当前位置:文档之家› 20套电力电子技术选择填空题和答案

20套电力电子技术选择填空题和答案

考试试卷( 1 )卷一、填空题(本题共8小题,每空1分,共20分)1、电子技术包括_____和电力电子技术两大分支,通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。

2、为减少自身损耗,提高效率,电力电子器件一般都工作在_________状态。

当器件的工作频率较高时,__开关_______损耗会成为主要的损耗。

3、在PWM控制电路中,载波频率与调制信号频率之比称为_____________,当它为常数时的调制方式称为_____同步____调制。

在逆变电路的输出频率围划分成若干频段,每个频段载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为____________调制。

4、面积等效原理指的是,_________相等而_______不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时,其效果基本相同。

5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中,开关速度最快的是_________,单管输出功率最大的是_____________,应用最为广泛的是___________。

6、设三相电源的相电压为U2,三相半波可控整流电路接电阻负载时,晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值,即,其承受的最大正向电压为。

7、逆变电路的负载如果接到电源,则称为逆变,如果接到负载,则称为逆变。

8、如下图,指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。

(1)0~t1时间段,电流的通路为________;(2)t1~t2时间段,电流的通路为_______;(3)t2~t3时间段,电流的通路为_______;(4)t3~t4时间段,电流的通路为_______;(5)t4~t5时间段,电流的通路为_______;Word 资料二、选择题(本题共10小题,前4题每题2分,其余每题1分,共14分)1、单相桥式PWM逆变电路如下图,单极性调制工作时,在电压的正半周是()A、V1与V4导通,V2与V3关断B、V1常通,V2常断,V3与V4交替通断C、V1与V4关断,V2与V3导通D、V1常断,V2常通,V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路,下面说法错误的是()A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时,晶闸管的导通角小于180度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时,必须加宽脉冲或脉冲列触发,电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时,晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时,晶闸管的导通角不为180度3、在三相三线交流调压电路中,输出电压的波形如下图所示,在t1~t2时间段,有()晶闸管导通。

A、1个B、2个C、3个D、4个4、对于单相交交变频电路如下图,在t1~t2时间段,P组晶闸管变流装置与N组晶闸管变流装置的工作状态是()A、P组阻断,N组整流B、P组阻断,N组逆变C、N组阻断,P组整流D、N组阻断,P组逆变Word 资料5、电阻性负载三相半波可控整流电路中,控制角的围是()A、30°~150B、0°~120°C、15°~125°D、0°~150°6、桓流驱动电路中加速电容C的作用是()A、加快功率晶体管的开通B、延缓功率晶体管的关断C、加深功率晶体管的饱和深度D、保护器件7、直流斩波电路是一种()变换电路。

A、AC/ACB、DC/ACC、DC/DCD、AC/DC8、为限制功率晶体管的饱和深度,减少存储时间,桓流驱动电路经常采用()A、du/dt抑制电路B、抗饱和电路C、di/dt抑制电路D、吸收电路9、已经导通的晶闸管的可被关断的条件是流过晶闸管的电流()A、减小至维持电流以下B、减小至擎住电流以下C、减小至门极触发电流以下D、减小至5A以下10、IGBT是一个复合型的器件,它是()A、GTR驱动的MOSFETB、MOSFET驱动的GTRC、MOSFET驱动的晶闸管D、MOSFET驱动的GTO考试试卷( 2 )卷一、填空题(本题共6小题,每空1分,共15分)Word 资料1、_________存在二次击穿现象,____________存在擎住现象。

2、功率因数由和这两个因素共同决定的。

3、晶闸管串联时,给每只管子并联相同阻值的电阻R是_措施。

4、同一晶闸管,维持电流I H与掣住电流I L在数值大小上有I L_I H。

5、电力变换通常可分为:、、和。

6、在下图中,_______和________构成降压斩波电路使直流电动机电动运行,工作于第1象限;_______和_______构成升压斩波电路,把直流电动机的动能转变成为电能反馈到电源,使电动机作再生制动运行,工作于____象限。

