二、影响转换效率的因素
1、辐射过程的能量损失 2、封装时的能量损失 3、激发过程的能量损失
1、辐射过程的能量损失
芯片制作过程 正中向复电合压发V射F出下光，子载，流会子造（成电能子量-空损穴失）。在pn结 由于pn结中有杂质、晶格缺陷等因素，每个
电子渡越pn结与空穴复合时，并不是都能激 发产生出一个光子，即内量子效率不可能达到 100%。 每个电子渡越pn结耗能一定大于发射那个光 子所具有的能量。
683×0.0913=62.40lm/W； 绿光555nm和蓝光470nm的电光效率均是50
lm/W，将其换算成功率效率： 绿光：50/683 =11.7% 蓝光：50/62.4=80%
LED产品效率
红光LED的能量转换效率已经可以达到50%以 上。
绿光LED的效率为5-10% 蓝光LED的效率仅为25%。
三、测试仪器
杭州远方、浙大三色公司
2、封装时的能量损失
LED芯片发出的光遇到其他介质的交界面时会 发生光反射现象，并被LED芯片吸收，当光线 入射角大于全反射角时，则光线100%被反射。
3、激发过程的能量损失
白光LED 蓝光对黄色YAG荧光粉并非100%激转换成黄色光子辐射出来，同样也造成 了能量损失。
4.3 电-光转换效率
内容
一、电光转换效率定义 二、影响转换效率的因素 三、测试仪器
一、电光转换效率定义
光功率效率η： 流明效率η：
目标：200lm/W
一、电光转换效率定义——统一功率
λp=555nm时：最大流明效率为683 lm/W； λp=470nm时：V(λ)=0.0913，最大流明效率为