第1章 半导体器件一、是非题 (注:请在每小题后[ ]用"√"表示对,用"×"表示错) 1、P 型半导体可通过在本半导体中掺入五价磷元素而获得。

（ ） 2、N 型半导体可以通过在本征半导体中掺入三价元素而得到。

（ ） 3、在N 型半导体中，掺入高浓度的三价杂质可以发型为P 型半导体。

（ ） 4、P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。

（ ）5、N 型半导体的多数载流子是电子，所以它带负电。

（ ）6、半导体中的价电子易于脱离原子核的束缚而在晶格中运动。

（ ）7、半导体中的空穴的移动是借助于邻近价电子与空穴复合而移动的。

（ ）8、施主杂质成为离子后是正离子。

（ ）9、受主杂质成为离子后是负离子。

（ ）10、PN 结中的扩散电流是载流子在电场作用下形成的。

（ ） 11、漂移电流是少数载流子在电场作用下形成的。

（ ）12、由于PN 结交界面两边存在电位差，所以，当把PN 结两端短路时就有电流流过。

（ ） 13、PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。

（ ）14、二极管的伏安特性方程式除了可以描述正向特性和反向特性外，还可以描述二极管的反向击穿特性。

（ ） 15、通常的BJT 管在集电极和发射极互换使用时，仍有较大的电流放大作用。

（ ） 16、有人测得某晶体管的U BE =0.7V ，I B =20μA，因此推算出r be =U BE /I B =0.7V/20μA=35kΩ。

（ ） 17、有人测得晶体管在U BE =0.6V ，I B =5μA，因此认为在此工作点上的r be 大约为26mV/I B =5.2kΩ。

（ ）18、有人测得当U BE =0.6V ，I B =10μA。

考虑到当U BE =0V 时I B =0因此推算得到0.6060()100BE be B U r k I ∆-===Ω∆- （ ）二、选择题(注:在每小题的备选答案中选择适合的答案编号填入该题空白处,多选或不选按选错论) . 1、在绝对零度（0K ）时，本征半导体中_________ 载流子。

A. 有B. 没有C. 少数D. 多数2、在热激发条件下，少数价电子获得足够激发能，进入导带，产生_________。

A. 负离子B. 空穴C. 正离子D. 电子-空穴对3、半导体中的载流子为_________。

A.电子 B.空穴 C.正离子 D.电子和空穴4、N型半导体中的多子是_________。

A.电子 B.空穴 C.正离子 D.负离子5、P型半导体中的多子是_________。

A.电子 B.空穴 C.正离子 D.负离子6、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于，而少数载流子的浓度则与有很大关系。

A. 温度 B. 掺杂工艺 C. 杂质浓度 C. 晶体缺陷7、当PN结外加正向电压时，扩散电流漂移电流，耗尽层。

当PN结外加反向电压时，扩散电流漂移电流，耗尽层。

A.大于B.小于C.等于D.变宽E.变窄F.不变8、二极管正向电压从0.7V增大15%时，流过的电流增大_______。

（A1．15% B1．大于15% C1．小于15%）当流过二极管的电流一定，而温度升高时，二极管的正向电压______。

（A2．增大B2．减小；C2．基本不变）9、温度升高时，二极管的反向伏安特性曲线________。

（A1．上移 B1．下移 C1．不变）说明此时反向电流________。

（A2．减小 B2．增大 C2．不变）.10、在下图1.10所示电路中，当电源V=5V时，测得I=1mA。

若把电源电压调整到V=10V，则电流的大小将是[ ] I=2mA B.I<2mA C.I>2mA D.不能确定图1.10 图1.11 图1.1311、图1.11所示电路中电源V=5V不变。

当温度为20O C时测得二极管的电压U D=0.7V。

当温度上生到为40O C时,则U D的大小将是[ ]A.仍等于0.7VB.大于0.7VC. 小于0.7VD.不能确定12、设图1.11电路中保持V=5V不变，当温度为20℃时测得二极管的电流I=2mA。

当温度上升到40℃时，则I的大小将是。

A. I=2mA B. I<2mA C. I>2mA 13、图1.13中，二极管的正向压降可以忽略，反向饱和电流0.1 mA, 反向击穿电压为5V,击穿后电压基本不随电流而变化，这时电路中的电流I等于[ ]A. 0.1 mAB. 2.5 mAC. 5mAD. 15 mA14、二极管的主要特性是[ ]A.放大特性B.恒温特性C.单向导电特性D.恒流特性15、在下图1.15所示电路中，D1～D3为理想二极管，A、B、C白炽灯泡功率都相同，其中最亮的灯是_________。

A. b B. c C. a16、二极管电路如下图1.16所示，判断图中二极管是导通还是截止后，可确定电路的输出电压V o为______。

(设二极管的导通压降0) A.5.6V B.-4.3V C.-5V D.6V图1.15 图1.16 图1.17 图1.1817、二极管电路如上图1.17所示，判断图中二极管是导通还是截止后，可确定电路的输出电压V o为______(设二极管的导通压降为0.7V) A.0V B.-0.7V C.-1.7V D.1V 18、二极管电路如上图1.18所示，判断图中二极管是导通还是截止后，可确定电路的输出电压V o为______。

