光电探测器的工作原理基于内光电效应，当入射光子与物质相互作用时，会产生光生电子空穴对，从而改变物质的导电性能，使得我们能够探测出光信号。这一过程的决定因素并非入射光强，而是取决于入射光波的波长或频率，因为光强仅反映了光子数量的多少，并不反映每个光子的能量大小。在光电探测器的构造中，耗尽层光电二极管是一个重要部件，其工作原理涉及到能带系统、P-N结以及外加反向偏置电压。而雪崩光电二极管则利用强电场加速光生电子和空穴，使它们在碰撞中产生新的电子空穴对，实现信号的放大。但这一过程中也可能带来噪声问题，特别是当只有一种载流子引起碰撞电离时，雪崩光电二极管的噪声相对较低。为了进一步优化性能，达通型硅雪崩光电二极管被设计出来，它将耗尽层分为吸收漂移区和高场倍增区，确保入射光在漂移区被充分吸收并产生光生电子空穴对，随后只有一种