第1章半导体器件一、是非题 (注:请在每小题后[ ]内用"√"表示对,用"×"表示错)1、P型半导体可通过在本半导体中掺入五价磷元素而获得。

（）2、N型半导体可以通过在本征半导体中掺入三价元素而得到。

（）3、在N型半导体中，掺入高浓度的三价杂质可以发型为P型半导体。

（）4、P型半导体带正电，N型半导体带负电。

（）5、N型半导体的多数载流子是电子，所以它带负电。

（）6、半导体中的价电子易于脱离原子核的束缚而在晶格中运动。

（）7、半导体中的空穴的移动是借助于邻近价电子与空穴复合而移动的。

（）8、施主杂质成为离子后是正离子。

（）9、受主杂质成为离子后是负离子。

（）10、PN结中的扩散电流是载流子在电场作用下形成的。

（）11、漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。

（）12、由于PN结交界面两边存在电位差，所以，当把PN结两端短路时就有电流流过。

（）13、PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。

（）14、二极管的伏安特性方程式除了可以描述正向特性和反向特性外，还可以描述二极管的反向击穿特性。

（）15、通常的BJT管在集电极和发射极互换使用时，仍有较大的电流放大作用。

（）16、有人测得某晶体管的U BE=，I B=20μA，因此推算出r be=U BE/I B=20μA=35kΩ。

（）17、有人测得晶体管在U BE=，I B=5μA，因此认为在此工作点上的r be大约为26mV/I B=Ω。

（）18、有人测得当U BE=，I B=10μA。

考虑到当U BE=0V时I B=0因此推算得到0.6060()100BE be B U r k I ∆-===Ω∆- （ ）二、选择题(注:在每小题的备选答案中选择适合的答案编号填入该题空白处,多选或不选按选错论) . 1、在绝对零度（0K ）时，本征半导体中_________ 载流子。

A. 有B. 没有C. 少数D. 多数2、在热激发条件下，少数价电子获得足够激发能，进入导带，产生_________。

A. 负离子B. 空穴C. 正离子D. 电子-空穴对3、半导体中的载流子为_________。

A.电子 B.空穴 C.正离子 D.电子和空穴4、N 型半导体中的多子是_________。

A.电子 B.空穴 C.正离子 D.负离子5、P 型半导体中的多子是_________。

A.电子 B.空穴 C.正离子 D.负离子6、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 ，而少数载流子的浓度则与 有 很大关系。

A. 温度 B. 掺杂工艺 C. 杂质浓度 C. 晶体缺陷7、当PN 结外加正向电压时，扩散电流 漂移电流，耗尽层 。

当PN 结外加反向电压 时，扩散电流 漂移电流，耗尽层 。

A.大于B.小于C.等于D.变宽E.变窄F.不变8、二极管正向电压从增大15%时，流过的电流增大_______。

（A 1．15% B 1．大于15% C 1．小于15%）当流过二极管的电流一定，而温度升高时，二极管的正向电压______。

（A 2．增大B 2．减小；C 2．基本不变）9、温度升高时，二极管的反向伏安特性曲线________。

（A 1．上移 B 1．下移 C 1．不变）说明此时反向电流________。

（A 2．减小 B 2．增大 C 2．不变）.10、在下图所示电路中，当电源V=5V 时，测得I=1mA 。

若把电源电压调整到V=10V ，则电流的大小将是[ ] I=2mA <2mA >2mA D.不能确定图图图11、图所示电路中电源V=5V不变。

当温度为20O C时测得二极管的电压U D=。

当温度上生到为40O C时,则U D的大小将是[ ]A.仍等于B.大于C. 小于D.不能确定12、设图电路中保持V=5V不变，当温度为20℃时测得二极管的电流I=2mA。

当温度上升到40℃时，则I的大小将是。

A. I=2mA B. I<2mA C. I>2mA 13、图中，二极管的正向压降可以忽略，反向饱和电流 mA, 反向击穿电压为5V,击穿后电压基本不随电流而变化，这时电路中的电流I等于[ ]A. 0.1 mAB. mAC. 5mAD. 15 mA14、二极管的主要特性是[ ]A.放大特性B.恒温特性C.单向导电特性D.恒流特性15、在下图所示电路中，D1～D3为理想二极管，A、B、C白炽灯泡功率都相同，其中最亮的灯是_________。

A. b B. c C. a16、二极管电路如下图所示，判断图中二极管是导通还是截止后，可确定电路的输出电压V o为______。

(设二极管的导通压降0) A.5.6V图图图图17、二极管电路如上图所示，判断图中二极管是导通还是截止后，可确定电路的输出电压V o为______(设二极管的导通压降为18、二极管电路如上图所示，判断图中二极管是导通还是截止后，可确定电路的输出电压V o为______。

(设二极管的导通压降为、电路如下图所示。

试估算A点的电位为_________。

（设二极管的正向压降为。

）A. 6.7VB. 6VC.D.20、已知如下图所示电路中V A＝0V，V B＝5V，分析二极管的工作状态后，可确定V o的值为_____。

（设二极管的正向压降为。

）图图图 (a) 图 (b)21、设硅稳压管D Z1和D Z2的稳定电压分别为5V和8V，正向压降均为，可求出图(a)中电路的输出电压V o为_______；可求出图(b)中电路的输出电压V o为_______；可求出图(c)中输出电压V o为_______；可求出图(d)中输出电压V o为_______。

