Rank
Range
R 60-120
O 100-200
Y 160-320
GR 200-400
A,Jul,2012
【 南京南山半导体有限公司 — 长电三极管选型资料】

Symbol
A A1 A2 b c D D1 E E1 e e1 L θ
Dimensions In Millimeters
编带包装（Tape&Reel Packing）：
1.包装流程图(Packing procedure)：
包装规格（Packing spec）：
封装 载带/盖带
卷盘
PKG
tape
Reel
包装箱 Box
13” SOT223 IC-ZD-04 （IC-JP-01） IC14#
只/盘 盘/盒
只/盒
pcs/reel reel/box pcs/box
Typ
Collector-base breakdown voltage
V(BR)CBO
Ic=-100μA ，IE=0
-40
Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO
IC= -10 mA , IB=0
-30
Emitter-base breakdown voltage
Min
Max
1.520
1.800
0.000Leabharlann 0.1001.500
1.700
0.660
0.820
0.250
0.350
6.200
6.400
2.900
3.100
3.300
3.700
6.830
7.070
2.300(BSC)
4.500
4.700
0.900
1.150
0°
10°
Dimensions In Inches
【 南京南山半导体有限公司 — 长电三极管选型资料】

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
SOT-223 Plastic-Encapsulate Transistors
B772 TRANSISTOR（PNP）
SOT-223
FEATURES Power Dissipation:1.25W
Low Collector-emitter Saturation Voltage
1. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTER
MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ℃ unless otherwise not)
Min
Max
0.060
0.071
0.000
0.004
0.059
0.067
0.026
0.032
0.010
0.014
0.244
0.252
0.114
0.122
0.130
0.146
0.269
0.278
0.091(BSC)
0.177
0.185
0.035
0.045
0°
10°
SOT223 包装（SOT223 PACKING）
VBE(sat)
IC=-2A, IB= -0.2A
Transition frequency
VCE= -5V, IC=-0.1A
fT
f = 10MHz
50
Max Unit V V V
-1 μA -10 μA -1 μA 400
-0.5 V -1.5 V
MHz
CLASSIFICATION OF hFE(1)
V(BR)EBO
IE= -100 μA，IC=0
-6
Collector cut-off current
ICBO
VCB= -40 V , IE=0
Collector cut-off current
ICEO
VCE=-30 V , IB=0
Emitter cut-off current
IEBO
VEB=-6V , IC=0
Junction and Storage Temperature
Value
Unit
-40
V
-30
V
-6
V
-3
A
1.25
W
-55~+150
℃
ELECTRICAL CHARACTERISTICS（Ta=25℃ unless otherwise specified）
Parameter
Symbol
Test conditions Min
7”盘 SOT-23 包
SOT-223 IC-ZD-04 (IC-JP-04) 装箱 *1 1000
10
10000
盒/箱
只/箱
box/carton pcs/carton
4
40000
2500
2
5000
盒/箱
只/箱
box/carton pcs/carton
8
40000
2. 7 寸 包装流程图(Packing procedure)：
2 包装规格（Packing spec）：
封装 载带/盖带
卷盘
包装箱
PKG
tape
Reel
Box
只/盘 盘/盒
只/盒
pcs/reel reel/box pcs/box
Symbol
Parameter
VCBO
Collector-Base Voltage
VCEO
Collector-Emitter Voltage
VEBO
Emitter-Base Voltage
IC
Collector Current -Continuous
PC
Collector Dissipation
TJ, Tstg
DC current gain
hFE（1） hFE（2）
VCE= -2V, IC= -1A
60
VCE=-2V, IC= -100mA
32
Collector-emitter saturation voltage VCE(sat)
IC=-2A, IB= -0.2A
Base-emitter saturation voltage