PNP晶体管的发射极电位最高，集电极电位最低，为Ube<0。

根据结构的不同，晶体管可分为NPN型和PNP型。

当PNP晶体管的管打开时，即=（放大倍率+1）*IB与ICB无关。

当ICB=0且ICB>0时，可能与PNP晶体管有关。

当晶体管正常工作时，无论是在工作放大区还是在饱和区，ICB=0，当UEB>0.7V（硅）和RC/RB<放大倍数时，PNP晶体管工作在饱和区，否则在放大区工作。

扩展数据：
1三极管的结构型式
晶体管用于使半导体衬底上的两个PN结彼此靠近。

两个PN结将正半导体分成三个部分，中间部分是基极区，发射区和集电极区在两侧。

安排为PNP和NPN。

三个电极e和C分别来自基极和相应的发射极区域。

发射极与基极之间的PN结称为发射极结，集电极与基极之间的PN结称为集电极结。

基区薄，发射区厚，杂质浓度高。

PNP晶体管的发射区将“发射”孔，其移动方向与电流方向一致，因此发射器箭头指向内侧。

NPN晶体管的发射区发射自由电子，其移动方向与电流方向相反，因此发射极箭头指向外侧。

发射极箭头也是PN结在正向电压下的传导方向。

硅晶体管和锗晶体管都有PNP和NPN类型。

2工作状态
1截止日期
当施加在晶体管发射极结的电压小于PN结的开启电压时，基极电流为零，集电极电流和发射极电流均为零，晶体管失去电流放大，集电极和发射极相当于关断状态，我们称三极管处于关闭状态。

2放大态
当施加在三极管发射极结上的电压大于PN结的开启电压并处于适当的值时，三极管的发射极结为正向偏压，而集电极结为反向偏压。

方向。

此时，基极电流控制集电极电流，使晶体管具有电流放大效应。

电流放大系数β=ΔIC/ΔIB，晶体管处于放大状态。

三。

饱和传导
当基极晶体管的电流增加到一定水平时，它不会随着基极晶体管电压的增加而改变。

此时，三极管失去电流放大效应，集电极和发射极之间的电压很小，相当于开关的导通状态。

三极管的这种状态称为饱和传导状态。