电子技术基础一、选择题(每题1分)1、当加在硅二极管两端的正向电压从O开始逐渐增加时，硅二极管( )。

A．立即导通B．到O.3 V才开始导通C．超过死区电压时才开始导通D．不导通2、把电动势为1.5 V的干电池的正极直接接到一个硅二极管的正极，负极直接接到硅二极管的负极，则该管( )。

A．基本正常B．将被击穿C．将被烧坏D．电流为零3、用万用表R×100Ω挡来测试二极管，如果二极管( )说明管子是好的。

A．正、反向电阻都为零B．正、反向电阻都为无穷大C．正向电阻为几百欧，反向电阻为几百千欧D．反向电阻为几百欧，正向电阻为几百欧4、用万用表的电阻挡判断小功率二极管管脚极性时，应选用( ) 挡。

A．R×10和R×100B ．R ×1和R ×1 kC ．R ×1 k 和R ×100D ．R ×10 k 和R ×1 k5、在测量二极管正向电阻时，若用两手把管脚捏紧，电阻值将会( )。

A ．变大 B ．变小 C ．不变化 D ．不能确定6、在三极管放大器中，三极管各极电位最高的是( )。

A ．NPN 管的集电极 B ．PNP 管的集电极 C ．NPN 管的发射极 D ．PNP 管的基极7、晶体三极管处于饱和状态时，它的集电极电流将( )。

A ．随基极电流的增加而增加 B ．随基极电流的增加而减小C ．与基极电流变化无关，只取决于Ucc 和Rc8、三极管输出特性曲线中，当I B =0时，I C 等于( )。

A ．I CM B ．I CBOC．ICEOD．09、当硅二极管加上0.4 V正向电压时，该二极管相当于( )。

A．很小的电阻B．很大的电阻C．短路D．电阻10、某二极管反向击穿电压为150 V，则其最高反向工作电压( )。

A．约等于150 VB．略大于150 VC．等于300 VD．等于75V11、当环境温度升高时，二极管的反向电流将( )。

A．增大B．减小C．不变D．先变大后变小12、测量小功率二极管的好坏时，一般把万用表欧姆挡拨到( )。

A．R×10和R×1 kB．R×1 k和R×100C．R×1和R×1 kD．R×10 k和R×1 k13、交通信号灯采用的是( )管。

A．发光二极管B. 光电二极管C．变容二极管D．整流二极管14、用万用表的电阻挡判断发光二极管管脚极性时，应选用( ) 挡。

A．R×100B．R×1 kC．R×1D．R×10 k15、三极管放大的实质是( )。

A．将小能量换成大能量B．将低电压放大成高电压C．将小电流放大成大电流D．用较小的电流控制较大的电流16、用直流电压表测量NPN型三极管中管子各极电位是UB =4.7V，UＣ=4.3V，UE=4V，则该晶体三极管的工作状态是( )。

A．截止状态B ．饱和状态C ．放大状态D ．击穿状态17、三极管各极对地电位如图2-1所示，工作于饱和状态的三极管是( )。

18、满足I C =βI B 的关系时，三极管工作在( )。

A ．饱和区 B ．放大区 C ．截止区 D ．击穿区19、三极管是一种( )的半导体器件。

A ．电压控制 B ．电流控制C ．既是电压又是电流控制D ．功率控制20、三极管的( )作用是三极管最基本和最重要的特性。

A ．电流放大 B ．电压放大 C ．功率放大D ．电压放大和电流放大21、NPN 型晶体管处于放大状态时，各极电压关系是( )。

A． UC >UE>UBB． UC >UB>UEC． UC <UB<UED． UC <UE<UB22、有三只晶体三极管，除β和ICEO不同外，其他参数一样，用作放大器件时，应选用( )。

A．β=50,ICEO=0.5 mAB．β=140,ICEO=2.5 mAC．β=10，ICEO=O.5 mA23、某晶体三极管的PCM =100 mW，ICM=20 mA，UBR(CEO)=30 V，如果将它接在IC=15 mA，UCE=20 V的电路中，则该管( )。

A．被击穿B．工作正常C．功耗太大过热甚至烧坏D．截止24、低频放大电路放大的对象是电压、电流的( )。

A．稳定值B．变化量C. 平均值D．直流量25、在单管共发射极放大电路中，其输出电压u0与输入电压ui( )。

A．频率相同、波形相似和相位相同B．波形相似、相位相反和幅度相同C．幅度相同、频率不同和相位相反D．相位相反、频率相同和波形相似26、在共射极放大电路的输入端加入一个正弦波信号，这时基极电流的波形为图2-6中的( )。

27、已知电路处于饱和状态，要使电路恢复成放大状态，通常采用的方法是( )。

A．增大电阻RBB．减小电阻RBC. 电阻R不变B28、在放大电路中，当集电极电流增大时，将使晶体三极管( )。

A．集电极电压U上升CE下降B 集电极电压UCEC．基极电流不变D．基极电流也随着增大29、共发射极基本放大电路中，当输入信号为正弦电压时，输出电压波形的正半周出现平顶失真，则这种失真为( )。

