一、问答题
1、晶闸管的导通条件是什么? 导通后流过晶闸管的电流和负载上的电压由什么决定?
答：条件：晶闸管阳极和阴极间施加正向电压，并在门极和阴极间施加正向触发电压和电流（或脉冲）。

电流由电源和负载阻抗决定，负载上电压由电源电压决定。

2、晶闸管的关断条件是什么?如何实现?晶闸管处于阻断状态时其两端的电压大小由什么决定? 答：（1）条件：使晶闸管的阳极电流I A减小到维持电流I H以下，内部正反馈无法进行，实现晶闸管的关断。

（2）增大负载阻抗、减小阳极电压或反向。

（3）两端电压大小由电源电压决定。

3、试说明晶闸管有哪些派生器件？
答：快速晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管、光控晶闸管等。

4、请简述光控晶闸管的有关特征。

答：光控晶闸管是在普通晶闸管的门极区集成了一个光电二极管，光照下，光电二极管电流增加，此电流便可作为门极电触发电流使晶闸管开通。

主要用于高压大功率场合。

5、晶闸管触发的触发脉冲要满足哪几项基本要求？
答：A触发信号有足够的功率。

B触发脉冲有一定的宽度，脉冲前沿尽可能陡，使元件在触发导通后，阳极电流能迅速上升超过掣住电流而维持导通。

C触发脉冲必须与晶闸管的阳极电压同步，脉冲移相范围必须满足电路要求。

6、如何防止P-MOSFET因静电感应应起的损坏?
答：它的输入电容是低泄漏电容，当栅极开路时极易受静电干扰而充上超过±20的击穿电压，所以为防止MOSFET因静电感应而引起的损坏
7、GTR对基极驱动电路的要求是什么？
答：要求：
（1）提供合适的正反向基流以保证GTR可靠导通与关断；（2）实现主电路与控制电路隔离；（3）自动保护功能，以便在故障发生时快速自动切除驱动信号避免损坏GTR；（4）电路简单，工作稳定可靠，抗干扰能力强。

8、与GTR相比P-MOSFET管有何优缺点?
答：GTR是电流型器件，P-MOSFET是电压型器件，与GTR相比，P-MOSFET管的工作速度快，开关频率高，驱动功率小且驱动电路简单，无二次击穿问题，安全工作区宽，并且输入阻抗可达几十兆欧。

P-MOSFET缺点：电流容量低，承受反向电压小。

9、分别说明什么是不可控型、半控型和全控型电力电子器件。

答：（1）不可控型：其开关性能仅取决于施加于器件阳、阴极间的电压极性。

（2）半控型在其阳、阴极间加正向电压，同时在门极和阴极间输入正向控制电压，控制其开通。

器件一旦开通，就不能再通过门极来控制关断。

（3）全控型控制端不仅可控制其开通，而且也能控制其关断。