅=4. （15分）图示电路中，已知集成运算放大器A 1～A 4都是理想器件，调节R W 可使电压放大倍数I1I2Ou u u A u -=从0.92～0.5变化。
（1）电路中电阻4R ＝？（2）若将R W 调至中点，且V 3I1=u 、V 1I2=u ，则输出电压O u ＝？u u解：（1）经推导，电路的电压放大倍数为 W434W I1I2O R R R R R u u u A u ＋＋+=-=当 0W =R 时，反馈最强，5.0min =u A ，即 5.0434==R R R A u ＋故 Ω=k 14R （2）当 Ω=k 5W R 时， 86.0W434W I1I2O ≈++=-=R R R R R u u u A u ＋V 72.1)(86.0I1I2O -=-≈u u u。