电子技术
15
当S、D极间加以较高电压（约+20~+25V)时,
将发生雪崩击穿,如果同时在控制极加上高 压脉冲 (幅度约+25V,宽度约50ms),一些速度 较高的电子就能穿过SIO2层到达浮置栅极,行 成注入电荷。注入了电荷的SIMOS管相当于 写入了1，没注入电荷的相当于存入了0。
SIMOS -- Stacked gate Injuntion Metal Oxide Semiconductor
电子技术
16
字线 位线
Vcc
注入了 电子的
电子技术
0010
17
8.2.2 ROM的应用举例
例1. 用于存储固定的专用程序。
例2. 利用ROM可实现查表或码制变换等功能。 查表功能 －－例：查某个角度的三角函数
“造表” “查表”
地址码——变量值（角度） 相应ROM中的内容——函数值 输入地址(角度)输出函数值
码制变换：地址——欲变换的编码 相应ROM中的内容——目的编码
电子技术
18
例3. ROM 在波形发生器中的应用。
计
CP
数
计数脉冲 器
3
4
ROM
D/A 送示波器
uo
A2 A1 A0
D3 D2 D1 D0
D/A
0 0 0 0 000 0
0 0 1 0 01 0 2
01 0 01 00 4
01 1 1 000 8
1) ROM
2) PROM------
programmable 3) EPROM
UVEPROM (Ultra violet)
(Erasrically)
电子技术
5
2.随机存取存储器 Random Access Memory
RAM
1) SRAM 静态 随机存取存储 器 (static)
D1
D0
W0
11
ROM的类型
固定 ROM：在前面介绍的两种存储器中，其存 储单元中的内容在出厂时已被完全固定下 来，使用时不能变动。
PROM：有一种可编程序的 ROM ，在出厂时 全部存储 “1”，用户可根据需要将某些单 元改写为 “0”,然而只能改写一次 。
电子技术
12
DD D D
3
2
1
0
A1 译 A1A0
u D/A
o
0 2 4 8 12 9 6 3
电子技术
0
t 20
P327
1、用ROM构成序列脉冲发生器 2、用ROM构成序列脉冲发生器 3、用ROM构成字符发生器
电子技术
21
§8.3 读写存储器( RAM )
读写存储器又称随机存储器—— Random Access Memory。
读写存储器的特点是：在工作过程中，既可
电子技术
8
简单的二极管ROM电路
D3 D2
D1
D0
A1 译 A1A0
A1A0
码 A1A0 A0 器 A1A0
位线
-VCC
电子技术
K: 输出 控制端
输出电 路
存储矩 阵
9
字线
D3 D2 D1 D0
A1
A1A0 译 A1A0
码 A1A0 A0 器 A1A0
K: 输出 控制端
输入任意一 个地址码，译码 器就可使与之对 应的某条字线为 高电平，进而从 位线上读出四位 输出数字量。
[ 输出位数：M ] 来表示( 其中N为存 储器的地址线数 )。例如：128(字) . 8(位)、1024(字). 8(位)等等。
EPROM的结构及工作原理可见《数字电子技术》 P301（阎石主编）
电子技术
14
符号
S
G1 G2
D
N+
N+
P
SIO2层
SIMOS ---迭栅注入MOS管
G1控制极 G2浮栅极
顺序存取存储器的特点是先入先出或 先入后出
电子技术
7
§8.2 只读存储器( ROM )
R. ead Only . Memory.
只读存储器在工作时其存储内容是固定 不变的，因此，只能读出，不能随时写入， 所以称为只读存储器。
8.2.1 ROM的基本结构及工作原理
ROM主要组成部分：
1. 地址译码器 2. 存储矩阵 3. 输出电路。
从存储器的任意单元读出信息，又可以把 外界信息写入任意单元，因此它被称为随 机存储器，简称 RAM 。
1 0 0 1 1 0 0 12
1 0 1 1 0 01 9
0
t 1 1 0 0 11 0 6
1 1 1 0 011 3
电子技术
19
计
CP
数
计数脉冲 器
u 3
ROM
4
D/A
o
送示波器
A2 A1 A0
0 00 001 01 0 011 100 1 01 110 11 1
D3 D2 D1 D0
0 000 0 01 0 01 00 1 000 1 100 1 0 01 0 11 0 0 011
电子技术
3
按所用半导体器件的不同,半导体存 储器分为:
1.双极型-----工作速度快,在微机中作 高速 缓存
2.MOS型-----功耗小,因而集成度高. 用于大容量存储,如微机中的内存条
电子技术
4
按存取方式半导体存储器可分为:
1. 只读存储器 Read Only Memory
信息可长期保存,断电也不丢失
A1A0
码 A1A0 A0 器 A1A0
K: 输 出控 制端
字线
位 线
-VCC
熔
断
若将熔丝烧断，该单元则变成“0”。显然，一旦烧断
丝
后不能再恢复。
电子技术
13
EPROM： 一种可以改写多次的 ROM。它所存 储的信息可以用紫外线或 X 射线照射檫去
（Erasable ），然后又可以重新编制信息。
存储容量是 ROM 的主要技术指 标之一，它一般用[ 存储字数：2N ] .
2) DRAM 动态随机存储存取器
(Dynamic)
任何时刻对任何单元都能直接写入或读出 二进制信息,断电后信息就丢失。
电子技术
6
3. 顺序存取存储器 Sequential Access Memory
SAM
FIFO First in First out FILO First in Last out
地址
内容
-VCC
A1 A0 D3 D2 D1 D0
00 0 0 1 1
01 0 1 0 1
位线
10 0 1 0 1
11 1 0 1 0
电子技术
10
下图是使用 MOS 管的ROM 矩阵：
有 MOS 管的单元 存储 “0”；
无 MOS 管的单元 存储 “1”。
+VCC W3
W2
W1
D3
D 电子技术 2
电子技术 数字电路部分
第八章
半导体存储器
电子技术
1
第八章 半导体存储器
§8.1 概 述 §8.2 只读存储器( ROM ) §8.3 读写存储器( RAM )
电子技术
2
§8.1 概 述
半导体存储器是由半导体器件 构成的大规模集成电路,专门用 来存放二进制信息的,是任何数 字电路不可缺少的一部分.