A.0.7V G..13V图(c) 图(d) 图(a) 图(b)22、已知D Z1、D Z2的稳压值分别为6V和7V，且具有理想的稳压特性，可求得图(a)路中，输出电压为_________；可求得图(b)中输出电压为_________。

A. 1VB. 5VC. 6VD. 13VE. 7V23、二极管的双向限幅电路如右图所示。

设v i为幅值大于直流电源V C1(=－V C2)值的正弦波，二极管为理想器件。

则可画出v o的波形为_________。

A. a)B. b)C. c)D. d)24、在同一测试电路中，分别测得A、B和C三个二极管电流如下表所示。

二极管的性能最好的是_________。

A. a)B. b)C. c管号加正向电压时的电流加反向电压时的电流a)1μAb)5mAμAc)2mA5μA25、一个硅二极管在正向电压U D=时，正向电流I D=10mA。

若U D增大到（即增加10%），则电流I D。

A.约为11mA（也增加10%）； B.约为20mA（增大1倍）；C.约为100mA（增大到原先的10倍）；D.仍为10mA（基本不变）。

26、用万用表判别放大电路中处于正常工作的某个晶体管的类型（指NPN型还是PNP型）与三个电极时以测出最为方便。

A.中极间电阻B.各极对地电位C.各极电流27、温度升高时，晶体管的电流放大系数β，反向饱和电流I CBO，正向结电压U BE。

A.变大 B.变小 C.不变28、温度升高时，晶体管的共射输入特性曲线将，输出特性曲线将，而且输出特性曲线之间的间隔将。

A.上移B.下移C.左移D.右移E.增大F.减小G.不变29、双极型晶体三极管在放大状态工作时的外部条件是。

A 发射结正偏，集电结正偏B 发射结正偏，集电结反偏C 发射结反偏，集电结反偏D 发射结反偏，集电结正偏30、在晶体管放大电路中，测得晶体管的各个电极的电位如下图所示，该晶体管的类型是。

型硅管型硅管型锗管型锗管31、某三极管各个电极的对地电位如图所示，可判断其工作状态是。

A.饱和B.放大C.截止D.已损坏2V 6V图图32、三极管的穿透电流I CEO是集-基反向饱和电流的倍. +β C.β33、三极管工作在饱和区时，b-e极间为，b-c极间为；工作在放大区时，b-e 极间为，b-c极间为。

A. 扩散电流 B. 漂移电流34、某三极管的极限参数P CM=150mW，I CM=100mA，V（BR）CEO=30V。

若它的工作电压V CE=10V，则工作电流I C不得超过 mA（ B. 15mA C. 1mA）；若工作电压V CE=1V，则工作电流不得超过 mA（ B. 15mA C. 1mA）；若工作电流I C=1mA，则工作电压不得超过 V（A. 30V B. 10V C. 1V）。

三、计算题1.写出图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝。

图2.已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Zmin＝5mA。

求图所示电路中U O1和U O2各为多少伏。

图3 电路如图所示，已知u i＝10sinωt(v)，试画出u i与u O的波形。

设二极管正向导通电压可忽略不计。

图4 电路如图所示，已知u i＝5sinωt(V)，二极管导通电压U D＝。

试画出u i与u O的波形，并标出幅值。

图5 电路如图（a）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b）所示，二极管导通电压U D＝。

试画出输出电压u O的波形，并标出幅值。

图6现有两只稳压管，它们的稳定电压分别为6V和8V，正向导通电压为。

试问：（1）若将它们串联相接，则可得到几种稳压值各为多少（2）若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值各为多少7已知图所示电路中稳压管的稳定电压U Z＝6V，最小稳定电流I Zmin＝5mA，最大稳定电流I Zmax ＝25mA。

（1）分别计算U I为10V、15V、35V三种情况下输出电压U O的值；（2）若U I＝35V时负载开路，则会出现什么现象为什么图8已知稳压管的稳定电压U Z＝6V，稳定电流的最小值I Zmin＝5mA，最大功耗P ZM＝150mW。

试求图所示电路中电阻R的取值范围。

图9.在图所示电路中，发光二极管导通电压U D＝，正向电流在5～15mA时才能正常工作。

试问：（1）开关S在什么位置时发光二极管才能发光（2）R的取值范围是多少图10电路如图（a）、（b）所示，稳压管的稳定电压U Z＝3V，R的取值合适，u I的波形如图（c）所示。

试分别画出u O1和u O2的波形。

图11.有两只晶体管，一只的β＝200，I CEO＝200μA；另一只的β＝100，I CEO＝10μA，其它参数大致相同。

你认为应选用哪只管子为什么12测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图所示。

在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管。

图13.已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100，现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图所示。

分别求另一电极的电流，标出其实际方向，并在圆圈中画出管子。