屏蔽技术1 屏蔽的定义 屏蔽可通过各种屏蔽体来吸收或反射电磁场骚扰的侵入 , 达到阻断骚扰传播的目的 ; 或者屏蔽 体可将骚扰源的电磁辐射能量限制在其内部 , 以防止其干扰其它设备。

（对两个空间区域之间进 行金属的隔离 , 以控制电场、磁场和电磁波由一个区域对另一个区域的感应和辐射。

）1.一种是主动屏蔽 , 防止电磁场外泄 ; 2. 一种是被动屏蔽 , 防止某一区域受骚扰的影响。

屏蔽就是具体讲 , 就是用屏蔽体将元部件、 电路、组合件、 电缆或整个系统的干扰源包围起来 , 防 止干扰电磁场向外扩散 ; 用屏蔽体将接收电路、 设备或系统包围起来 , 防止它们受到外界电磁场 的影响。

因为屏蔽体对来自导线、电缆、元部件、电路或系统等外部的干扰电磁波和内部电磁波 均起着吸收能量 （涡流损耗 ） 、反射能量 （ 电磁波在屏蔽体上的界面反射 ） 和抵消能量 （ 电磁感应 在屏蔽层上产生反向电磁场 , 可抵消部分干扰电磁波 ） 的作用 , 所以屏蔽体具有减弱干扰的功2. 屏蔽的分类 屏蔽可分为电场屏蔽、电磁屏蔽和磁屏蔽三类。

电场屏蔽又包括静电场屏蔽和交变 电场屏蔽 ; 磁场屏蔽又包括静磁屏蔽和交变磁场屏蔽。

1.静电屏蔽常用于防止静电耦合和骚扰 , 即电容性骚扰 ; 2.电磁屏蔽主要用于防止高频电磁场的骚扰和影响 ; 3.磁屏蔽主要用于防止低频磁感应 , 即电感性骚扰。

2.1 静电场屏蔽和交变电场屏蔽 用来防止静电耦合产生的感应。

屏蔽壳体采用高导电率材料并良好接地 分布电容偶合，达到屏蔽作用。

静电屏蔽的屏蔽壳体必须接地。

以屏蔽导线为例 ,说明静电屏蔽的原理。

静电感应是通过静电电容构成的断两个电路之间的分布电容。

静电感应 , 既两条线路位于地线之上时 , 若相对于地线对导体 1 加 有 V1 的电压 , 则导体 2 也将产生与 V1 成比例的电 V2 。

由于导体之间必然存在静电电容 ,设电容为 C10 、C12 和 C20, 则电压 V1 就被 C12 和 C20 分为两部分 , 该被分开的电压就为V2, 可用下式加以计算；导体 1 和 2 之间加入接地板便可构成静电屏蔽。

这样 , 在接地板与导体 1、导体 2 之间就产生了静电电容C'10 和C'20。

等效电路，增加了对地静电电容，消除了导体1、2之间直接偶合的静电电容。

按示 2.1，由于C12=0,故与V 1无关,V2=0 。

这就是静电屏蔽的原理, 以隔断两个电路之间的 , 因此 , 静电屏蔽是以隔我们若用金属壳体将干扰源屏蔽起来, C1 为干扰源与屏蔽壳体之间的电容, C2 为电子设备与屏蔽壳体之间的电容, Zm 为屏蔽壳体对地阻抗。

可求得屏蔽后电子设备上的耦合干扰电压:V sm = ω 2 C1 C2 Zm ZsV N / { ( ω 2 C1 C2 Zm Z-s1)- j ω[ ( C1 + C2) Zm + C2 Zs ]}(2)如果将屏蔽壳体理想接地,即Zm = 0 , 则V sm= 0 , 耦合干扰可完全消除, 也就是说, 要想完全消除上述干扰的必要条件是要求屏蔽壳体良好接地,在实际工作中, 一般要求接地电阻小于2mΩ就可以了。

如果我们使用了屏蔽壳体，但不接地时，此时Zm = ∞,且C1 V C , C2 V C , 则可断定V sm > V s , 可知屏蔽后的耦合干扰, 不但不能抑制, 反而更加严重。

