半导体存储器原理实验一、实验目的：1、掌握静态存储器的工作特性及使用方法。
2、掌握半导体随机存储器如何存储和读取数据。
二、实验要求：按练习一和练习二的要求完成相应的操作，并填写表2.1各控制端的状态及记录表2.2的写入和读出操作过程。
三、实验方案及步骤：1、按实验连线图接线，检查正确与否，无误后接通电源。
2、根据存储器的读写原理，按表2.1的要求，将各控制端的状态填入相应的栏中以方便实验的进行。
3、根据实验指导书里面的例子练习，然后按要求做练习一、练习二的实验并记录相关实验结果。
4、比较实验结果和理论值是否一致，如果不一致，就分析原因，然后重做。
四、实验结果与数据处理：（1）表2.1各控制端的状态（2）练习操作数据1：（AA）16 =（10101010）2写入操作过程：1)写地址操作：①应设置输入数据的开关状态：将试验仪左下方“INPUT DEVICE”中的8位数据开关D7-D0设置为00000000即可。
②应设置有关控制端的开关状态：先在实验仪“SWITCH UNIT”中打开输入三态门控制端，即SW-B=0，打开地址寄存器存数控制信号，即LDAR=1,关闭片选信号（CE），写命令信号（WE）任意，即CE=1,WE=0或1。
③应与T3脉冲配合可将总线上的数据作为地址输入AR地址寄存器中：按一下微动开关START即可。
④应关闭AR地址寄存器的存数控制信号：LDAR=0。
2）写内容操作：①应设置输入数据的开关状态：将试验仪左下方“INPUT DEVICE”中的8位数据开关D7-D0设置为10101010。
②应设置有关控制端的开关状态：在实验仪“SWITCH UNIT”中打开输入三态门控制端，即SW-B=0，关闭地址寄存器存数控制信号，即LDAR=0，打开片选信号（CE）和写命令信号（WE），即CE=0,WE=1。
③应与T3脉冲配合可将总线上的数据写入存储器6116的00000000地址单元中：再按一下微动开关START即可。
④应关闭片选信号和写命令信号：即CE=1,WE=0。
读出操作过程：1）写地址操作：参考写入操作的写地址操作2）读内容操作：①关闭输入三态门控制端，即SW-B=1。
②地址寄存器存数控制信号(LDAR)任意，不过最好关闭，即LDAR=0，防止误按脉冲信号存入数据。
③关闭写命令信号（WE）,即WE=0，打开片选信号（CE）,即CE=0，不需要T3脉冲，即不要按微动开关START。
此时00000000地址的内容通过“BUS UNIT”中数据显示灯B7-B0显示出来。
数据2：（55）16 =（01010101）2写入操作过程：1)写地址操作：①设置输入数据的开关状态：将试验仪左下方“INPUT DEVICE”中的8位数据开关D7-D0设置为00000001。
②设置有关控制端的开关状态：在实验仪“SWITCH UNIT”中打开输入三态门控制端，即SW-B=0，打开地址寄存器存数控制信号，即LDAR=1,关闭片选信号（CE），写命令信号（WE）任意，即CE=1,WE=0或1。
③与T3脉冲配合可将总线上的数据作为地址输入AR地址寄存器中：按一下微动开关START即可。
④关闭AR地址寄存器的存数控制信号：LDAR=0。
2）写内容操作：①设置输入数据的开关状态：将试验仪左下方“INPUT DEVICE”中的8位数据开关D7-D0设置为01010101。
②设置有关控制端的开关状态：在实验仪“SWITCH UNIT”中打开输入三态门控制端，即SW-B=0，关闭地址寄存器存数控制信号，即LDAR=0，打开片选信号（CE）和写命令信号（WE），即CE=0,WE=1。
③与T3脉冲配合可将总线上的数据写入存储器6116的00000001地址单元中：按一下微动开关START即可。
④关闭片选信号和写命令信号：CE=1,WE=0。
读出操作过程：1）写地址操作：参考写入操作的写地址操作2）读内容操作：①关闭输入三态门控制端，即SW-B=1。
②地址寄存器存数控制信号(LDAR)任意，不过最好关闭，即LDAR=0，防止误按脉冲信号存入数据。
③关闭写命令信号（WE）,即WE=0，打开片选信号（CE）,即CE=0，不需要T3脉冲，即不要按微动开关START。
此时00000001地址的内容通过“BUS UNIT”中数据显示灯B7-B0显示出来。
数据3：（33）16 =（00110011）2写入操作过程：1)写地址操作：①设置输入数据的开关状态：将试验仪左下方“INPUT DEVICE”中的8位数据开关D7-D0设置为00000010。
②设置有关控制端的开关状态：在实验仪“SWITCH UNIT”中打开输入三态门控制端，即SW-B=0，打开地址寄存器存数控制信号，即LDAR=1,关闭片选信号（CE），写命令信号（WE）任意，即CE=1,WE=0或1。
③与T3脉冲配合可将总线上的数据作为地址输入AR地址寄存器中：按一下微动开关START即可。
④关闭AR地址寄存器的存数控制信号：LDAR=0。
2）写内容操作：①设置输入数据的开关状态：将试验仪左下方“INPUT DEVICE”中的8位数据开关D7-D0设置为00110011。
②设置有关控制端的开关状态：在实验仪“SWITCH UNIT”中打开输入三态门控制端，即SW-B=0，关闭地址寄存器存数控制信号，即LDAR=0，打开片选信号（CE）和写命令信号（WE），即CE=0,WE=1。
