1、单项选择题半导体分立器件、集成电路对外壳的主要要求之一是：良好的热性能。

外壳应有小的（），使芯片的热量有效地散逸出去，保证器件在正常结温下工作。

A.热阻
B.阻抗
C.结构参数
2、填空题热分解化学气相淀积二氧化硅是利用（）化合物，经过热分解反应，在基片表面淀积二氧化硅。

3、单项选择题反应离子腐蚀是（）。

A.化学刻蚀机理
B.物理刻蚀机理
C.物理的溅射刻蚀和化学的反应刻蚀相结合
4、单项选择题器件的横向尺寸控制几乎全由（）来实现。

B.扩散
C.光刻
5、填空题钎焊密封工艺主要工艺条件有钎焊气氛控制、温度控制和密封腔体内（）控制。

6、单项选择题pn结的击穿电压和反向漏电流既是晶体管的重要直流参数，也是评价（）的重要标志。

A.扩散层质量
B.设计
C.光刻
7、单项选择题溅射法是由（）轰击靶材表面，使靶原子从靶表面飞溅出来淀积在衬底上形成薄膜。

B.中性粒子
C.带能离子
8、单项选择题金属封装主要采用金属和玻璃密封工艺，金属作封装底盘、管帽和引线，（）做绝缘和密封。

A.塑料
B.玻璃
C.金属
9、判断题没有经济收入或交纳党费有困难的党员，由本人提出申请，经党支部委员会同意，可以少交或免交。

10、填空题气中的一个小尘埃将影响整个芯片的（）性、（）率，并影响其电学性能和（）性，所以半导体芯片制造工艺需在超净厂房内进行。

11、单项选择题常用胶粘剂有热固性树脂、热塑性树脂和橡胶型胶粘剂3大类。

半导体器件的粘封工艺一般选用（）。

A.热塑性树脂
B.热固性或橡胶型胶粘剂
12、填空题外延层的迁移率低的因素有原材料纯度（）；反应室漏气；外延层的晶体（）；系统沾污等；载气纯度不够；外延层晶体缺陷多；生长工艺条件不适宜。

13、填空题芯片焊接质量通常进行镜检和（）两项试验。

14、问答题什么叫晶体缺陷？
15、问答题简述你所在工艺的工艺质量要求？你如何检查你的工艺质量？
16、问答题简述在芯片制造中对金属电极材料有什么要求？
17、单项选择题双极晶体管的高频参数是（）。

A.hFEVces
B.BVce
C.ftfm
18、单项选择题塑封中注塑成型工艺主要工艺参数有（）、模具温度、合模压力、注射压力、注射速度和成型时间。

A.准备工具
B.准备模塑料
C.模塑料预热
19、填空题外壳设计包括电性能设计、热性能设计和结构设计三部分，而（）设计也包含在这三部分中间。

20、单项选择题超声热压焊的主要应用对象是超小型镀金外壳与镀金管帽的焊接，焊接处依靠（）封接，因而外壳零件的平整度和镀金层厚度是实现可靠性封接的关键因素。

A.管帽变形
B.镀金层的变形
C.底座变形
21、填空题如果热压楔形键合小于引线直径1．5倍或大于3．0倍，其长度小于1．5倍或大于6．0倍，判引线键合（）。

22、单项选择题禁带宽度的大小决定着电子从价带跳到导带的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子（）外界因素（如高温和辐射等）的干扰而产生变化。

A.越不容易受
B.越容易受
C.基本不受
23、填空题最常用的金属膜制备方法有（）加热蒸发、（）蒸发、（）。

24、填空题厚膜混合集成电路的基片种类很多，目前常用的有：氧化铝陶瓷，（），氮化铝（A1N）陶瓷。

25、单项选择题在低温玻璃密封工艺中，常用的运载剂由2％（质量比）的硝化纤维素溶解于98％（质量比）的醋酸异戊酯或松油醇中制得，再将20％的运载剂与（）的玻璃料均匀混合，配成印刷浆料。

