Solve vgate=0.05 vstep=0.05 vfinal=1.0 name=gate
Solve ibase=1e-6
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特性获取
I-V 特性：
solve vdrain=0.1 solve vdrain=0.2
… solve vdrain=2.0
转移特性：
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单位 cm2/Vs cm2/Vs
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物理模型
推荐的模型 MOSFETs类型：srh，cvt，bgn
BJT，thyristors等：Klasrh，klaaug，kla，
bgn
击穿仿真：Impact，selb
例句：
Model bgn fldmob srh
Models conmob fldmob srh auger temp=300 print
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特性获取
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电流控制性器件的输出特性：
solve init solve vbase=0.05 vstep=0.05 vfinal=0.8 name=base contact name=base current
#
solve ibase=2.e - 6 save outf=bjt_ib_1.str master solve ibase=4.e - 6 save outf=bjt_ib_2.str master
报错信息：
“trap times more than 4 times” 指计算不收敛。
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特性获取
加偏执是用solve状态 先需要设置数据保存在日志文件，之后才
可以用Tonyplot显示出来
Log outfile=*.log
简单例句：
Solve init
Solve vdrain=0.1
Impact selb
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界面特性
Interface定义界面态电荷（密度cm-2），s.n和s.p 分别为电子和空穴的表面复合速率
interface y.max=0.1 qf=−1e11 interface x.min=−4 x.max=4 y.min=−0.25 y.max=0.1 qf=1e11 \
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特性获取
瞬态特性：
solve vgate=1.0 ramptime=1e−8 tstop=1e−7 tstep=1e−10
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瞬态仿真参数的说明
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特性获取
S参数仿真（电流增益随频率变化的特性）：
log outf=ac.log s.param inport=gate outport=drain width=100 solve ac.analysis direct frequency=1.e9 fstep=2.e9 nfsteps=20
solve vdrain=0.1 solve vgate=0.1 vstep=0.1 vfinal=3.0 name=gate
GP 特性：
solve vcollector=2 solve vbase=0.0 vstep=0.1 vfinal=2 name=base
contact name=base common=collector solve vbase=0.0 vstep=0.1 vfinal=2 name=base
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特性获取
霍尔效应仿真：
models srh fldmob bz=1.0 model temperature=300 solve init # probe name=hall1 x=0.0 y=0.5 potential probe name=hall2 x=1.0 y=0.5 potential probe name=reference x=0.5 y=0.5 potential # log outf=hall_effect.log solve name=anode vanode=0.0 vstep=0.05 vfinal=1.0
material material=InGaAs align=0.36 eg300=0.75 nc300=2.1e17 \ nv300=7.7e18 copt=9.6e-11
material material=InP affinity=4.4 align=0.36 eg300=1.35 \ nc300=5.7e17 nv300=1.1e19 copt=1.2e-10
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材料参数
状态Material，设置材料参数 材料参数和物理模型的选取有关，常用的
参数及说明如下：
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材料参数
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材料参数
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材料参数
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特性获取
CE击穿特性：
impact selb
method trap climit=1e - 4 maxtrap=10
#
solve init
solve vbase=0.025
solve vbase=0.05
solve vbase=0.2
#
contact name=base current
solve ibase=3.e - 15
#
log outfile=gp.log master
solve vcollector=0.2
solve vstep=0.2 vfinal=5 name=collector
solve vstep=0.5 vfinal=10 name=collector compl=5.e - 11 p=3
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特性获取
光电效应仿真时光线的设置：
波长、入射点位置和角度： beam num=1 x.orign=5 y.orign=−2 angle=90 wavelenght=.8
一定范围的波长：
beam num=1 x.orign=5 y.orign=−2 angle=90 wavel.start=.5 \ wavel.end=1.7 wave.num=13
n0

mun

Tl 300
tmun

p0

mup

Tl 300
tmup
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状态 Mobility Mobility Mobility Mobility
低场迁移率模型中可用户定义的参数
参数
默认值
Mun
1000
Mup
500
Tmun
1.5
Tmup
1.5
前后背面的反射：
beam num=2 x.orign=1 y.orign=−1 angle=90 wavelength=1.5 \ back.refl front.refl reflect=5 min.power=0.01
#
load inf=bjt_ib_1.str master log outf=bjt_ib_1.log solve vcollector=0.0 vstep=0.25 vfinal=5.0 name=collector
#
load inf=bjt_ib_2.str master log outf=bjt_ib_2.log solve vcollector=0.0 vstep=0.25 vfinal=5.0 name=collector
（1M~1.024GHz）
solve vbase=0.7 ac freq=1e6 fstep=2 mult.f nfstep=10
solve prev ac freq=1e6 fstep=2 mult.f nfstep=10
直流偏置和交流频率都改变：
solve vgate=0 vstep=0.05 vfinal=1 name=gate ac freq=1e6 \ fstep=2 mult.f nfsteps=10
ate
例子
hemtex01.in 中 “f.conmun=hemtex01_interp.lib”
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物理模型
models，计算时所采用的物理模型 物理模型是指有物理意义的方程 物理描述在手册的3.6节Physics Models部分
低场迁移率模型的物理方程及参数
impact selb material=InGaAs an2=5.15e7 ap2=9.69e7 bn2=1.95e6 \ bp2=2.27e6
impact selb material=InP an2=1e7 ap2=9.36e6 bn2=3.45e6 bp2=2.78e6
material region=1 taun0=5.0e-10 taup0=1.0e-9 vsatn=2.5e7 \ mun0=4000 mup0=200
log outf=ac.log s.param inport=gate outport=drain \ in2port=source out2port=source width=100 rin=100
solve ac.analysis direct frequency=1.e9 fstep=2.e9 nfsteps=20