二、选择题(本题共11小题,9,10,11小题每题2分,其余每题1分共14分)1、下列电路中,不可以实现有源逆变的有()。

A、三相半波可控整流电路B、三相桥式全控整流电路C、单相桥式可控整流电路D、单相全波可控整流电路外接续流二极管2、晶闸管稳定导通的条件()A、晶闸管阳极电流大于晶闸管的擎住电流B、晶闸管阳极电流小于晶闸管的擎住电流C、晶闸管阳极电流大于晶闸管的维持电流D、晶闸管阳极电流小于晶闸管的维持电流3、三相半波可控整流电路的自然换相点是()A、交流相电压的过零点B、本相相电压与相邻相电压正半周的交点处C、比三相不控整流电路的自然换相点超前30°D、比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°Word 资料4、若增大SPWM逆变器的输出电压基波频率,可采用的控制方法是()A、增大三角波幅度B、增大三角波频率C、增大正弦调制波频率D、增大正弦调制波幅度5、三相半波可控整流电路中,晶闸管可能承受的反向峰值电压为()A、U2B、U2C、2U2 D.U26、晶闸管电流的波形系数定义为()A、B、C、K f =I dT·I T D、K f =Id T-I T7、降压斩波电路中,已知电源电压U d=16V,负载电压U o=12V,斩波周期T=4ms,则开通时T on=()A、1msB、2msC、3msD、4ms8、关于单相桥式PWM逆变电路,下面说确的是()A、在一个周期单极性调制时有一个电平,双极性有两个电平B、在一个周期单极性调制时有两个电平,双极性有三个电平C、在一个周期单极性调制时有三个电平,双极性有两个电平D、在一个周期单极性调制时有两个电平,双极性有一个电平9、对于单相交交变频电路如下图,在t2~t3时间段,P组晶闸管变流装置与N组晶闸管变流装置的工作状态是()A、P组阻断,N组整流B、P组阻断,N组逆变C、N组阻断,P组整流D、N组阻断,P组逆变Word 资料10、在三相三线交流调压电路中,输出电压的波形如图所示,在t2~t3时间段,有()晶闸管导通。

A、1个B、2个C、3个D、4个考试试卷( 3 )卷一、填空题:(本题共7小题,每空1分,共20分)1、请在正确的空格标出下面元件的简称:电力晶体管;可关断晶闸管;功率场效应晶体管;绝缘栅双极型晶体管;IGBT是和的复合管。

2、晶闸管对触发脉冲的要、和。

3、多个晶闸管相并联时必须考虑的问题,解决的方法是。

4、在电流型逆变器中,输出电压波形为波,输出电流波形为波。

5、三相桥式逆变电路,晶闸管换相是在同一桥臂上的上、下二个开关管间进行,称为_______°导电型6、当温度降低时,晶闸管的触发电流会、正反向漏电流会;Word 资料7、常用的过电流保护措施有、、、。

二、选择题(本题共10小题,每题1分,共10分)1、单相半控桥整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差()度。

A、180°B、60°C、360°D、120°2、α为度时,三相半波可控整流电路,电阻性负载输出的电压波形,处于连续和断续的临界状态。

A、0度B、60度C、30度D、120度,3、晶闸管触发电路中,若改变()的大小,则输出脉冲产生相位移动,达到移相控制的目的。

A、同步电压B、控制电压C、脉冲变压器变比D、以上都不能4、可实现有源逆变的电路为()。

A、三相半波可控整流电路B、三相半控桥整流桥电路C、单相全控桥接续流二极管电路D、单相半控桥整流电路5、在一般可逆电路中,最小逆变角βmin选在下面那一种围合理()。

A、30º-35ºB、10º-15ºC、0º-10ºD、0º。

6、单相半波可控整流电阻性负载电路中,控制角α的最大移相围是()A、90°B、120°C、150°D、180°7、若增大SPWM逆变器的输出电压基波频率,可采用控制方法是()A、增大三角波幅度B、增大三角波频率C、增大正弦调制波频率D、增大正弦调制波幅度8、采用多重化电压源型逆变器的目的,主要是为()Word 资料Word 资料A 、减小输出幅值B 、增大输出幅值C 、减小输出谐波D 、减小输出功率9、为限制功率晶体管的饱和深度,减小存储时间,恒流驱动电路经常采用( )A 、dt du 抑制电路B 、抗饱和电路C 、dt di抑制电路 D 、吸收电路10、一般认为交交变频输出的上限频率( )A 、与电网有相同的频率B 、高于电网频率C 、可达电网频率的80%D 、约为电网频率的1/2~1/3考试试卷( 4 )卷一、填空题:(本题共5小题,每空1分,共20分)1、由波形系数可知,晶闸管在额定情况下的有效值电流为I Tn 等于 倍I T (AV ),如果I T (AV )=100安培,则它允许的有效电流为 安培。

通常在选择晶闸管时还要留出 倍的裕量。

2、三相桥式全控整流电路是由一组共 极三只晶闸管和一组共 极的三只晶闸管串联后构成的,晶闸管的换相是在同一组的元件进行的。

每隔 换一次相,在电流连续时每只晶闸管导通 度。

要使电路工作正常,必须任何时刻要有 只晶闸管同时导通,一个是共 极的,另一个是共 极的元件,且要求不是 的两个元件。

3、为了减小变流电路的开、关损耗,通常让元件工作在软开关状态,软开关电路种类很多,但归纳起来可分为 与 两大类。

4、提高变流置的功率因数的常用方法有 、 、 、 几种。

5、三相半波可控整流电路电阻性负载时,电路的移相围,三相全控桥电阻性负载时,电路的移相围,三相半控桥电阻性负载时,电路的移相围。

三、选择题:(本题共10小题,每题1分,共10分)1、三相全控桥式整流电路带电阻负载,当触发角α=0º时,输出的负载电压平均值为()。

A、0.45U2B、0.9U2C、1.17U2D、2.34U22、变流装置的功率因数总是()。

A、大于1B、等于1C、小于1大于0D、为负3、三相全控桥式整流电路带大电感负载时,控制角α的有效移相围是()。

相关主题