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高二物理上学期八校联考期末试卷

高二物理上学期八校联考期末试卷答题时间:90分钟 满分:100分 难度系数:0.75一、选择题:(本题有l 2道小题,每题4分,且每小题至少有一个选项是正确的,全选对者,得满分,选对但不全者得一半分,有错误选项或不选者得0分) 1、关于磁感应强度的大小和方向,下列说法中正确的是( )A 、磁感应强度的方向一定与通电导线所受安培力方向、直导线方向都垂直。

B 、在磁场中的1 m 长的直导线,通过l A 的电流,受到的磁场力为1 N 时,则通电导线所在处的磁感应强度就是l T 。

C 、根据ILFB =磁感应强度与通电导线在磁场中所受的磁场力成正比,与导线长度和电流强度的乘积成反比。

D 、若有一小段通电导线垂直放在磁场中某处不受磁场力,则该处的磁感应强度一定为零。

2、在匀强磁场中,一个带电粒子做匀速圆周运动,如果又顺利垂直进入另一磁感应强度是原来磁感应强度2倍的匀强磁场,则( ) A 、粒子的速率加倍,周期减半. B 、粒子速率不变,轨道半径减半.C 、粒子速率减半,轨道半径变为原来的l/2D 、粒子的速率不变,周期减半 3、下列说法正确的是( )A 、机械能全部变成内能是不可能的B 、第二类永动机不可能制造成功的原因是因为能量既不会凭空产生,也不会凭空消失,只能从一个物体转移到另个物体,或从一种形式转化成另一种形式C 、根据热力学第二定律可知,热量不可能自发的从低温物体传到高温物体D 、.从单一热源吸收的热量全部用来对外做功是可能的 4、如图l 所示,电路中A ,B 为两块平行的竖直放置的金属板,Q 是一只静电计,开关S 合上后,静电计指针张开一个角度,下述哪些做法可使指针张角增大( )。

A 、使A 、B 两板靠近一些 B 、使A 、B 两板正对面积错开一些C 、断开S 后,使B 板向右平移拉开一些D .断开S 后,使AB 正对面积错开一些5、质谱议是一种测定带电粒子质量和分析同位素的重要工具,它的构造原理如图2所示,离子源S 可以发出各种不同的正离子束,离子从s 出来时速度很小,可以看作是静止的,离子经过加速后垂直进入有界匀强磁场(图中虚线所示的区域),并沿着半圆周运动而到达照相底片上的P 点,测得P 点到入口S ,的距离为x ,以下判断正确的是( ) A 、若离子束是同位素,则x 越大,离子质量越大 B 、若离子束是同位素,财x 越大,离子质量越小 C 、只要X 相同,则离子质量一定相同D 、只要X 相同,则离子的荷质比一定相同6、水平长直导线中有恒定电流I 通过,导线正下方的电子初速度方向与电流方向相同,如图3所示,则电子的运动情况是( ) A 、沿路径oa 运动 B 、沿路径ob 运动 C 、沿路径oc 运动 D 、沿路径od 运动7、图4中a 、b 为竖直向上的电场线上的两点,一带电质点在a 点由静止释放,沿电场线向上运动,到b 点恰好速度为零,下列说法中正确的是( )A 、带电质点在a 、b 两点所受的电场力都是竖直向上的B 、a 点的电势比b 点的电势高C 、带电质点在a 点的电势能比在b 点的电势D 、a 点的电场强度比b 点的电场强度大 8、如图5所示,半径为R 的绝缘筒中存在有磁感应强度为B 的匀强磁场,质量为m 、电量为q(不计重力)的正离子以速度v 从圆筒上C 孔处沿直径方向射入筒内。

若离子与筒碰撞两次后又从C 孔飞出(不计碰撞能量损失及碰撞时间),则离子在筒中运动时间为( ) A 、v R π2 B 、v R π3 C 、qB m π D 、qBmπ329、如图6所示的电路中,电源电动势为E ,内电阻为r ,闭合开关S ,待电流达到稳寇后,电流表示数为I ,电压表示数为U ,电容器C 所带电荷量为Q ,电源输出功率为P 出将滑动变阻器的滑动触头P 从图示位置向a 端移动一些,待电流达到稳定后,则与P 移动前相比( ) A 、U 变小 B 、I 变小C 、Q 增大D 、P 出增大 1 0、如图7所示,汽缸与活塞均由绝热性能良好的材料制成,汽缸中封闭有一定质量的气体A ,汽缸、活塞、气体A 均处于平衡状态,然后对活塞施加外力F ,推动活塞压缩气体,在气体被压缩的过程中叙述正确的是( ) A 、气体压强增大,温度升高B 、活塞对气体做功,气体的内能增加C 、由于汽缸和活塞均不导热,所以气体温度不变,压强增大D 、气体内能不变,恒力F 对气体所做的功可能等于气体向外放出的热量l1、如图8所示,在水平正交的匀强电场和匀强磁场中,E=4V /m ,B=2T,一质量为m=1.0×l0-3kg 的带正电的小物块P 带电量q=2.5×10-3C ,从绝缘粗糙的竖直墙壁的A 点无初速下滑,物体与墙壁间动摩擦因素μ=0.5,当它向下滑行h=0.8m .到达C 点时,离开墙壁做曲线运动,当它运动到与墙的水平距离为0.6m 时,竖直方向下落的高度即D 与A 的高度差H=1.6m 。

