电子技术期中考试试题卷
姓名________ 班级_________学号___________
时间：90分钟 满分：100分
一、 选择题
1．在杂质半导体中,少子浓度主要取决于( ) (A): 掺入杂质的浓度、 (B): 材料、 (C): 温度
2．测得某PNP 型三极管各极点位为:UB=-3V UE=-4V UC=-6V ,则该管工作于( ) (A): 放大状态 、 (B): 饱和状态、 (C): 截止状态
3．在基本共射放大电路中，若更换晶体管使β值由50变为100,则电路的放大倍数( ) (A): 约为原来的1/2倍 、 (B): 约为原来的2倍、 (C): 基本不变
4．由NPN 管组成的单管基本共射放大电路，输入信号为正弦波，输出电压出现顶部被削平的失真，这种失真是 （ ） （A ）饱和失真 （B ） 截止失真 （C ） 频率失真
5．当温度增加时，本征半导体中的自由电子和空穴的数量 （ ） （A ）增加 （B ）减少 （C ）不变
6．对于桥式整流电路，正确的接法是( )
7．晶体三极管工作在饱和状态时，满足（ ）
A. 发射结、集电结均正偏
B. 发射结、集电结均反偏
C. 发射结正偏、集电结反偏
D. 发射结反偏、集电结正偏 8．稳压二极管正常工作时应工作在（ ）区。

A. 死区
B. 正向导通
C. 反向截止
D. 反向击穿
9、某负反馈放大电路框图如下所示，则电路的增益i o F X X A 为（ ）。

A 、100
B 、10
C 、90
D 、0.09
10．图示电路中，AB 之间电压V 对应的方程式为（ ）。

A.V=IR+E
B.V=IR-E
C.V=-IR-E
D. -V=IR+E
二、填空题：
1．N 型半导体中多数载流子是_______少数载流子是______。

2．PN 结具有_________特性。

3．利用半导体材料的某种敏感特性，如_______ 特性和_______ 特性，可以制成热敏电阻和光敏元件。

4．画放大器直流通路时，_______视为开路，画交流通路时，藕合电容、旁路电容和直流电压视为_______。

5．理想运放的输出电阻是________，输入电阻是________。

6、理想的二极管,其正向电阻约为 ,反向电阻约为 。

7、 晶体三极管工作在 区时,关系式I C =βI B 才成立,而工作在 区时,I C =0。

8、单相桥式整流电路，若其输入交流电压有效值为10V ，则整流后的输出电压平均值等于______。

A
=100 X
o F
=0.09 X
i
9、下图是N 沟道JFET 的转移特性曲线，可知其饱和漏极电流I DSS =_________。

三、判断（每题1分，共10分）
1．稳压二极管稳压电路中，限流电阻可以取消。

（ ） 2．反馈具有稳定输出量的作用。

（ ）
3．在运算放大器的运用电路中，若存在反馈则运放工作在线性状态。

（ ）
4．硅稳压管稳压是利用二极管的反向截止区。

（ ） 5．负反馈电路是不可能产生自激振荡的。

（ ） 6．三级管只要工作在线性放大区就有Vc>Vb>Ve （ ） 7．三级管放大电路中，加入Re 一定可稳定输出电流。

（ ） 四、计算题
1．放大电路分析如图示电路，已知
Ucc=12V ，R B =300K ， R C =R L =Rs=3K ，β=50 试求：
1）求静态工作点“Q ”
2）R L 接入情况下电路的电压放大倍数； 3）输入电阻Ri 和输出电阻Ro ；（12分）
4．图所示晶体管放大电路，设晶体管参数为β、r be ，U BE ≈0，
要求列出下列各值的计算式。

(8分) (1)静态工作点I B ，I C ，U CE ； (2)电压放大倍数Au 。

3 2 1
-4
-2
i D (mA) V GS (V)。