(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910145703.6
(22)申请日 2019.02.27
(71)申请人 晶科能源科技（海宁）有限公司
地址 314416 浙江省嘉兴市海宁市袁花镇
联红路89号
申请人 浙江晶科能源有限公司
(72)发明人 宫欣欣　张林　张昕宇　金浩　
武禄　盛浩杰　张波　
(74)专利代理机构 杭州永航联科专利代理有限
公司 33304
代理人 侯兰玉
(51)Int.Cl.
H01L 21/223(2006.01)
H01L 31/18(2006.01)
(54)发明名称
一种N型电池的共扩散工艺
(57)摘要
本发明涉及一种电池的制造工艺，特别涉及
一种N型电池的共扩散工艺，属于太阳能电池领
域。

一种N型电池的共扩散工艺，该工艺包括如下
步骤，i)制绒：硅片清洗制绒，表面形成金字塔结
构；ii)硼源沉积：采用APCVD的方法在硅片绒面
沉积一层BSG，通入SiH 4及B 2H 6气体，沉积温度为
250-270℃，沉积厚度为50-70nm；iii)硼磷共扩
散：将带有单面BSG的硅片放入管式炉中，先升温
至980-1000℃，在氮气或氧气环境下，推进硼的
扩散，时间为25-35min；降温至850-860℃，通入
磷源，沉积一层PSG，时间为8-12min；高温共推进
工艺，温度为945-960℃，时间为25-
35min。

权利要求书1页 说明书5页 附图2页CN 109962012 A 2019.07.02
C N 109962012
A
1.一种N型电池的共扩散工艺，其特征在于：该工艺包括如下步骤，
i)制绒：硅片清洗制绒，表面形成金字塔结构；
ii)硼源沉积：采用APCVD的方法在硅片绒面沉积一层BSG，通入SiH4及B2H6气体，沉积温度为250-270℃，沉积厚度为50-70nm；
iii)硼磷共扩散：
1.将带有单面BSG的硅片放入管式炉中，先升温至980-1000℃，在氮气或氧气环境下，推进硼的扩散，时间为25-35min；
2.降温至850-860℃，通入磷源，沉积一层PSG，时间为8-12min；
3.高温共推进工艺，温度为945-960℃，时间为25-35min。

2.根据权利要求1所述的N型电池的共扩散工艺，其特征在于：所述的升温速率为8-12℃/min。

3.根据权利要求1所述的N型电池的共扩散工艺，其特征在于该工艺还包括：
iv)BSG/PSG去除工艺：采用HF清洗BSG、PSG，HF：H2O体积比为4
~8：32，清洗时间为5
~
10min，直至硅片表面疏水为止。

4.根据权利要求1所述的N型电池的共扩散工艺，其特征在于该工艺还包括：
v)钝化工艺：于清洗后的硅片表面正面沉积6
~10nmAlOx及80nm的SiNx薄膜，背面沉积
80nm厚的SiNx薄膜。

5.根据权利要求1所述的N型电池的共扩散工艺，其特征在于该工艺还包括：
vi)丝网印刷及测试：于SiNx薄膜表面印刷用于导电的浆料，烧结后进行测试分选，得到扩散后的硅片。

权　利　要　求　书1/1页
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CN 109962012 A。