(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910282652.1
(22)申请日 2019.04.10
(71)申请人 哈尔滨理工大学
地址 150040 黑龙江省哈尔滨市香坊区林
园路4号
(72)发明人 吴泽　刘宇佳　吴启明　单连伟　
(51)Int.Cl.
C01B 32/215(2017.01)
(54)发明名称一种高纯石墨的制备方法(57)摘要一种高纯石墨材料制备方法，涉及一种高纯石墨的制备方法，本发明的目的是为了解决现有的高纯石墨材料制备过程中存在的一些问题。

该方法包括以下具体步骤：(1)取原料石墨，放入自制石墨纯化装置中，在氮气保护下升温至1000℃，在1000-1800℃条件下由氮气载入一定量含卤混合气体处理0.5-2.0h；(2)经步骤(1)处理后所得的固体产物继续升温至2300℃，在2000-2300℃条件下通入一定量气体处理1-2.0h，即得高纯石墨。

本发明提供的高纯石墨的制备方法可降低高温法对石墨纯化温度的要求，为含碳量99.99％以上高纯石墨的工业化生产创造条件，同时具备综合成本较低，适合于工业化生产和工业化推广，并且本发明方法制备工艺简单、能耗较低，环保压力小，
具有很好的实际推广价值。

权利要求书1页 说明书3页 附图1页CN 109867281 A 2019.06.11
C N 109867281
A
权　利　要　求　书1/1页CN 109867281 A
1.一种高纯石墨材料制备方法，其特征在于，该高纯石墨的碳含量在99.99％以上。

2.一种高纯石墨的制备方法，其特征在于，该方法按照以下步骤进行：
步骤一：取原料石墨，通入密闭式石墨提纯装置，在1000-1800 ℃条件下某温度保温处理0.5 - 1.0 h，得固体产物；所述温度优选为1600 – 1800 ℃；
步骤二： 将经步骤一处理所得的固体产物继续升温，在1800-2300 ℃条件下某温度保温处理1～2 h，即得高纯石墨，所述温度优选为2000 -2300 ℃。

3.根据权利要求2 所述的方法，其特征在于，步骤一所述温度为1000 – 1800 ℃。

4.根据权利要求2 所述的方法，其特征在于，步骤二所述温度为1800 -2300 ℃。

5.根据权利要求1～3 任意一项所述的方法，其特征在于，所述步骤一还包括：原料石墨需进行研磨预处理，所述研磨预处理为研磨至粒径小于300μm，优选为粒径100 – 200 μm。

6.根据权利要求1～5 任意一项所述的方法，其特征在于，在步骤一或步骤二)处理过程中持续通入含卤气体。

7.根据权利要求6 所述的方法，其特征在于，所述气体的通入量为0.5～2 m3/h。

8.根据权利要求6 所述的方法，其特征在于，在步骤一 中以流量0.5～1.5 m3/h 通入含卤混合气，在步骤二 中的以流量1～2 m3/h 通入纯度99％以上的氯气。

2。