同样, 如果干扰源不屏蔽, 而将电子设备屏蔽,结果与上述屏蔽效果类似。

在实际工作中,是屏蔽干扰源还是屏蔽受感器,建议进行综合全盘考虑,应根据简便、经济、操作方便、场地等具体情况而定。

对于平行导线, 由于分布电容较大, 耦合干扰尤其严重, 需采用同轴电缆导线。

有关同轴电缆导线的抗干扰问题,后面将另行分析讨论。

耦合干扰的大小与频率有关,频率升高,干扰增加。

故此,频率越高,采用屏蔽越有必要,屏蔽后的效果越明显。

2.2 电磁屏蔽电磁屏蔽的机理就是电磁感应现象。

在外界交变电磁场作用下，通过电磁感应屏蔽壳体内产生感应电流，而这感应电流在屏蔽空间又产生了与外界电磁场方向相反的电磁场，从而抵消了外界电磁场,产生屏蔽效果。

因此，电磁屏蔽较适用于高频。

低频时感应电流小，屏蔽效果差；应保证屏蔽壳体各部分具有良好的电气连续，使感应电流能在壳体中流畅，以便产生足够大的感应电磁场来抵消外界电磁场，否则将影响屏蔽效果。

所谓电磁感应，即回路与回路之间的电磁偶合。

当电流i1、i2 通过导线1 和2 时,若分别构成回路,则相互之间就产生电磁偶合。

所谓偶合,即在导体2 流过i1 的成分，在导体1 又流过i2 成分。

对导体1来说,i2为不需要的电流，因此,它只能是对i1的噪声成分。

回路1 与回路2 之间的磁通便不相连接，这样即可完成屏蔽。

但是，实际上，在防骚扰措施上很少采用装入磁性材料的方法来进行屏蔽。

这是因为适当的带状高性能磁带比较昂贵的缘故。

真正有效而实用的办法是尽可能避免组成回路。

以上谈到的屏蔽问题，重要的是要分清骚扰究竟是源于电压还是起源于电流。

必须按照不同的情况来决定采用静电屏蔽还是采用电磁屏蔽。

在交变场中, 电场和磁场总是同时存在的, 这时屏蔽要考虑对电磁场的屏蔽, 也就是电磁屏蔽。

电磁屏蔽不是电场屏蔽和磁场屏蔽的简单叠加。

在前面所述的4 种情况中, 把高频和低频电场或磁场分开讨论本身也是一种简化, 因为低频和高频中间的过渡是非常复杂的。

一般情况, 在频率较低的范围内, 电磁干扰一般出现在近场区（感应场）。

而近场根据干扰源的性质不同, 电场和磁场的大小有很大差别。

如高电压小电流的干扰源以电场干扰为主, 磁场干扰可忽略不计, 只考虑电场屏蔽即可; 而低电压高电流干扰源则以磁场干扰为主, 电场干扰可以忽略不计, 这时只考虑磁场屏蔽即可。

当频率较高时, 干扰源的电磁辐射能力增加, 会产生辐射电磁场即远场区（辐射场）。

远场干扰中的电场干扰和磁场干扰都不可忽略, 需要同时实行电场和磁场屏蔽, 一般的做法是采用电阻率和磁导率都低的导体做成屏蔽盒并良好接地。

2.3 磁场屏蔽当干扰源以电流形式出现时，此电流所产生的磁场通过互感耦合对临近信号形成干扰。

抑制这类干扰，有效办法是施行磁场屏蔽。

磁场屏蔽首先应注意到干扰源的频率高低，因为随干扰频率的不同，屏蔽原理也不同，它将涉及到屏蔽材料的选用以及屏蔽壳体设计、制作等诸方面的问题，若不加分析就不可能达到抑制干扰的效果。

2.3.1 低频磁场屏蔽这里所指低频一般在100kHz 以下。

设相近的两平行导线1 和导线2 。

导线1 对导线2 的磁场耦合干扰为：U2=jωMI1式中：M为两导线间的分布互感，M=Φ/11 ; I1为导线1流过的电流；①为电流；11产生的对导线2 交连的磁通。

