分析单结晶体管触发电路
谷点电流IV。由于UE随IE增大而减小,动态电阻 reb1
U E I E
为负值,故从P点到V
点这段曲线称为单结晶体管的负阻特性。对应这段负阻特性的区域称为负阻区。
V点以后,当IE继续增大,空穴注入N区增大到一定程度,部分空穴来不及与 基区电子复合,出现空穴剩余,使空穴继续注入遇到阻力,相当于RB1变大,因 此在V点之后,元件又恢复正阻特性,UE随着IE的增大而缓慢增大。这段区域称 为饱和区。显然,UV是维持管子导通的最小发射极电压,一旦UE<UV,管子将 截止。
2020年9月27日星期日
6
学习情第境7一章单相电可控力整电流子电技路术的制作
由上述分析可知,单结晶体管具有以下特点:
பைடு நூலகம்1.当发射极电压UE小于峰点电压UP时,单结晶体管为截 止状态,当UE上升到峰点电压时,单结晶体管触发导通。
2.导通后,若UE低于谷点电压UV,单结晶体管立即转入 截止状态。
3.峰点电压UP与管子的分压比η及外加电压UBB有关。 η
接上外加电源UEE,调整RP使UE由零逐渐加大,在UE<UA+UD=ηUBB+UD时 (UD为等效二极管的正向压降),二极管因反偏而截止,发射极仅有很小的反 向电流流过。E与B1间呈现很大的电阻,管子处于截止状态,这段区域称截止区。 如图b中OP段。
当UE升高到UE=ηUBB+UD时,达到图b中P点,二极管开始正偏而导通。IE随 之开始增加。P点所对应的发射极电压UP和电流IP分别称为单结晶体管的峰点电
2020年9月27日星期日
4
学习情第境7一章单相电可控力整电流子电技路术的制作
当E极开路时,图中A点对B1极间电压(即上压降)为
式中
RB1
RB1 RB2
UA
RB1 RB1 RB2
U BB
U BB
为单结晶体管的分压比,它由管子的内部决定,是单结晶体
管的重要参数,其值一般在0.3~0.8之间。
1.触发电路要能够提供足够的触发功率(电压和电流),以保证晶 闸管可靠导通。手册给的触发电流和触发电压是指该型号所有合格晶闸 管能够被触发的最小控制极电流和最小控制极电压。
2.触发脉冲要有足够的宽度,脉冲前沿应尽量陡,以使晶闸管在触 发后,阳极电流能上升到超过擎住电流而导通。对于感性负载,由于反 电动势阻止电流的上升,触发脉冲还要更宽。
学习情第境7一章单相电可控力整电流子电技路术的制作
1.7 单结晶体管
主要要求:
理解单结晶闸管触发电路的工作原理 了解单结晶闸管触发电路的组成及应用
2020年9月27日星期日
1
学习情第境7一章单相电可控力整电流子电技路术的制作
如前所述,要使晶闸管导通,除了在阳极与阴极之间加正向电压外, 还需要在控制极与阴极之间加正电压(电流)。产生触发电压(电流) 的电路称为触发电路,前面所讨论的向负载提供电压和电流的电路称为 主电路。根据晶闸管的性能和主电路的实际需要,对触发电路的基本要 求如下:
3.触发脉冲必须与主电路的交流电源同步,以保证主电路在每个周 期里有相同的导通角。
4.触发脉冲的发出时刻应能平稳的前后移动,使控制角有一定的变 化范围,以满足对主电路的控制要求。
很多电路都能实现上述要求,本节重点介绍单结晶体触发电路。
2020年9月27日星期日
2
学习情第境7一章单相电可控力整电流子电技路术的制作
极E。左图描绘出了单结晶体管的
结构、符号与等效电路。其中 RB1,RB2 分 别 是 两 个 基 极 至 P N 结 之间的电阻。由于具有两个基极, 单结晶体管也称为双基极二极管。
2020年9月27日星期日
3
学习情第境7一章单相电可控力整电流子电技路术的制作
2.伏安特性
a测试电路
b伏安特性曲线
单结晶体管伏安特性是指它的发射极特性。测试电路如图(a)所示, 在两基极之间加一固定电压UBB。加在发射极与B1级之间的电压UE可通过 RP进行调节。改变电压值UE,同时测量不同UE对应的发射极电流IE,得到 图(b)所示伏安特性曲线。
压和峰点电流。显然,峰点电压为 U P U BB U D
2020年9月27日星期日
5
学习情第境7一章单相电可控力整电流子电技路术的制作
导通后,发射极P区空穴大量注入到N型基片,由于B1点电位低于E点,大多数 空穴被注入到N型基片的B1一端。这就使基片上AB1段的电阻RB1值迅速减少, UBB在A点的分压UA也随之减少,使二极管的正向偏压增加,IE进一步增加,IE的 增加又促使RB1进一步减少。这样形成IE迅速增加UA急剧下降的一个强烈的正反 馈过程。由于PN结的正向压降随IE的增加而变化不大,UE就要随UA的下降而下 降,一直达到最低点V。V点成为谷点,所对应的UE、IE分别称为谷点电压UV、
➢
2020年9月27日星期日
8
学习情第境7一章单相电可控力整电流子电技路术的制作
➢ 1.7.1 单结晶体管的检测
➢ (2)单结晶体管b1和b2的判断方法是:将数字式万 用表置于20 k挡或200K挡,红表笔接发射极,黑表笔
1.7 单结晶体管
1.结构
a结构
b符号
c等效电路
单结晶体管外形与普通晶体三
极管一样,有三个极,但它内部有 一 个 PN 结 。 它 是 在 一 块 N 型 基 片
一侧和两端各引出一个电阻接触的 电 极 , 分 别 称 为 第 一 基 极 B1 和 第 二 基 极 B2 , 而 在 基 片 的 另 一 侧 较 靠 近 B2 处 设 法 掺 入 P 型 杂 质 形 成 PN结,并引出一个电极,为发射
大则UP大, UBB大则UP也大。 U P U BB U D
RB1
RB1 RB2
2020年9月27日星期日
7
学习情第境7一章单相电可控力整电流子电技路术的制作
➢ 1.7.1 单结晶体管的检测
➢ (1)判断单结晶体管发射极e的方法是:b1、b2之间 相当于一个固定电阻,正反向电阻一样,不同的管子,此 阻值不同,一般在3~12 kΩ范围内,若测得某两极之间 的电阻值与上述正常值相差较大时,则说明该管已损坏。 将数字式万用表置于20k挡或200K挡,假设单结晶体管 的任一引脚为发射极e,红表笔(高电位)接假设发射极, 黑表笔分别接触另外两引脚测其阻值。正常时均应有几千 欧至十几千欧的电阻值。再将黑表笔接发射极E,红表笔 依次接两个基极,正常时阻值为无穷大。