(设二极管的导通压降为0.7V) A.-8.3V B.8V C.9V D.-9.3V19、电路如下图1.19所示。

试估算A点的电位为_________。

（设二极管的正向压降为0.7V。

）A. 6.7VB. 6VC. 5.7VD. 6.7V20、已知如下图1.20所示电路中V A＝0V，V B＝5V，分析二极管的工作状态后，可确定V o的值为_____。

（设二极管的正向压降为0.7V。

） A.5V B.-4V C.4.3V D.0.7V图1.19 图1.20 图1.21 (a) 图1.21 (b) 21、设硅稳压管D Z1和D Z2的稳定电压分别为5V和8V，正向压降均为0.7V，可求出图1.21(a)中电路的输出电压V o为_______；可求出图1.21(b)中电路的输出电压V o为_______；可求出图1.21(c)中输出电压V o为_______；可求出图1.21(d)中输出电压V o为_______。

A.0.7VB.1.4VC.5VD.7VE.8V G..13V H.17VF.11.6V图1.21(c) 图1.21(d) 图1.22(a) 图1.22(b) 22、已知D Z1、D Z2的稳压值分别为6V和7V，且具有理想的稳压特性，可求得图1.22(a)路中，输出电压为_________；可求得图1.22(b)中输出电压为_________。

A. 1VB. 5VC. 6VD. 13VE. 7V23、二极管的双向限幅电路如右图所示。

设v i为幅值大于直流电源V C1(=－V C2)值的正弦波，二极管为理想器件。

则可画出v o的波形为_________。

A. a)B. b)C. c)D. d)24、在同一测试电路中，分别测得A、B和C三个二极管电流如下表所示。

二极管的性能最好的是_________。

A. a)B. b)C. c管号加0.5V正向电压时的电流加反向电压时的电流a) 0.5mA 1μAb) 5mA 0.1μAc) 2mA 5μA25、一个硅二极管在正向电压U D=0.6V时，正向电流I D=10mA。

若U D增大到0.66V（即增加10%），则电流I D。

A.约为11mA（也增加10%）； B.约为20mA（增大1倍）；C.约为100mA（增大到原先的10倍）；D.仍为10mA（基本不变）。

26、用万用表判别放大电路中处于正常工作的某个晶体管的类型（指NPN型还是PNP型）与三个电极时以测出最为方便。

A.中极间电阻B.各极对地电位C.各极电流27、温度升高时，晶体管的电流放大系数β，反向饱和电流I CBO，正向结电压U BE。

A.变大 B.变小 C.不变28、温度升高时，晶体管的共射输入特性曲线将，输出特性曲线将，而且输出特性曲线之间的间隔将。

A.上移B.下移C.左移D.右移E.增大F.减小G.不变29、双极型晶体三极管在放大状态工作时的外部条件是。

A 发射结正偏，集电结正偏B 发射结正偏，集电结反偏C 发射结反偏，集电结反偏D 发射结反偏，集电结正偏30、在晶体管放大电路中，测得晶体管的各个电极的电位如下1.30图所示，该晶体管的类型是。

A.NPN型硅管 B.PNP型硅管 C.NPN型锗管 D.PNP型锗管31、某三极管各个电极的对地电位如图1.37所示，可判断其工作状态是。

A.饱和B.放大C.截止D.已损坏2V 6V1.3V图1.30 图1.3132、三极管的穿透电流I CEO是集-基反向饱和电流的倍. A.a B.1+β C.β33、三极管工作在饱和区时，b-e极间为，b-c极间为；工作在放大区时，b-e 极间为，b-c极间为。

A. 扩散电流 B. 漂移电流34、某三极管的极限参数P CM=150mW，I CM=100mA，V（BR）CEO=30V。

若它的工作电压V CE=10V，则工作电流I C不得超过 mA（A.100ma B. 15mA C. 1mA）；若工作电压V CE=1V，则工作电流不得超过 mA（A.100mA B. 15mA C. 1mA）；若工作电流I C=1mA，则工作电压不得超过 V（A. 30V B. 10V C. 1V）。

三、计算题1.写出图3.1所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。

图3.12.已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Zmin＝5mA。

求图3.2所示电路中U O1和U O2各为多少伏。

图3.23 电路如图3.3所示，已知u i＝10sinωt(v)，试画出u i与u O的波形。

设二极管正向导通电压可忽略不计。

图3.34 电路如图3.4所示，已知u i＝5sinωt(V)，二极管导通电压U D＝0.7V。

试画出u i与u O的波形，并标出幅值。

图3.45 电路如图3.5（a）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b）所示，二极管导通电压U D＝0.7V。

试画出输出电压u O的波形，并标出幅值。

图3.56现有两只稳压管，它们的稳定电压分别为6V和8V，正向导通电压为0.7V。

试问：（1）若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？（2）若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？7已知图3.7所示电路中稳压管的稳定电压U Z＝6V，最小稳定电流I Zmin＝5mA，最大稳定电流I Zmax＝25mA。