当前位置:
文档之家› HFSS基础培训教程——边界条件
HFSS基础培训教程——边界条件
首先定义Perfect E
将其中的局部定义为 Perfect H
PerfectH定义的区域实际为 自然边界条件,相当于在零 厚度的金属平面上开孔
© 2011 ANSYS, Inc. All rights reserved.
17
ANSYS, Inc. Proprietary
Finite Conductivity
• HFSS, SIwave,Designer Planar EM
– Incident Field :吸收从模型反射出的场 – Enforced Field :不吸收反射场
© 2011 ANSYS, Inc. All rights Inc. Proprietary
• 应用于对称边界条件
• 理想地平面
– 可以将 Infinite Ground Plane 选项选中,表示无限大的地平面
• 缺省的边界条件Outer PerfectE
– 整个模型与做图背景的交接面会被自动赋予 Outer
© 2011 ANSYS, Inc. All rights reserved.
14
HFSS 基础培训教程
边界条件
ANSYS 中国
© 2011 ANSYS, Inc. All rights reserved.
11
ANSYS, Inc. Proprietary
HFSS设计流程
Design
Solution Type
Boundaries
Parametric Model
Geometry/Materials
Natural ,即自然边界
E continuous
‘Natural’ Boundary
© 2011 ANSYS, Inc. All rights reserved.
16
ANSYS, Inc. Proprietary
Perfect H
• 应用实例
– 对 Outer 定义 Perfect H 相当于理想开路 – 在内部定义,用 Perfect H 覆盖 Perfect E , 用以在地平 面上开孔 实例
后处理
矩阵参数、电磁场分布、辐射
© 2011 ANSYS, Inc. All rights reserved.
6
ANSYS, Inc. Proprietary
求解流程
前处理
建立结构,定义材料,设置端口 和边界条件
求解
网格剖分,电磁场求解
后处理
矩阵参数、电磁场分布、辐射
© 2011 ANSYS, Inc. All rights reserved.
• 输入任意的频率, 点击[Calculate] 根据镀层定义计算金属损耗
© 2011 ANSYS, Inc. All rights reserved.
21
ANSYS, Inc. Proprietary
Layered Impedance
• 分层阻抗边界条件的Internal选项
不选:用于三维金属的表面
Finite Conductivity Boundary
© 2011 ANSYS, Inc. All rights reserved.
18
ANSYS, Inc. Proprietary
Impedance
• 薄膜电阻,定义由电导率和厚度确定的方块电阻
– 与 Finite Conductivity 使用相近 – 无须考虑电阻性材料的厚度,无须对薄膜电阻物体内部进行场求解 – 电阻和电抗值可以定义为变量
Ref lection Coef f icient (dB)
0 -20 -40 -60 -80 -100 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90
theta (deg)
辐射边界条件的反射系数与入射 角的关系
© 2011 ANSYS, Inc. All rights reserved.
– 长宽比 N和方块电阻计算如下
3.5 N 0.875 4 Rlu mp ed 35 Rs h eet 40 / square N .875
© 2011 ANSYS, Inc. All rights reserved.
20
ANSYS, Inc. Proprietary
Layered Impedance
Excitations Analysis
Solution Setup Frequency Sweep
Mesh Operations Mesh Refinement NO
Analyze
Solve
Results
2D Reports Fields
Converged YES
Solve Loop
Update Finished
– 辐射区域可以和辐射体共形,减少求解空间 – 在辐射区域的外表面定义,吸收来自辐射体的电磁波 – 计算天线等强辐射问题时,距离辐射体应当至少 λ/4 – 对于弱辐射问题,仅考虑辐射损耗,不关心远场时,可 以小于 λ/4
• 天线辐射特性计算
– 在定义辐射边界条件的面上积分得到远场辐射方向图 (默认)
7
ANSYS, Inc. Proprietary
边界条件的作用
• 仿真算法的需要
– 辐射边界条件, PML
• 简化模型,减少计算量,提供使用的灵活性
– – – – 良导体损耗计算,薄层导体结构处理,镀层、薄膜电阻 集总参数元件 薄层介质结构 对称性结构,周期性结构
• 理论研究
– 强制电磁场按照所定义的方式分布
© 2011 ANSYS, Inc. All rights reserved.
13
ANSYS, Inc. Proprietary
Perfect E
• 电场垂直的面
• 相当于理想导体的表面
– 电导率为无穷大(计算时取 1e37 )。
Perfect E Boundary*
E perpendicular
• 也可以自行定义计算远场时的积分面(建立Facelist)
– 辐射边界条件上的网格密度对于天线辐射特性的计算精
度有影响
© 2011 ANSYS, Inc. All rights reserved.
23
ANSYS, Inc. Proprietary
Radiation
• 辐射边界条件的吸收性能与入射角相关
• 磁场垂直的表面
– 对于Outer 定义Perfect H, 则相当于理想开路
E parallel
Perfect H Boundary
• 作为对称边界条件使用
– Perfect H
• 用于定义自然边界条件(Natural)
– 用Perfect H 覆盖 Perfect E 边界条件,则覆盖区域的边界条件实际为
• 参数:电导率和相对磁导率
– 对于零厚度的导体需要考虑金属损耗时 – 直接利用趋肤深度计算并修正金属损耗 – 选中 Infinite Ground Plane ,可表示无限大 的有耗地平面
E perpendicular, attenuating
• 也可以用材料特性定义
– 选择 Use Material ,在材料库中选择构成零 厚度的金属材料特性。
• 用于更细致地计算金属的损耗效应
– 金属表面粗糙度对损耗的修正
c
2 Kw
s K w 1 exp 2h
1.6
h : 平均粗糙度、s : 金属厚度
– 对于金属镀层的处理
• 设定各个镀层的属性和厚度,计算趋肤状态下的损耗 – 通过Layer定义各个金属层 • Internal 选项用以描述厚度为零(或可忽略)的金属面
© 2011 ANSYS, Inc. All rights reserved.
12
ANSYS, Inc. Proprietary
边界条件的优先级
• 后定义的边界条件覆盖前面定义的边界条件
• 几种例外情况:
– 端口不被覆盖 – 如果用Perfect H 覆盖 Perfect E 边界条件,则覆盖区域的边界条件 实际为Natural,即自然边界条件
24
ANSYS, Inc. Proprietary
Radiation 的高级选项
• 定义辐射边界条件时选中 “Advanced Options ”
– Radiation Only :等同于一般的辐射边 界 – Incident Field 和Enforced Field :用于 在Datalink 时连接的外加场 – 软件自动在Incident Field 和Enforced Field 边界上积分,将外加场映射到面 上 – 外加场的来源:
3
ANSYS, Inc. Proprietary
求解流程
前处理
建立结构,定义材料,设置端口 和边界条件
求解
网格剖分,电磁场求解
后处理
矩阵参数、电磁场分布、辐射
© 2011 ANSYS, Inc. All rights reserved.
4
ANSYS, Inc. Proprietary
求解流程
前处理
2
ANSYS, Inc. Proprietary
© 2011 ANSYS, Inc. All rights reserved.
电磁场数值求解
• 有限元法求解Maxwell 方程组
– 几何结构 – 材料特性 – 源和边界条件
网格剖分
解析解
有限元解
© 2011 ANSYS, Inc. All rights reserved.
建立结构,定义材料,设置端口 和边界条件
求解
网格剖分,电磁场求解
后处理
矩阵参数、电磁场分布、辐射
© 2011 ANSYS, Inc. All rights reserved.