具有温度补偿的硅稳压管 DZ1
(1) DZ2
(2)
把一只αU为正 的管子与另一 只αU为负的管
子串联
将两只αU 为正 的稳压管串联
3. 硅稳压管的等效电路
UZ0 UZ
iZ O
理想二极管
uZ
Q
IZ
等效电路
D2
rZ
D1
D3
UZ0
反向击穿时端电压表达式
反向
正向
4. 硅稳压管稳压电路
RI
+
IZ
UI
DZ
_
R——限流电阻
IO
+
RL UO
_
(1) 稳压原理
RI
IO
+
IZ
+
UI
DZ
RL UO
_
_
a. UI不稳定
UI↑ → UO↑ → UZ ↑ → IZ↑ → I↑ → I R↑
UO↓
b. RL改变
RI
IO
+
IZ
+
UI
DZ
RL UO
_
_
RL↓ → UO↓ → UZ ↓ → IZ↓ → I↓ → I R↓
A
O
uZ
(4) 最大允许功率耗散PZM
IZ Q
B
IZ
(5) 温度系数 U
温度系数 U
定义： 温度每变化1C时UZ的相对变化率。即
UZ
U
UZ T
100%
UZ > 6V管子出现雪崩击穿，αU 为正； UZ < 4V 出现齐纳击穿，αU 为负; 4V < UZ < 6V，αU可能为正，也可能为负。
R
R
RI IZ
DZ
IO
+
RL UO
_
由式
I UI UZ R
IZ = I－IO
RI
IO
+
IZ
+
UI
DZ
RL UO_ຫໍສະໝຸດ _知 当UI为最大值UI(max)时，I值最大； 此时当IO为最小值IO(min)时，IZ值最大。
RI
为保证管子安全 +
IZ
工作,应使 UI
DZ
_
I U RU I I(max) Z
≤ O(min) ZM
UO↑
(2) 限流电阻计算
+
UI
_
RI IZ
DZ
IO
+
RL UO
_
输出电压稳定的条件
UI
RL R RL
≥
UZ
（保证稳压管被击穿）
RI
+
IZ
UI
DZ
_
稳压管正常工作的条件 IZ(min)≤IZ≤IZM
IO
+
RL UO
_
图中
+
UO=UZ
UI
IO
UO RL
UZ RL
_
IZ = I－IO
IUIUOUIUZ
由此可得
R≥ U I(max) U Z
I I O(min)
ZM
IO
+
RL UO
_
由式
I UI UZ R
IZ = I－IO
RI
IO
+
IZ
+
UI
DZ
RL UO
_
_
知 当UI为最大值UI(min)时，I值最小； 此时当IO为最大值IO(max)时，IZ值最小。
RI
为保证电路正
+
IZ
常工作，应使
UI
I(min)
Z
I I O(min)
ZM
I I O(max)
Z(min)
DZ
_
U RU I I I(min) Z
≥ O(max) Z(min)
由此可得
R≤
U U I(min)
Z
I I O(max)
Z(min)
IO
+
RL UO
_
由式 及
得
R≥ U I(max) U Z
I I O(min)
ZM
R≤
U U I(min)
Z
I I O(max)
Z(min)
U U U I(max) U Z ≤ R≤
硅稳压二极管
1 硅稳压二极管
符号
+ uZ – iZ
iZ
伏安特性
UZ
UZ
A
IZ Q
B
特点
O
uZ a. 正向特性与普通管一样
b. 反向击穿特性很陡
IZ
稳压管通常工作于
反向电击穿状态
2. 硅稳压管的主要电参数
iZ
(1) 稳定电压UZ
(2) 动态电阻
r UZ Z IZ
(3) 最大允许工作电流IZM
UZ
UZ