第六章 半导体导电性作业
1． 一块n 型硅半导体，其施主浓度315/10cm N D =，本征费米能级i E 在禁带正中，费米能级F E 在i E 之上eV 29.0处，设施主电离能eV E D 05.0=∆，试计算在K T 300=时，施主能级上的电子浓度。

2． 一块n 型硅材料，掺有施主浓度315/105.1cm N D ⨯=，在室温（K T 300=）时本征载流子浓度312/103.1cm n i ⨯=，求此时该块半导体材料的多数载流子浓度和少数载流子浓度。

3．一硅半导体含有施主杂质浓度315/109cm N D ⨯=，和受主杂质浓度316/101.1cm N A ⨯=，求在K T 300=时（310/103.1cm n i ⨯=）的电子和空穴浓度以及费米能级位置。

4. 若锗在300=T K 时，319101.1-⨯=cm N C ，3191051.0-⨯=cm N V ，禁带宽度为67.0=g E eV ，试计算：
（1）电子和空穴的有效质量*e m 和*h m ；
（2）300=T K 时的本征载流子浓度；
（3）在77K 时的，C N ，V N 及本征载流子浓度（77=T K 时，70.0=g E eV ）。

5、试用能带论解释为何固体有导体，半导体和绝缘体之分？
晶体电子的状态由分立的原子能级分裂为能带，电子填充能带的情况分为满带、不满带和空带，对于半导体和绝缘体，只存在满带和空带，最高满带称价带，最低满带称导带，导带与价带之间的间隔称带隙，一般绝缘体带隙较大，半导体带隙较小。

对于导体，出满带和空带外，还存在不满带，即导带。

满带电子不导电，而不满带中的电子参与导电。

半导体的带隙较小，价带电子受到激发后可以跃迁至导带参与导电，绝缘体的带隙较大，价电子须获得很大的能量才能激发，故一般情况下，不易产生跃迁现象。

已知 Si 的Eg=1.12eV,T=300K 时，Nc=2.9x1019/cm 3 ,Nv=1.1x1019/cm 3 310/103.1cm n i ⨯=。