它相当于集电结的反向饱 和电流。
三极管的直流参数
b.集电极发射极间的反向饱和电流ICEO
ICEO和ICBO之间的关系：ICEO=
（1+ ）ICBO
相当于基极开路时，集电极 和发射极间的反向饱和电流，即 输出特性曲线IB=0时曲线所对应 的Y坐标的数值,如图所示。
三极管的交流参数 2.交流参数 ①交流电流放大系数 a.共发射极交流电流放大系数 =IC/IBvCE=const
的70～30％时，所对应的集电极电流称 为集电极最大允许电流ICM。至于值下 降多少，不同型号的三极管，不同的厂 家的规定有所差别。可见，当IC＞ICM 时，并不表示三极管会损坏。
Icm
VCE=7V =IC /IB
IB/uA
三极管的极限参数 ②集电极最大允许功率损耗PCM 集电极电流通过集电结时所产生的功耗，
在放大区 值基本不变，
可在共射接法输出特性曲线 上通过垂直于X 轴的直线求 取IC/IB。或在图上通过求 某一点的斜率得到。具体方 法如图所示。
三极管的交流参数 b.共基极交流电流放大系数α =IC/IE VCB=const
当ICBO和ICEO很小时， ≈，可以不加区分。 ≈、
三极管的参数
半导体三极管的参数 直流参数 交流参数
半导体三极 管的参数分 为三大类:
极限参数
1. 直流参数
① 直流电流放大系数 a.共基极直流电流放大系数： = IC/IE= IB/1+ IB= /1+
三极管的直流参数 b.共射极直流电流放大系数：
β =（IC－ICEO）/IB≈IC / IB
②特征频率fT 三极管的值不仅与工作电流有关， 而且与工作频率有关。由于结电容的影 响，当信号频率增加时，三极管的将会 下降。当下降到1时所对应的频率称为
特征频率，用fT表示。
三极管的极限参数 (3)极限参数 ①集电极最大允许电流ICM Ic/mA
如图所示，当集电极电流增加时，
就要下降，当值下降到线性放大区值
PCM= ICVCB≈ICVCE，
因发射结正偏，呈低阻，所以功耗主要集中 在集电结上。 在计算时往往用VCE取代VCB。
三极管的极限参数 ③反向击穿电压:反向击穿电压表示三极管电极间承受反向电 压的能力，其测试时的原理电路如图所示。
BR代表击穿之意，是Breakdown的字头。 几个击穿电压在大小上有如下关系：
vCE=t
在放大区基本不变。在共发射极输出特性曲线上，通过垂直
于X轴的直线(vCE=const)来求取 IC / IB ，如下左图所示。在 IC 较小 时和 IC 较大 时，会有所减小，这一关系见下右图。
三极管的直流参数 ② 极间反向电流 a.集电极基极间反向饱和电流ICBO CB代表集电极和基极 O是Open的字头，代表第 三个电极E开路
c.V(BR)CEO
对于V(BR)CER表示BE间接有电阻，V(BR)CES表示BE 间是短路的。
V(BR)CBO≈V(BR)CES＞V(BR)CER＞V(BR)CEO＞V(BR) EBO
三极管的极限参数
a.V(BR)CBO b.V(BR) EBO
发射极开路时的集电结击穿电压。下标CB代 表集电极和基极，O代表第三个电极E开路。
集电极开路时发射结的击穿电压。 基极开路时集电极和发射极间的击 穿电压。