PROM
• （可编程只读存储器）是一次性的，可编 程只读存储器，内容一经写入以后，就不 可能修改了，所以只可以写入一次。这种 是早期的产品，现在已经不可能使用了
EPROM
• （可擦除可编程只读存储器），是通过紫 外光的照射擦出原先的程序，是一种通用 的存储器。，用紫外线照射进行擦除，高 压编程写入（+21V或+12V）
Flash 存储器
• NOR Flash • NAND Flash
NOR Flash
• NOR Flash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样，用户 可以直接运行装载在NOR Flash里面的代码，这样可以减少 SRAM的容量从而节约了成本。NOR是现在市场上主要的 非易失闪存技术，其特点是应用简单、无需专门的接口电 路、传输效率高，它是属于芯片内执行（XIP, eXecute In Place），这样应用程序可以直接在（NOR型）Flash闪存内 运行，不必再把代码读到系统RAM中。在1～4MB的小容 量时具有很高的成本效益，但是低的写入和擦除速度大大 影响了它的性能。NOR Flash带有SRAM接口，有足够的地 址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节 .NOR Flash占据了容量为1～16MB闪存市场的大部分。
存储设备简介
RAM/ROM存储器
• RAM和ROM指的都是半导体存储器，ROM 在系统停止供电的时候仍然可以保存数据 RAM掉电之后就会丢失数据，典型的RAM 就是计算机的内存。
RAM
• 静态RAM
SRAM
• 动态RAM
DRAM
SDRAM SSRAM DDR RAM PSRAM
静态RAM
• 静态的随机存储器，加电情况下，不需要刷新， 数据不会丢失，而且，一般不是行列的地址复用 SRAM 目前读写最快的存储设备，价格昂贵，只在要求很苛刻 的地方使用，例如CPU的一级缓冲，二级缓冲。 缺点：集成度低，相同容量体积较大，价格较高，少量用于 关键性系统以提高功率。
SSRAM
• Synchronous Static RAM(同步静态随机存储器),同步是指 Memory工作需要时钟，内部的命令的发送与数据的传输 都以它为基准,随机是指数据不是线性依次存储，而是由指 定地址进行数据读写。对于SSRAM的所有访问都在时钟的 上升下降沿启动。地址、数据输入和其它控制信号均于时 钟信号相关。这一点与异步SRAM不同，异步SRAM的访问 独立于时钟，数据输入和输出都由地址的变化控制。
优点：速度快，不必配合内存刷新电路，可提高整体的工作 效率。
动态RAM
• 动态随机存取存储器，需要不断的刷新， 才能保存数据，而且是行列地址复用，许 多都有页模式。
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
DRAM
• 利用MOS管的栅电容上的电荷来存储信息 一旦掉电信息会全部丢失，由于栅极会漏 电，所以每隔一定时间就需要一个刷新机 构给这些栅电容补充电荷，并且每读出一 次数据之后也需要补充电荷，称其未动态 随机存储器。 集成度高，容量大。 保留数据时间段，速度比SRAM慢，比任何ROM快。 结构简单，价格便宜。
NAND Flash
• 没有采取内存的随机读取技术，它的读取 是以一次读取一块的形式来进行的，通常 是一次读取512个字节，采用这种技术的 Flash比较廉价。用户不能直接运行NAND Flash上的代码，因此好多使用NAND Flash的 开发板除了使用NAND Flash以外，还用一块 小的NOR Flash来运行启动代码。但是NAND 结构能提供极高的单元密度，可以达到高 存储密度，并且写入和擦除的速度也很快 。
PSRAM
• Fake Static RAM（假静态随机存储器）PSRAM具有一个单晶体管的 DRAM储存格，与传统具有六个晶体管的SRAM储存格或是四个晶体管 与Two-Loadresistor SRAM储存格大不相同，但它具有类似SRAM的稳定 接口，内部的DRAM架构给予PSRAM一些比Low-Power 6TSRAM优异的 长处，例如体积更为轻巧，售价更具竞争力。目前在整体SRA市场中 ，有90%的制造商都在生产PSRAM组件 基本原理：PSRAM就是伪SRAM，内部的内存颗粒跟SDRAM的颗粒相似 ，但外部的接跟 SRAM相似，不需要SDRAM那样复杂的控制器和刷新机制，PSRAM的接口 跟SRAM的接口是一样的PSRAM容量有8Mbit,16Mbit,32Mbit等等，容量没 有SDRAM那样密度高，但肯定是比SRAM的容量要高很多的，速度支持突 发模式，并不是很慢
SDRAM
• Synchronous DRAM（同步动态随机存储器），曾是PC电脑 上使用最广泛的一种存储类型，其工作速度是与系统总线 速度同步。SDRAM内存又分为PC66、PC100、PC133等不同 规格，而规格后面的数字就代表该内存最大所能正常工作 系统总线速度。与系统总线同步，也就是与系统时钟同步 避免了不必要的等待周期，减少数据存储时间。同步存储 器还使存储控制器知道在哪一个时钟脉冲期由数据请求使 用，因此数据可在脉冲上升期便开始传输。使用3.3伏工作 电压，168Pin的DIMM接口，带宽64位。
ROM
• • • • • MASK ROM PROM EPROM EEPROM Flash ROM
MASK ROM
• 掩模只读存储器），是制造商为了要大量生产， 事先制作一颗有原始数据的ROM当作样本，然后 再大量生产与样本一样的 ROM，这种大量生产的 ROM样本就是MASK ROM,而烧录在MASK ROM中 的资料永远无法做修改
DDR RAM
• Double-Date-Rate RAM也称作DDRSD RAM这种改进 型的RAM和SDRAM是基本一样的，不同之处在于 它可以在一个时钟读写两次数据,这样就使得数据 传输速度加倍了。这是目前电脑中用得最多的内 存，而且它有着成本优势，事实上击败了Intel的 另外一种内存标准 RambusDRAM在很多高端的显 卡上，也配备了高速DDR RAM来提高带宽，这可 以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。
EEPROM
• （电信号可擦除可编程只读存储器），是 通过电子擦除，价格很高，写入时间很长 ，写入很慢
Flash ROM
• 是利用浮置栅上的电容存储电荷来保存信息，因 为浮置栅不会漏电，所以断电后信息仍然可以保 存。也由于其机简单所以集成度可以做的很高， 容量可以很大。Flash Rom写入前需要用电进行擦 除，而且擦除不同与EEPROM可以以byte（字节） 为单位进行，Flash Rom只能以sector（扇区）为 单位进行。不过其写入时可以byte为单位。Flash Rom主要用于bios，U盘，Mp3等需要大容量且断 电不丢数据的设备
外存储器
• 外存储器是指除计算机内存及CPU缓存以外的存 储器，此类存储器一般断电后仍能保存数据。可 分为主存储器（内存）和辅助存储器（外存）。
• 外存通常是磁性介质或光盘，硬盘、软盘、磁带 CD、U盘等，能长期保存信息，并且不依赖于电 来保存信息，但是由于机械部件带动，速度较慢 。