③与T3脉冲配合可将总线上的数据写入存储器6116的00000010地址单元中：按一下微动开关START即可。
④关闭片选信号和写命令信号：CE=1,WE=0。
读出操作过程：1）写地址操作：具体操作参照写入操作过程的写地址操作过程。
2）读内容操作：①关闭输入三态门控制端，即SW-B=1。
②地址寄存器存数控制信号(LDAR)任意，不过最好关闭，即LDAR=0，防止误按脉冲信号存入数据。
③关闭写命令信号（WE）,即WE=0，打开片选信号（CE）,即CE=0，不需要T3脉冲，即不要按微动开关START。
此时00000010地址的内容通过“BUS UNIT”中数据显示灯B7-B0显示出来。
数据4：（44）16 =（01000100）2写入操作过程：1)写地址操作：①设置输入数据的开关状态：将试验仪左下方“INPUT DEVICE”中的8位数据开关D7-D0设置为00000011。
②设置有关控制端的开关状态：在实验仪“SWITCH UNIT”中打开输入三态门控制端，即SW-B=0，打开地址寄存器存数控制信号，即LDAR=1,关闭片选信号（CE），写命令信号（WE）任意，即CE=1,WE=0或1。
③与T3脉冲配合可将总线上的数据作为地址输入AR地址寄存器中：按一下微动开关START即可。
④关闭AR地址寄存器的存数控制信号：LDAR=0。
2）写内容操作：①设置输入数据的开关状态：将试验仪左下方“INPUT DEVICE”中的8位数据开关D7-D0设置为01000100。
②设置有关控制端的开关状态：在实验仪“SWITCH UNIT”中打开输入三态门控制端，即SW-B=0，关闭地址寄存器存数控制信号，即LDAR=0，打开片选信号（CE）和写命令信号（WE），即CE=0,WE=1。
③与T3脉冲配合可将总线上的数据写入存储器6116的00000011地址单元中：按一下微动开关START即可。
④关闭片选信号和写命令信号：CE=1,WE=0。
读出操作过程：1）写地址操作：具体操作参照写入操作过程的写地址操作过程。
2）读内容操作：①关闭输入三态门控制端，即SW-B=1。
②地址寄存器存数控制信号(LDAR)任意，不过最好关闭，即LDAR=0，防止误按脉冲信号存入数据。
③关闭写命令信号（WE）,即WE=0，打开片选信号（CE）,即CE=0，不需要T3脉冲，即不要按微动开关START。
此时00000011地址的内容通过“BUS UNIT”中数据显示灯B7-B0显示出来。
数据5：（66）16 =（01100110）2写入操作过程：1)写地址操作：①设置输入数据的开关状态：将试验仪左下方“INPUT DEVICE”中的8位数据开关D7-D0设置为00000100。
②设置有关控制端的开关状态：在实验仪“SWITCH UNIT”中打开输入三态门控制端，即SW-B=0，打开地址寄存器存数控制信号，即LDAR=1,关闭片选信号（CE），写命令信号（WE）任意，即CE=1,WE=0或1。
③与T3脉冲配合可将总线上的数据作为地址输入AR地址寄存器中：按一下微动开关START即可。
④关闭AR地址寄存器的存数控制信号：LDAR=0。
2）写内容操作：①设置输入数据的开关状态：将试验仪左下方“INPUT DEVICE”中的8位数据开关D7-D0设置为01100110。
②设置有关控制端的开关状态：在实验仪“SWITCH UNIT”中打开输入三态门控制端，即SW-B=0，关闭地址寄存器存数控制信号，即LDAR=0，打开片选信号（CE）和写命令信号（WE），即CE=0,WE=1。
③与T3脉冲配合可将总线上的数据写入存储器6116的00000100地址单元中：按一下微动开关START即可。
④关闭片选信号和写命令信号：CE=1,WE=0。
读出操作过程：1）写地址操作：操作参照写入操作过程的写地址操作过程。
2）读内容操作：①关闭输入三态门控制端，即SW-B=1。
②地址寄存器存数控制信号(LDAR)任意，不过最好关闭，即LDAR=0，防止误按脉冲信号存入数据。
③关闭写命令信号（WE）,即WE=0，打开片选信号（CE）,即CE=0，不需要T3脉冲，即不要按微动开关START。
此时00000100地址的内容通过“BUS UNIT”中数据显示灯B7-B0显示出来。
数据6：（08）16 =（00001000）2写入操作过程：1)写地址操作：①设置输入数据的开关状态：将试验仪左下方“INPUT DEVICE”中的8位数据开关D7-D0设置为00000101。
②设置有关控制端的开关状态：在实验仪“SWITCH UNIT”中打开输入三态门控制端，即SW-B=0，打开地址寄存器存数控制信号，即LDAR=1,关闭片选信号（CE），写命令信号（WE）任意，即CE=1,WE=0或1。
③与T3脉冲配合可将总线上的数据作为地址输入AR地址寄存器中：按一下微动开关START即可。
④关闭AR地址寄存器的存数控制信号：LDAR=0。
2）写内容操作：①设置输入数据的开关状态：将试验仪左下方“INPUT DEVICE”中的8位数据开关D7-D0设置为00001000。
②设置有关控制端的开关状态：在实验仪“SWITCH UNIT”中打开输入三态门控制端，即SW-B=0，关闭地址寄存器存数控制信号，即LDAR=0，打开片选信号（CE）和写命令信号（WE），即CE=0,WE=1。