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u 国内命名方法：3DG1815-Y
u 第一部分用阿拉伯字表示器件的电极数目u 2：表示二极管；3：表示三极管u 第二部分表示器件的材料和极性
u A ：PNP 锗；B ：NPN 锗；C ：PNP 硅；D ：NPN 硅；E ：化合物材料u 第三部分表示器件的类型
u
G ：高频小功率；D ：低频大功率；A ：高频大功率；K ：开关管；X ：低频小功率
u 大于等于1W 为大功率管，小于1W 为小功率管，功率不是很大，封装比较大为中功率管
u 第四部分用阿拉伯字表示序号（型号）u 第五部分表示器件的规格（放大档次）
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u国外命名方法（如日本工业标准（JIS）规定命名）：2SC1815-Y
u第一部分用数字表示类型或有效电极数
1：表示二极管；2：表示三极管
u第二部分“S”表示日本电子工业协会（EIAJ）注
册产品
u第三部分用字母表示器件的极性及类型
A：PNP高频；B：PNP低频；C：NPN高频；
D：NPN低频；J：P沟道场效应管；
K：N沟道场效应管
u第四部分用数字表示在日本电子工业协会登记的
顺序号
u第五部分表示器件的规格（放大档次）
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例如：BF420
例如：2N3904
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片式3脚
SC-89
SOT-490
片式6脚SSOT6
SMT6
SC-74SOT-457片式5脚SMT5SC-74A
片式3脚SMPAK EMT3SC-75A SOT-416
片式6脚UMT6SC-88SOT-363片式5脚UMT5SC-88A SOT-353片式3脚CMPAK
UMT3SC-70SOT-323片式4脚SC-73SOT-223片式4脚SC-61B SOT-143R 片式3脚UPAK MPT3
SC-62SOT-89TO-243
片式3脚MPAK SMT3SC-59SOT-346TO-236片式3脚SST3SOT-23TO-236AB 片式3脚D-PAK
CPT3SC-63
SOT-428TO-252直插式SC-64TO-251直插式SC-46SOT-78
TO-220AB 直插式2-10L1A
TO-220FP
SC-67 SOT-186 TO-220FP 直插式2-10R1A TO-220FN SC-67(接近）SOT-186A TO-220FN 直插式SC-53SOT-128B TO-202AA 直插式SOT-32TO-126直插式SPT
SC-72
TO-92S 直插式TO-92SC-43SOT-54
TO-92备注
其它
TOSHIBA
PHILIPS 标准ROHM 标准日本EIAJ 标准欧美标准国际JEDEC 标准各
种封装形式对照表
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u 1、电路中的电压、电流、输出功率过载
引起损坏在晶体管电路中主要与集电极－发射极间的电压VCC 、集电极－基极VCB 与晶体管固有的特性参数(如VCBO 、VCEO 、ICBO 、ICEO 、PCM)及工作条件有关。
如果电路中晶体管的集电极VCEO 电压超过了最大值，就会造成晶体管的损坏。
u（2）热损坏
在晶体管手册中一般所指的最大电压，通常是常温(25℃)下的值。
因此，在环境温度较高或在最高结温下使用时，晶体管工作的实际最大电压将小于常温时的值，此时晶体管的ICBO和IEBO也会增加，造成结温上升，而结温升高又会使ICBO和IEBO更进一步增大而形成雪崩现象，结果热击穿而损坏。
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u（3）二次击穿引起的损坏
在晶体管电路中，当集电极电压升高时首先会出现一次击穿，使IC 急剧增加。
当其电压增加到某一临界值后压降会突然降低，形成很大的过电流，造成二次击穿而损坏。
u（4）外界环境变化引起的损坏
外界环境变化是指机械振动、外力冲击、潮湿、化学物品的侵蚀等外界因素造成的损坏。
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u不论是静态、动态或不稳定定态（如电路开启、关闭时），均防止电流、电压超出最大极限值，也不得有两项或两项以上参数同时达到极限值。
u选用三极管主要应注意极性和下列参数：PCM、ICM、BVCEO、BVEBO、ICBO、一般设计稳定工作时PCM不可超过额定的70%，ICM不可超过额定的70%，BVCEO不超过额定的2/3，一般高频工作时要求fT=（5～10）f，f为工作频率。
开关电路工作时则应考虑三极管的开关参数。
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u工作于开关状态的三极管，因BVEBO一般较低，所以要考虑是否要在基极回路加保护线路，以防止发射结被击守；如集电极负载为感性（如继电器的工作线圈），必须加保护线路（如线圈两端并联续流二极管），以防线圈反电势损坏三极管。
u管子应避免靠近发热元件，减小温度变化和保证管壳散热良好。
功率放大管在耗散功率较大时，应加散热板。
管壳与散热板应紧贴牢故。
散热装置应垂直安装。
以利于空气自然对流。
环境温度每升高10摄氏度，失效率增加10~25%。
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u （1）规范操作不要使负载短路和开路，不要突然加很强的信号，不要使用波动很大、频率不稳定的市电。
另外应加散热装置和设计保护电路。
u （2）增大功率采用功率管并联以降低单管的功率，但并联时要求管子性能尽可能一致，必要时配对的功率管参数应选择完全一致。
u （3）改善大功率晶体管的工作环境工作环境是指温度、振动等。
使用带有大功率晶体管的电器产品时，应尽量放置在通风较好的地方，以改善其工作环境。
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IC
PCM ICM
PSB VCEO VCE
安全工作区（SOA ）
u 由最大集电极电流ICM 、极限电压VCEO 、最大功耗线PCM 和二次击穿临界线PSB 所限定的区域，
二次击穿临界限由实验确定。
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30u 用于开关线路，则偏向选用电流比较大，饱和压降小的管，对管的耐压要求可适当放宽。
因为耐压和电流是一对互相矛盾的参数，要两全其美的话必然增加成本。
为了能进入饱和状态，避免出现关不断的情况，除了选好管之外，对线路偏置很重要。
通常在IC 保持不变情况下增大IB 的电流，或IB 保持不变情况下减小IC 电流。
u用于高压电路，主要考虑漏电流要小，热稳定性要好，避免击穿电压有软特性、蠕变情况。
最好能加保护电路。
u用于普通放大，主要考虑HFE输出的线性要好，工作区宽，静态工作点最好选择HFE的测试条件，即HFE分档的测试条件。
u用于高频线路，主要考虑是fT参数，而且要跟线路板相匹配，PCB板上的电容、电感都回影响其使用。
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u用于功率放大，主要考虑其功率的承受范围，管装上后管体发热情况怎样，周围环境温度如何，散热通风是否良好。
PCM=TJM-TA/RT
u PC（T）=PCM（TJM-T/TJM-TA）
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