准谐振反激的原理、应用及参数计算
如果不用固定的时钟来初始化导通时间,而利用检测电路来有效地“感测”MOSFET (VDS) 漏源电压的第一个最小值或谷值,并仅在这时启动MOSFET导通时间,结果会是由于寄生电容被充电到最小电压,导通的电流尖峰将会最小化。

这情况常被称为谷值开关(Valley Switching) 或准谐振开关。

这篇文章的目的目的在于和大家分享关于准谐振反激的原理、应用及参数计算方面的知识。

准谐振QR
Q(Quasi)
R( resonant)
主要是降低mosfet的开关损耗，而mos的开关损耗主要是来源于自身的输出电容。

从上图中，大家可以讨论一下，一般的开关损耗来自于那几个部分的寄生电容产生的。

在传统的非连续模式反激DCM)的停滞时间内，寄生电容将会跟VDC周围的主要电感产生振荡。

寄生电容上的电压会随振荡而变。