为抑制磁场耦合干扰，应尽量减少分布互感M ，也就是减少干扰源与被干扰电路之间的交连磁通①。

屏蔽对策屏蔽此类干扰，建议选用具有高导磁率的铁磁材料做成屏蔽壳体，将干扰源屏蔽起来，这样能使干扰源产生的磁通被引导至铁磁材料中，从而不与被干扰的电路交连。

同理，也可将被干扰的电路屏蔽起来。

有关屏蔽壳体的制作，应注意下列事项：1. 所选用材料磁路的磁阻Rm 越小越好Rm=L/ μS （L为磁路长度；S为磁路横切面积；μ为导磁率）。

选用μ值高的铁、硅钢片、坡莫合金等；2. 在屏蔽壳体设计时，应使壳体有足够的厚度以增大S ，达到增加屏蔽效果的目的；在垂直于磁通方向不能开口，以免增大磁阻；3. 为了更好地提高屏蔽效果，有时采用多层屏蔽，在安装时要注意将屏蔽壳体拧紧。

2.3.2 高频磁场屏蔽频率在100kHz 以上高频磁场的屏蔽原理是利用电磁感应现象在屏蔽壳体表面所产生的涡流的反磁场来达到目的。

上述铁磁材料在高频情况下，其磁性损耗太大，不利于在屏蔽壳体上形成尽量大的涡流，达不到有效消除高频磁场干扰的目的。

一个良导体制成的屏蔽壳体对一个电子线路的屏蔽等效电路图。

L 为电子电路的电感；M 为电子电路与屏蔽壳体的互感；Ls 为屏蔽壳体的电感；I 为电子电路的电流；Rs 为屏蔽壳体的电阻。

从而可得出屏蔽壳体上形成的涡流为：Is=j ω MI∕(Rs+j ω LS)当频率高时，ω Ls>>Rs ，此时Rs 可忽略不计，则可简化为Is ≈MI∕Ls当频率低时，ω Ls<<Rs ，此时ωLs 可忽略不计，则可简化为Is ≈j ω MI∕Rs屏蔽对策1. 涡流随频率升高而增大，这说明高频磁场屏蔽应选用导电材料。

2. 在高频段，涡流大小与频率无关，即涡流随频率升高增大到一定程度后，继续升高频率其屏蔽效果就不再增强了。

3. 在低频段，ω低，IS小，其屏蔽效果差；RS小，IS大，屏蔽效果好，而且屏蔽损耗也少，这就要求屏蔽材料选用良导体。

由于高频集肤效应，涡流仅在屏蔽壳体表面薄层流过，因此，在设计高频屏蔽壳体时，与低频屏蔽壳体不同，无需做得很厚，只需保证一定的机械强度即可，一般为0.2~0.8mm 。

对于屏蔽导线，通常采用多股线编织网，因其在相同体积下有更大的表面积3 ．屏蔽常用分析因同轴电缆线在实际中应用非常普遍, 对它的屏蔽问题, 单独进行讨论是非常必要的。

在电场中采用同轴电缆对抑制容性耦合是十分有效的, 但在磁耦合中, 同轴电缆线的抗干扰问题就复杂多了。

其复杂所在是同轴电缆线由中心导线与屏蔽层组成,在一定的条件下能形成屏蔽层与中心导线的磁耦合。

现进行分析如下:(1) 铜轴电缆的中心导线是受感器时, 为分析方便, 视中心导线无电流通过, 而屏蔽层有均匀轴向电流IS 流过。

这时屏蔽层产生的自感为L S = φ∕ IS , 屏蔽层与中心导线之间产生的互感Mφ/ IS ,由于IS所产生的磁通全部包围着中心导线，故上述两式中的φ相等。

V S是外界因素在屏蔽层上感应的电压，Is是V S所产生的电流，加之屏蔽层自感L S和电阻RS的存在，使得IS 对中心导线产生了感应电压V n 。

V N = j ω MIs，Is = V s/ ( Rs + j ω L s)将式(6) 代入式(7) , 且L s = M = </ Is 得V N = V s/ (1 - jRs/ ω L s) (8)屏蔽层的截止角频率ωc = R/ L s , 故取模V = V s/ 1 + ( ωc/ ω) 2 当ω = 0 ( 直流) 时, V N =0 ,当ω= 5 ω时,V n = 0. 98 V S 。

当屏蔽中有电流时, 中心导线上将感应一个电压V n , 此电压在频率ω≥ 5ω c 时接近于屏蔽层上的电压V S , 并随着频率升高而增大。

我们将屏蔽层两端接地并不能抑制磁耦合干扰, 因为屏蔽层中的电流所产生的磁通会与中心导线交连。

通常只将屏蔽层上感应的电荷泄放入地,起到电场屏蔽作用。