A.80％～90％
B.10％～20％
C.40％-50％
26、填空题硅片减薄腐蚀液为氢氟酸和硝酸系腐蚀液。

砷化镓片用（）系、氢氧化氨系蚀腐蚀液。

27、单项选择题厚膜元件烧结时，浆料中的固体颗粒由接触到结合、自由表面的收缩、空隙的排除、晶体缺陷的消除等都会使系统的自由能（），从而使系统转变为热力学中更稳定的状态。

A.降低
B.升高
C.保持不变
28、单项选择题非接触式厚膜电路丝网印刷时，丝网与基片之间有一定的距离，称为间隙，通常为（）。

A.小于0.1mm
B.0.5～2.0mm
C.大于2.0mm
29、问答题简述光刻工艺原理及在芯片制造中的重要性？
30、单项选择题双极晶体管的1c7r噪声与（）有关。

A.基区宽度
B.外延层厚度
C.表面界面状态
31、单项选择题变容二极管的电容量随（）变化。

A.正偏电流
B.反偏电压
C.结温
32、填空题禁带宽度的大小决定着（）的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子就越不易受到外界因素，如高温和辐射等的干扰而产生变化。

33、填空题铝丝与铝金属化层之间用加热、加压的方法不能获得牢固的焊接，甚至根本无法实现焊接的原因是铝的表面在空气中极易生成一层（），它们阻挡了铝原子之间的紧密接触，达不到原子之间引力范围的间距。

34、填空题二氧化硅的制备方法很多，其中最常用的是高温（）、（）淀积、PECVD淀积。

35、问答题引线焊接有哪些质量要求？
36、填空题半导体集成电路生产中，元件之间隔离有（）（）（）隔离等三种基本方法.
37、问答题粘封工艺中，常用的材料有哪几类？
38、问答题有哪几种常用的化学气相淀积薄膜的方法？
39、填空题金丝球焊的优点是无方向性，键合强度一般（）同类电极系统的楔刀焊接。

40、填空题钎焊包括合金烧结、共晶焊；聚合物焊又可分为（）、（）等。

41、单项选择题恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为（）分布。

A.高斯
B.余误差
C.指数
42、填空题半导体材料可根据其性能、晶体结构、结晶程度、化学组成分类。

比较通用的则是根据其化学组成可分为（）半导体、（）半导体、固溶半导体三大类。

43、单项选择题金属封装主要用于混合集成电路封装，外壳零件一般有底盘、管帽、引线和玻璃绝缘子组成。

底盘、管帽和引线的材料常常是（）。

A.合金A-42
B.4J29可伐
C.4J34可伐
44、单项选择题平行缝焊的工艺参数有焊接电流、焊接速度、焊轮压力和焊轮椎顶角。

焊轮压力影响盖板和焊环之间高阻点的（）。

压力太大，电阻值下降，对形成焊点不利，焊轮压力太小，则造成接触不良，不但形不成良好点。

A.电流值
B.电阻值
C.电压值
45、单项选择题外壳设计包括（）设计、热性能设计和结构设计三部分，而可靠性设计也包含在这三部分中间。

A.电性能
B.电阻
C.电感
46、问答题洁净区工作人员应注意些什么？
47、填空题离子注入杂质浓度分布中最重要的二个射程参数是（）和（）。

48、填空题延生长方法比较多，其中主要的有（）外延、（）外延、金属有机化学气相外延、（）外延、原子束外延、固相外延等。

49、问答题单晶片切割的质量要求有哪些？
50、单项选择题在突缘电阻焊工艺中，要获得良好的焊接质量，必须确定的基本规范包括（）
A.焊接电流、焊接电压和电极压力
B.焊接电流、焊接时间和电极压力
C.焊接电流、焊接电压和焊接时间
51、填空题杂质原子在半导体中的扩散机理比较复杂，但主要可分
为（）扩散和（）扩散两种。