电工学期考试卷01-电子技术B一、填空题:（每空2分，共30分）1.晶体三极管工作在放大状态时，其发射结处于 正向 偏置，集电结处于 反向 偏置。

2.放大电路中，若想要减小输入电阻，应引入 并联 负反馈；若想要增加输出电阻，应引入 电流 负反馈。

3.理想运算放大电路工作在线性区时，有 虚断 和 虚短 两个重要概念。

4.已知变压器二次侧电压U =10V ，采用单相半波整流电路，二极管承受的最高反向压降RM U ＝ 14.1 V ；若采用单相桥式整流电路，则二极管承受的最高反向压降RM U ＝ 14.1 V 。

5.(57.5)10=( 111001.1 )2=( 39.8 )16。

6.三变量的逻辑函数共有 8 个最小项。

其全部最小项之和为 1 。

7.TTL 三态门的输出包括 高电平 、低电平和 高阻态 等三种工作状态。

二、选择题: （每题2分，共12分）1.某硅三极管三个电极的电位Ve 、Vb 和Vc 分别为3V 、3.7V 和6V ，则该管工作在（ A ）状态。

A 、饱和B 、截止C 、放大D 、损坏2.工作在甲乙类状态的互补对称功率放大电路，通常提供一个偏置电路以克服（ D ）失真。

A 、截止B 、饱和C 、截止和饱和D 、交越3.电路如图1所示，引入的反馈为（ C ）负反馈。

A 、电压并联B 、电流并联C 、电压串联D 、电流串联 4.下列电路中属于时序逻辑电路的是（ D ）电路。

A 、加法器B 、编码器C 、译码器D 、计数器5.构成一个十二进制的计数器，需要（ B ）个触发器。

A 、2 B 、4 C 、6D 、12 6.摩根定律的正确表达式是：（ B ）A 、B A B A +=⋅B 、B A B A +=⋅C 、B A B A ⋅=⋅D 、B A B A ⋅=⋅三、用代数法化简如下逻辑函数为最简与或式。

（6分）=Y A B +A C D +C D +AB C +B C D解：=Y)()(BD AD D C C A A B ++++=)()(B A D C C A B ++++ =C A D C C B B A +++ =C A D C B A ++图1图2图5 四、图2所示放大电路中，已知V CC =12V ，R B1=90kΩ，R B2=30kΩ，R C =2.5kΩ，R e =1.5kΩ，R L =10kΩ，β=80，V U BE 7.0=。

试求：（16分)⑴静态工作点I B ，I C 和U CE ；⑵画出微变等效电路；⑶电路的电压放大倍数A u 、输入电阻R i 和输出电阻R O ； 解：⑴V U R R R U CC B B B B 3212=+= U EQ =U B －U BEQ =2.3VmA R U I I e E EQ CQ 53.1==≈ ⑵微变等效电路如下图所示：⑶2.95'-=-≈beL u r R A β 五、电路如图3所示，设运放是理想的，试求出输出电压u o 的表达式。

（12分）解：V U U P N 0== 111f O i R U R U -= 六、已知逻辑电路如图4所示，试写出逻辑函数表达式，列出真值表，并分析其逻辑功能。

（12分）解：AB Y =1，12Y A Y ⋅=13Y B Y ⋅=，32Y Y Y ⋅= 真值表如右表所示。

该电路为异或门电路，当输入信号相异时，输出为1，反之为0。

七、分析如图5所示电路，写出电路激励方程，状态转移方程,画出在5个CP 脉冲作用下Q 0、Q 1和Z 的时序图。

（12分）解：根据电路图列出激励方程和状态转移方程：J 1=K 1=Q 0，J 0=K 0=1，n n n n n Q Q Q Q Q 010111+=+，n n Q Q 010=+， 输出方程：Z =Q 1n Q 0n 。

再列出状态转移表，根据状态表画出时序图。

状态转移表A B Y 0 00 0 11 1 01 1 1 0 Q 1n Q 0n Q 1n+1 Q 0n+1 图4 时序图：文档来源为:从网络收集整理.word 版本可编辑.欢迎下载支持. 该电路功能为同步两位二进制计数器，计数模M =4，在状态为Q 1Q 0=11时进位输出为1。

电工学期考试卷02-电子技术B一、填空题:（每空2分，共30分）1.晶体三极管的输出特性曲线可分为 饱和 区、 放大 区和 截止 区等三个工作区。

2.工作在乙类状态的功率放大电路，在理想工作状态下，其效率最高可达78.5%。

3.放大电路中，若想要增加输入电阻，应引入串联负反馈；若想要减小输出电阻，应引入电压负反馈。

4.理想运算放大电路的开环电压放大倍数V A ＝ ∞ ，输入电阻i r ＝ ∞ 。

5.已知变压器二次侧电压值为10V ，若采用单相半波整流电路，则输出电压平均值O U ＝ 4.5 V ；若采用单相桥式整流电路，则输出电压平均值O U ＝ 9 V 。

6.(61.25)10=( 111101.01 )2=( 3D.4 )16。

7.D 触发器的特性方程为D Q n =+1。

8.一个半加器有 2 个输入端和 2 个输出端。

二、选择题: （每题2分，共12分）1.某硅三极管三个电极的电位Ve 、Vb 和Vc 分别为3V 、3.7V 和3.4V ，则该管工作在（ A ）状态。

A 、饱和B 、截止C 、放大D 、损坏2.放大电路的静态是指电路工作在（ C ）时的状态。

A 、输入幅值不变的交流信号B 、输入频率不变的交流信号C 、输入幅值为0的交流信号D 、电路的电源电压Vcc 为03.图1所示电路引入的级间反馈为（ C ）负反馈。