A．截止失真B．饱和失真C．非线性失真D．频率失真30、共发射极基本放大电路中，当输入信号为正弦电压时，输出电压波形的负半周出现平顶失真，则这种失真为( )。

A．截止失真B．饱和失真C．非线性失真D．频率失真31、NPN晶体三极管放大电路输入交流正弦波时，输出波形如图2-7所示，则引起波形失真的原因是( )。

A．静态工作点太高B. 静态工作点太低C．静态工作合适，但输入信号太大32、影响放大器工作点稳定的主要因素是( )。

A．β值B．穿透电流C．温度D．频率33、一个三级放大器，工作时测得Au1= 100，Au2=-50，Au3=1，则总的电压放大倍数是( )。

A．51 B．100 C．-5000 D．134、放大器与负载要做到阻抗匹配，应采用( )。

A．直接耦合B．阻容耦合C．变压器耦合D．光电耦合35、要提高放大器的输入电阻，并且使输出电压稳定，可以采用( )。

A．电压串联负反馈B．电压并联负反馈C．电流串联负反馈D．电流并联负反馈36、在图2-14所示电路中引入了( )。

A．交流负反馈B．直流负反馈C．交直流负反馈D．直流正反馈二、判断题(每题1分)1、( )二极管是线性元件。

2、( )一般来说，硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。

3、( )二极管加正向电压时一定导通。

4、( )二极管加反向电压时一定截止。

5、( )有两个电极的元件都叫二极管。

6、( )三极管有两个PN结，因此它具有单向导电性。

7、( )三极管由两个PN结组成，所以可以用两只二极管组合构成三极管。

8、( )晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体材料(N型或P型)构成的，所以，集电极和发射极可以互换使用。

9、( )发射结反向偏置的三极管一定工作在截止状态。

10、( )放大器带上负载后，放大倍数和输出电压都会上升。

11、( )二极管一旦反向击穿就一定损坏。

12、( )不论是哪种类型的半导体二极管，其正向电压都为O.3 V左右。

13、( )二极管具有单向导电性。

14、( )发射结正向偏置的三极管一定工作在放大状态。

15、( )某晶体三极管的IB =10μA时，IC=O.44mA；当IB=20μA时，IC= 0.89mA，则它的电流放大系数为45。

16、( )放大器不设置静态工作点时，由于三极管的发射结有死区和三极管输入特性曲线的非线性，会产生失真。

17、( )放大器在工作时，电路同时存在直流和交流分量。

18、( )放大电路的电压放大倍数随负载RL 而变化，RL越大，电压放大倍数越大。

19、( )放大电路静态工作点过高时，在UCC 和Rc不变情况下，可增加基极电阻RB。

20、( )造成放大器工作点不稳定的主要因素是温度。

21、( )放大电路的静态工作点一经设定后，不会受外界因素的影响。

22、( )稳定静态工作点，主要是稳定三极管的集电极电流IC。

23、( )分析多级放大电路时，可以把后级放大电路的输入电阻看成是前级放大电路的负载。

24、( )串联反馈就是电流反馈，并联反馈就是电压反馈。

25、( )电压反馈送回到放大器输入端的信号是电压。

26、( )电流反馈送回到放大器输入端的信号是电流。

27、( )负反馈可提高放大器放大倍数的稳定性。

28、( )负反馈可以消除放大器非线性失真。

三、填空题(每空1分)1、二极管的P区引出端叫_____极或_____极，N区的引出端叫_______极或_______极。

2、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为_______、_________和_______三类。

3、导电性能介于导体和绝缘体之间的物质是________。

4、PN结正偏时，P区接电源的_____极，N区接电源的_____极；PN结反偏时，P区接电源的_____极，N区接电源的_____极。

5、PN结具有________特性，即加正向电压时PN结________，加反向电压时PN结________。

6、硅二极管导通时的正向管压降约_______V，锗二极管导通时的管压降约_______V。

7、使用二极管时，应考虑的主要参数是________________和___________________。

8、半导体三极管有_____型和_____型，前者的图形符号是_____，后者的图形符号是_____。

9、在三极管中，IE 与IB、IC的关系为_____，由于IB的数值远远小于IC，如忽略IB，则IC_____IE。

10、三极管基极电流IB的微小变化，将会引起集电极电流Ic的较大变化，这说明三极管具有_____作用。

11、三极管工作在放大状态时，集电极电流与基极电流的关系是_____。

12、三极管的穿透电流ICEO随温度的升高而_____，硅三极管的穿透电流比锗三极管的_____。

13、工作在放大状态的三极管可作为_____器件；工作在截止和饱和状态的三极管可作为_____器件。

14、放大电路设置静态工作点的目的是______________________________。

15、在共射极放大电路中，输出电压u 0和输入电压u i 相位________。

16、为防止失真，放大器发射结电压直流分量U BE 比输入信号峰值U im ________，并且要大于发射结的________。

17、对于一个放大电路来说，一般希望其输入电阻________些，以减轻信号源的负担，输出电阻________些，以增大带负载的能力。

四、简答题()1、三极管的主要功能是什么? 三极管放大的外部条件是什么?（4分）2、从晶体二极管的伏安特性曲线看，硅管和锗管有什么区别?（6分）3、已知某三极管P CM =100 mW ，I CM =20 mA ，U (BR)CEO =15 V 。