(g=l0m /s 2)( ) A 、物块下滑过程中克服摩擦力做功为4×1 0-3J B 、物块下滑过程中克服摩擦力傲功为6×1 0-3J C 、物块下滑到C 点时速度大小为s m /2 D 、物块下滑到D 点时速度大小为s m /3212、如图9所示,初速度为零的电子经电压1U 加速后,垂直进入偏转电场,离开电场时偏移量是Y ,偏转板间的距离为d ,偏转电压为2U ,板长为L ,为了提高偏转灵敏度(每单位偏转电压引起的偏移量),可采取的措施有( ) A 、增大偏转电压 B 、尽可能使L 短些C 、尽可能使d 小些D 、使1U 变大些;二、填空和实验题:(13、15题各6分,1 4题7分,16题5分。

)13、用电流表和电压表测定电池的电动势和内电阻的实验中,有两种电路可供选择,若所测干电池内阻较小,为减小内阻测量的误差,实验电路应选择图10中的 图(填甲或乙)若根据某次实验记录数据画出的U —I 图像如图l1所示,下列关于这个图象的说法中正确的是 。

A 、纵轴截距表示待测电源的电动势,即E=3VB 、横轴截距表示短路电流,即I 短=0.6AC 、根据r=E /I 短,计算出待测电源内阻为5ΩD 、根据IUr ∆∆=计算出待测电源内电阻为1.0Ω。

l 4、将电流表改装成电压表的实验中(1)在测定电流表内阻时,备用的器件有: A 、小量程电流表(量程0~100μA). B 、标准电压表(量程0~5V)C 、电阻箱(阻值范围0~9999Ω)D 、电阻箱(阻值范围O ~99999Ω)}E 、电源(电动势2 V ,有内阻)F 、电源(电动势6V ,有内阻)G 、滑动变阻器(阻值范围0~50Ω,额定电流1.5A)还有若干导线和开关。

如果采用如图12所示电路,测定小量程电流表A 的内阻并且要想得到较高的精度,那么从以上备用的器件中,可变电阻R 1应选用 ,可变电阻R 2应选用 ,电源E 应选用 (用字母代号填写)(2)实验时先闭合S 调节R ;使电流表指针偏转到满刻度;再闭合S 2,保持R l 不变,调节R 2使电流表指针偏转到满刻度的2/3,读出此时R 2的阻值为200Ω,则电流表内阻的测量值R 2= Ω。

(3)把改装好的电压表与标准电压表进行核对,要求电压从零开始核对,在图13中用笔画线代替导线,将图中没有连接的导线在实物图上画出。

15、如图14所示,在匀强电场中一带正电的小球以某一初速度从绝缘斜面上滑下,并沿与斜面相切的绝缘圆轨道通过最高点。

已知圆轨道半径为R=2m,匀强电场水平向右,场强为E=100V/m ,小球质量为m=lkg ,带电量为7.5×10-2C ,不计运动中的摩擦阻力,则小球下滑到圆轨道最低点的速度至少为 m/s ,在此情况下,小球通过圆轨道最高点时对轨道的压力为 N 。

(g=10m/s)16、温度传感器广泛应用于室内空调,电冰箱等家用电器中,它是利用热敏电阻的阻值随温度变化的特性来工作的。

如图15甲所示,电源的电动势E=9.0V,内阻不计;G为灵敏电流表,内阻Rg保持不变;R为热敏电阻。

其阻值与温度的变化关系如图15乙所示。

闭合开关S,当R的温度等于20℃时,电流表示数I1=2mA;当电流表的示数I2=3.6mA时,热敏电阻的温度是℃三、计算题:(17题8分,18题8分,19题12分。

)17、如图16所示,通电直导线ab质量为m、长为L水平地放置在倾角为e的光滑斜面上,通以图示方向的电流,电流强度为I,要求导线ab静止在斜面上。

(1)若磁场的方向竖直向上,则磁感应强度为多大?(2)若要求磁感应强度最小,则磁感应强度大小和方向如何?18、如图17所示的电路中,已知电源内阻r=lΩ,R;=4Ω,A、B为水平放置的平行板电容器,当只有S1闭合时,一电子从A板由静止开始飞到B板时速度为v;当S1,S2均闭合时,电子从A板飞到B板过程中飞经板的中点C时速度为,求R2的阻值。

19、一静止的带电粒子电量为+q,质量为m(不计重力)。

从P点经场强为E的匀强电场加速,运动了距离L经A孔垂直磁场进入右边的有界磁场B1,穿过B1后进入空间足够大的磁场B2。

B1和B2的磁感应强度大小均为B,方向相反,如图18所示。

若带电粒子能按某一路径再由A点返回电场并回到出发点P,而重复前述过程(虚线为相反方向磁场的分界面并不表示什么障碍物)求(1)粒子经过A点时的动量(2)磁场B1的宽度d多大?(3)粒子第一次回到P点的过程中在B1、B2两磁场中的运动时间t1、t2之比为多少?题号 1 2 3 4 5 6 选项题号7 8 9 10 11 12 选项13、,。

14、(1),,。

(2)。

15、,。

16、。

答案:13、甲、AD 14、D 、C 、F 、100 15、115、7.5 16、120 17、(1)IL mg θtan (2)ILmg θsin 18、5Ω19、(1)mqEL P 2= (2)BqmqELd 26= (3)2∶5Ω。

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