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快速热退火
想要完全激活某些杂质所需要的退火 温度至少要达到1000 ℃，所以现代集 成电路使用更多的是快速热退火技术。 目前，较好的快速退火方式有脉冲激光快速退火、脉 冲电子束快速退火、离子束快速退火、连续波激光快 速退火及非相干宽带光源(如卤灯、电弧灯、石墨加热) 快速退火等。它们的共同特点是在瞬时内使硅片的某 个区域加热到所需的温度，并在较短的时间内 （10﹣³ ~10﹣² 秒）完成退火。 集成电路工艺
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快速热退火
标准的炉管工艺无法 缩短热处理时间。因 为在炉管中硅片是从 边缘向中心加热的， 为避免过大的温度梯 度而造成硅片翘曲变 形，必须缓慢地升温 和降温。
集成电路工艺
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快速热退火
P﹢ P﹢
Si
P﹢
P﹢ P﹢
集成电路工艺
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快速热退火装置
学校等单位 用设备
微电子 0801
李丽莎
快速热退火 Rapid Thermal Trocess
集成电路工艺
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离子注入
集成电路工艺
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注入损伤
P﹢ P﹢
Si
P﹢
P﹢
P﹢
集成电路工艺
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退火
退火（Anneal）,就是利用热能 （Thermal）将离子注入后的样品进 行热处理，以消除辐射损伤，激活 注入杂质，恢复晶体的电性能。 低剂量所造成的损伤，一般在较低温度下退火 就可以消除，而高剂量形成的非晶区重新结晶 要在550~600℃的温度范围才能实现。 随着集成电路的发展，常规的热退火方法已经 不能满足要求。因为它不能完全消除缺陷而且 会产生二次缺陷，高剂量注入时点激活率也不 够高。 集成电路工艺