A 、电压并联B 、电流并联C 、电压串联D 、电流串联 4.下列电路中属于组合逻辑电路的是（ C ）电路。

A 、触发器B 、寄存器C 、译码器D 、计数器5.同步时序电路和异步时序电路比较，其差异在于后者（ B ）。

A 、没有触发器B 、没有统一的时钟脉冲C 、没有稳定状态D 、输出与电路原来的状态有关 6.已知逻辑函数 ，其反函数 （ B ）。

三、在如图2放大电路中，已知V CC =12V ，β=50，R b1=60K Ω，R b2=20K Ω，R C =4K Ω，R e1=100Ω，R e2=2.2K Ω，R L =4K Ω，试估算：(16分)⑴静态工作点I B ，I C ，U CE 。

⑵画出微变等效电路。

⑶试求电压放大倍数Au 、R i 和R O 。

0 00 11 01 1 0/0 1/0 1/0 0/0 1/0 1/0 0/1 0/1 图1图2图3 图4 图5解：解：⑴V B =V CC ．R b2/（R b1+R b2）=3VV E =V B -U BE =2.3VI C ≈I E =V E /(R e1+R e2)= 1mA I B = I C /β=20μAU CE =V CC -I C ．(R C +R e1+R e2)=5.7Vr be =200+（1+β）26/I E =1526Ω⑵微变等效电路如下图所示：⑶A u =-βR C //R L /（r be +（1+β）R e1）＝-15 R i =R b1//R b2//（r be +（1+β）R e1）≈6.626 K Ω R O ＝R C ＝4K Ω 四、电路如图3所示，设运放是理想的，试求出u o 与u i1、u i2的运算关系式。

（12分） 五、用卡诺图法化简如下逻辑函数为最简与或式。

（6分）Y (A,B,C,D)=m ∑(0,1,2,8,9,10) 解：Y =B C +B D 六、写出图4所示电路Y 的逻辑函数式，化简为最简与或式。

列出真值表，分析电路的逻辑功能。

（12分） 解：ABC Y =1，12Y A Y ⋅=13Y B Y ⋅=，14Y C Y ⋅= )(C B A ABC ++= 真值表如右表所示。

该电路为判不一致电路，当输入信号相同时，输出为0，反之为1。

七、分析如图5所示电路，设各触发器的初态均为0态。

(12分） 1.写出电路驱动方程，状态方程和状态转换表，并画出状态图。

2.分析电路的逻辑功能。

解：1.驱动方程：J 1=Q 0n ，n Q J 10=，K 1=K 0=1。

状态方程：n n n Q Q Q 0111=+，n n n Q Q Q 0110=+。

再列出状态转移表如下表所示： 状态图如下图所示：2.电路实现三进制加法计数器。

电工学下册复习题第14章 半导体器件一、填空题： A B CY 0 0 00 0 0 1 10 1 0 10 1 1 11 0 0 11 0 1 11 1 0 11 1 1 0 Q 1n Q 0n Q 1n+1Q 0n+1 0 0 0 1 0 1 1 0 1 0 0 0 1 1 0 0 o2ou N1＝u P1 u i 1－u N1＝u N1－u o1 u i 2－u P1＝u P1－u o2 u o1/（R 1+R L ）＝u o /R L得出：u o ＝－（u i 1－u i 2）R L /R 11. PN结的单向导电性指的是PN结正向偏置时导通，反向偏置时阻断的特性。

2. 硅晶体管和锗晶体管工作于放大状态时，其发射结电压U BE分别为0.7 V和0.3 V。

3. 晶体三极管有两个PN结，分别是发射结和集电结，分三个区域饱和区、放大区和截止区。

晶体管的三种工作状态是放大状态、饱和状态和截止状态。

4. 一个NPN三极管发射结和集电结都处于正偏，则此三极管处于饱和状态；其发射结和集电结都处于反偏时，此三极管处于截止状态；当发射结正偏、集电结反偏时，三极管为放大状态。

5. 物质按导电能力强弱可分为导体、绝缘体和半导体。

6. 本征半导体掺入微量的三价元素形成的是P 型半导体，其多子为空穴。

7. 某晶体三极管三个电极的电位分别是：V1＝2V，V2＝1.7V，V3＝－2.5V，可判断该三极管管脚“1”为发射极，管脚“2”为基极，管脚“3”为集电极，且属于锗材料PNP 型三极管。

8. 稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅二极管，工作在特性曲线的反向击穿区。

二、选择题：1. 处于截止状态的三极管，其工作状态为（B ）。

A、发射结正偏，集电结反偏；B、发射结反偏，集电结反偏；C、发射结正偏，集电结正偏；D、发射结反偏，集电结正偏。

2. P型半导体是在本征半导体中加入微量的（ A ）元素构成的。

A、三价；B、四价；C、五价；D、六价。

3. 稳压二极管的正常工作状态是（C）。

A、导通状态；B、截止状态；C、反向击穿状态；D、任意状态。

4. 用万用表直流电压挡测得晶体管三个管脚的对地电压分别是V1＝2V，V2＝6V，V3＝2.7V，由此可判断该晶体管的管型和三个管脚依次为（ B ）。

A、PNP管，CBE；B、NPN管，ECB；C、NPN管，CBE；D、PNP管，EBC。