晶体管特性曲线：描述晶体管各极电流与
极间电压关系的曲线。
iB
b 输入 回路
iC
c
输出 回路
iB b
iE
e
iE
e
iC c
e
c
b
(a)共发射极
(b)共集电极
(c)共基极
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下面以共射极电路为测试电路
RC
＋
iC mA
－
RB
iB
μA
＋＋
UCC
UBB
uBE V
V uCE
－－
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(b) 电路符号
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5
P
c
集电区 集电极
发射区
b ＊基极结构特点
(a)
c 1、三区两c 结 2、基b 区很薄
发射结 集电区
e
b
N＋
P
N型外延 N＋衬底
绝S缘i O层2
集电结 基区
3、e区重掺杂
e NP N
c区轻PN掺eP 杂
(b) b区掺杂最轻
c
图2-3 平面管(c)结构剖面图
4、集电区的面积则比发射区做得大，这是 三极管实现电流放大的内部条件。
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iC/ mA 4 3 2 1 0
5
IB＝40 A
30A
20A
10A
0 A
10
15
b IB RB
UBB
IC
c ICN N
IBN
P
N IEN e IE
RC
15V UCC
uCE/ V
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iC/mA uCE＝uBE4来自IB 40A饱 和
3
区
2
放
30 A 击
大
穿
20A 区
（emitter） e
N
发射极 发射区
P
基区
N （collcector ）
集电区 集电极
b
c
NPN
b（base）
基极
(a) NPN管的原理结构示意图
e (b) 电路符号
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3
晶体管的结构
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4
符号中发射极上的箭 头方向，表示发射结 正偏时电流的流向。
c b
PNP
e
(a) PNP型三极管的原理结构
0
5
10
15
uCE/V
截止 区
iB =-iCBO （此时iE =0 ）以下称为截止区。 工程上认为：iB =0 以下即为截止区。
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截止区 iC
※若不计穿透电流ICEO， 有iB、iC近似为0；
c ICBO
b
♀三个电极的电流都很 R iB
B
小，三极管类似于一
IEBO
N
R C
P 15V UCC
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5.1.2 晶体管的电流分配与放大作用
（以NPN管为例）
一、放大状态下晶体管中载流子的运动
BJT 处于放大状态的条件： 内部条件：
发射区重掺杂(故管子e、 c极不能互换) 基区很薄(几个m) 集电结面积大 外部条件： 发射结正偏 集电结反偏
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NPN型晶体管的电流关系
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RC
5.1.3.1 共射极输入特性曲线 ＋
iC mA
RB
iB
－
共管射的组输态入晶特体性：UBB
μA
＋＋
UCC
uBE V
V uCE
－－
它是指一定集电极和发射极电压UCE下，三极管 的基极电流IB与发射结电压UBE之间的关系曲线。
iB f (uBE ) uCE常数
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iB/μA UCE＝0 UCE≥1
N
个开关“断开”。 UBB
e iE
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图2-7 截止区载流子运动情况
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5.1.4 晶体管的主要参数
一、电流放大系数
1、共射直流放大倍数
IC
IB
2、共射交流放大倍数
iC iB
常认为：
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二、极间反向电流
ICBO
集电极基极间的 反向饱和电流
截止区
即： iC 仅决定于iB ，与输出环 路的外电路无关。
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二、饱和区
iC/ mA uCE＝uBE
饱 和
4
区
放
★发射结和集电
3
大
结均正向偏置
2
区
1
0
5
IB＝40A
30A 20A
10A 0A iB＝－ICBO
10
15
uCE/ V
截止区
临界饱和：uCE=uBE，uCB=0(集电结零偏)
区
1
10A
0A iB＝－ICBO
0
5
10 15
uCE/V
截止区
共射输出特性曲线
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一、放大区 饱 和
★发射结正向偏置，区
iC/ mA uCE＝uBE
4 放
3
集电结反向偏置
2
大
区
1、基极电流 iB 对集电 1
极电流 iC 的控制作用 0 很强
5
IB＝40A
30A
20A
10A 0A iB＝－ICBO
• BJT：Bipolar Junction Transistor ——双极型晶体管 ——（晶体三极管、半导体三极管）
﹡双极型器件 两种载流子（多子、少子）
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1
几种常见晶体管的外形
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2
5.1.1 晶体管的结构及其类型
发射结
集电结
符号中发射极上的箭 头方向，表示发射结 正偏时电流的流向。
（1） iB一定时，iC比放大时要小
三极管的电流放大能力下降，通常有iC<βiB
（2）uCE 一定时iB增大，iC基本不变
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三、截止区
★发射结和集电结 均反向偏置
iC/mA uCE＝uBE
4
IB＝40μ A
饱 和
3
区
2
放 30μ A
大 20μ A
区
10μ A
1
0μ A iB＝－ICBO
90
60
30
b IB RB
UBB
0 0.5 0.7 0.9 uBE/V
IC
c
ICN
N
RC
IBN
P
N
UCC
IEN
e IE
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5.1.3.2 共射极输出特性曲线
共射组态晶体管的输出特性： 它是指一定基极电流IB下，三极管的输 出回路集电极电流IC与集电结电压UCE之 间的关系曲线。
iC f uCE iB 常数
10
15
uCE/ V
截止区
IC
I B
uCE 常数
在数值上近似等于β
问题：特性图中β=？ β=100
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iC/ mA
放大区
uCE＝uBE
饱 和
4
区
放
3
2、uCE 变化时, iC 影响很小（恒
2
大 区
流特性）
1
0
5
IB＝40A
30A 20A
10A 0A iB＝－ICBO
10
15
uCE/ V
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IC
饱和区
iC/mA uCE＝uBE
4
放
饱 和
3
区
大
2
区
1
I C1
IB＝40μ A
b
30μ A
IB
20μ A
RB
IEP
10μ A 0μ A
U iB＝－ICBO BB
c ICN
N
IBN
P
N IEN e IE
RC UCC
0
5
10
15
uCE/V
截止 区
图2-6 饱和区载流子运动情况
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外加偏置电压要求
对 NPN管 UC ＞ UB＞ UE
对 PNP管 要求 UC ＜ UB ＜ UE
UB
UC
UB
UC
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UE
UE
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1、直流电流放大系数
共射极直流电流放大系数
I C
I
B
一般 20 ~ 200
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5.1.3 晶体管的共射特性曲线