1.描述
ES582是单极霍尔效应传感器从混合信号IC制造
CMOS技术。
设备集成了一个电压调节器,霍尔传感器动态
补偿取消系统,施密特触发器和一个open-drain输出驱动程
序,所有在一个包中。
它集成了先进的直升机稳定
技术提供准确和稳定的磁开关点。
有很多申请这HED -霍尔电子设备除了那些下面列出。
由于其宽工作电压范围和扩展温度范围的选择,它非常适用于汽车,工业和消费者应用程序。
交付的设备是在一个小提纲晶体管(说)表面安装过程和在一个塑料单(- 92平)通孔。
3-lead 包都是通过无铅认证。
2.特性
宽工作电压范围3.5 v和24 v
介质的敏感性
CMOS技术
Chopper-stabilized放大级
优良的温度稳定性
极低的开关点漂移
对身体压力
低电流消耗
明渠输出
小SOT23 3 l和平板- 92 3 l,通过无铅认证包
3.应用程序
汽车、消费品和工业
固态开关
断续器
速度检测
线性位置检测
角位置检测
接近detectio
4.原理框图
5.术语表
术语
描述
毫伏特斯拉(mT) 高斯,磁通密度单位:1吨= 10高斯 RoHS
有害物质限制
SOT 小轮廓晶体管(说包)——也被称为包代码” ESD 静电放电 BLDC
Brush-Less 直流
操作点(BOP)
磁通密度应用于品牌的包将输出驱动程序(输出电压= VDSon)
释放点(BRP)
磁通密度应用于品牌的包挫伤了驱动程序的输出(输出电压=高)
6.销的定义和描述
SE 销
UA 销.
类型
函数
名称 1 1 V DD 输入 电源电压销 2 3 OUT 输出 输出销 3
2
GND
接地
地面销
VDD
OUT
V oltage Regulat o r
Chopper
Hall Plate
GND
UA Package SO Package Pin 1 – V DD
Pin 1 – V DD
Pin 2 – GND P in 2 – OUT Pin 3 – OUT P in 3 – GND
7.独特的特性
基于混合信号CMOS技术,Innosen ES582霍尔设备与介质磁敏感性。
这种多功能开关满足大多数应用程序的需求。
chopper-stabilized放大器使用开关电容技术来抑制抵消一般观察与霍尔传感器和放大器。
CMOS技术使这种先进技术,有助于更小的芯片尺寸和低电流消耗比双极技术。
小芯片的大小也是一个重要因素来减少身体压力的影响。
这种组合的结果更稳定的磁性特征,使更快和更准确的设计。
宽工作电压24 v ~ 3.5 v,低电流消耗和大工作温度范围的选择根据“L”,和“E”规范使这个装置适用于汽车、工业和消费应用程序。
8.绝对最大额定参数
参数标志值单位
电源电压V DD28 V
电源电流I DD50 mA
输出电压V OUT28 V
输出电流I OUT50 mA
存储温度范围T S-50 ~ 150 ℃
最大结温T J165 ℃
操作温度范标志值单位
后缀“E”温度T A-40 ~ 85 ℃
后缀“L”温度T A-40 ~ 150 ℃
注意:超过绝对最大额定参数可能造成永久性伤害。
接触absolute-maximum——额定条件时间延长可能影响器件的可靠性。
9.通用电气规范
直流操作参数:TA = 25℃,VDD 24 v = 3.5 v(除非另有说明)
参数标志测试条件Min Typ Max 单位电源电压V DD操作 3.5 24 V 电源电流I DD B < B RP 5 mA
输出饱和电压 V DSon I OUT = 20mA, B > B OP 0.5 V
泄漏电流输出 I OFF B < B RP , V OUT = 24V 1 10 µA
输出上升时间 T R R L = 1KΩ, C L = 20pF 0.25 μs 产量下降时间
T F R L = 1KΩ, C L = 20pF
0.25 μs 摩擦搅拌焊最高开关频率 F SW
10 KHz 包热阻 R TH
单层(1)阻抗板
301
℃/W
注意:ES582将转换后的输出电源电压超过2.2 v,但磁特性才会正常供应超过3.5 v 。
10.磁规范
直流操作参数:VDD 24 v = 3.5 v(除非另有说明)
参数
(测试条件)
Min
Typ
Max
单位
操作点
B OP (T A =25℃, V DD =12V DC) 10.0 12 15.0 mT 释放点 B RP (T A =25℃, V DD =12V DC) 7.0 9 12.0 mT 磁滞 B HYS (T A =25℃, V DD =12V DC)
2.0
3.0
4.0
mT
11.输出行为与磁极
直流操作参数:TA = -40℃~ 150℃,VDD = 3.5 v ~ 24 v(除非另有说明)
参数
测试条件
OUT
北极 (TO) B > B OP Low 南极 (SOT) B > B OP Low Null 或弱磁场
B= 0 or B < B RP
High
12.应用程序信息
强烈建议外部旁路电容器连接(靠近霍尔传感器)之间的供应(VDD 销)和地面(接地针)的设备来减少外部噪声和噪声产生的直升机稳定技术。
是下一个页面的两个图所示,一个0.1μf 电容器是典型。
反向电压保护,建议连接电阻、二极管串联VDD 销。
当使用一个电阻,3分很重要:
OUT = Low (V DSon )
XXXXM
OUT = Low (V DSon )
XXXXM
电阻限制了最大反向电流到50 ma(VCC / R1≤50 ma) 结果低VDD 设备电源电压必须高于VDD min(VDD = VCC - R1 * IDD)
电阻必须承受反向电压的功率耗散条件(PD = VCC2 / R1)
当使用一个二极管,反向电流不能流和电压降几乎是常数(≈0.7 v)。
因此,100年Ω/ 0.25 w 电阻器为5 v 程序建议和更高的电源电压的二极管。
这两个解决方案都提供了所需的反向电压保护。
弱电源时使用或将要使用的设备是在嘈杂的环境中,推荐以下正确的图。
形成的低通滤波器R1和C1和齐纳二极管Z1绕过障碍或电压峰值发生在设备电源电压VDD 。
二极管D1提供了额外的反向电压保护。
典型的三线应用电路
汽车和严重环境保护电路
13.防静电措施
电子半导体产品敏感,静电放电(ESD)。
时总是观察静电放电控制程序处理半导体产品。
ES582
R1:100 R2 10 k C2 n 4.7
VDD
GND
OUT
C1 100 n
Z1
D1
582ES
R2
k 10 C2 4.7 n
VDD
GND
OUT
C1 n 100
14.包信息
、
15.订购信息
部分没有
温度后缀
包代码
ES582
E ( -40℃ ~ 85℃)
SO (SOT-3L) UA (TO-92) L ( -40℃ ~ 150℃)
SO (SOT-3L) UA (TO-92)
0.56 0.66
0.85
0.75
1.50 1.40
Chip
3
2
1 Bottom View of SOT - 23 Package
Hall plate location。